一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质制造方法及图纸

本申请的实施例公开了一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质，涉及芯片设计技术领域，为便于提高芯片的设计效率而发明专利技术。所述方法，包括：确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长，并确定裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长；其中，第一尺寸为宽度，第二尺寸为高度；根据工艺参数和晶圆尺寸，确定第一尺寸在第一变化范围内、以第一变化步长变化得到的每个数值下，第二尺寸在第二变化范围内、以第二变化步长变化得到的各个数值对应的晶圆内布置的裂片数量；根据第一尺寸的每个数值、第二尺寸的各个数值与裂片数量的对应关系，对裂片在晶圆上的布局提供参考。本申请适用于对芯片设计提供参考。本申请适用于对芯片设计提供参考。本申请适用于对芯片设计提供参考。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质


[0001]本申请涉及芯片设计
，尤其涉及一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质。

技术介绍

[0002]芯片在物理设计的初期，会根据前期设计估算的面积以及物理实现要求，进行芯片的顶层布局设计，即得到芯片的宽度、高度的数值，从而得到生产时在圆晶上布局的裂片(芯片)数量。然而，随着物理实现的推进，可能会对芯片设计进行修改，并对圆晶上裂片布局进行迭代调整。相关技术中，在修改和迭代的过程中，对裂片在晶圆上的布局并没有参考的依据，从而，导致芯片的设计效率较低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种芯片设计方法、装置、电子设备及可读存储介质，便于提高芯片的设计效率。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种芯片设计方法，包括：确定晶圆切片的工艺参数和晶圆的尺寸；确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长，并且确定所述裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长；其中，所述第一尺寸为宽度，第二尺寸为高度；或，所述第一尺寸为高度，所述第二尺寸为宽度；根据所述工艺参数和所述晶圆尺寸，确定所述第一尺寸在所述第一变化范围内、以所述第一变化步长变化得到的每个数值下，所述第二尺寸在所述第二变化范围内、以所述第二变化步长变化得到的各个数值对应的所述晶圆内布置的裂片数量；根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，对所述裂片在所述晶圆上的布局提供参考。
[0005]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和确定所述第二尺寸的第二变化范围，包括：确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸；根据预设的所述第一尺寸的变化比例、预设的所述第二尺寸的变化比例、初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸，确定所述第一尺寸的第一变化范围和所述第二尺寸的第二变化范围。
[0006]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸，包括：根据所述裂片上门级数量，确定所述裂片的面积；根据所述裂片上的IP模块的尺寸和所述裂片的面积，确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸。
[0007]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，对所述裂片在所述晶圆上的布局提供参考，包括：根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值，以使所述裂片的面积在所述预设数量下处于极大值；或，根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述第一尺寸的第一预定
数值的第一可选范围和所述第二尺寸的第二预定数值的第二可选范围；根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定在所述第一可选范围和所述第二可选范围内，所述裂片数量的最大值及对应的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值。
[0008]根据本申请实施例的一种具体实现方式，在确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值之前，所述方法还包括：根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，在图形化用户界面上以所述第二尺寸为第一坐标、以所述裂片数量为第二坐标，显示所述第一尺寸的每个数值下，所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系。
[0009]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值，包括：根据显示的所述第一尺寸的每个数值下，所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第二尺寸的极大值；确定与所述第二尺寸的极大值及所述预设数量对应的所述第一尺寸的数值。
[0010]第二方面，本申请实施例提供一种芯片设计装置，包括：第一确定模块，用于确定晶圆切片的工艺参数和晶圆的尺寸；第二确定模块，用于确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长，并且确定所述裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长；其中，所述第一尺寸为宽度，第二尺寸为高度；或，所述第一尺寸为高度，所述第二尺寸为宽度；第三确定模块，用于根据所述工艺参数和所述晶圆尺寸，确定所述第一尺寸在所述第一变化范围内、以所述第一变化步长变化得到的每个数值下，所述第二尺寸在所述第二变化范围内、以所述第二变化步长变化得到的各个数值对应的所述晶圆内布置的裂片数量；参考提供模块，用于根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，对所述裂片在所述晶圆上的布局提供参考。
[0011]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第二确定模块，包括：第一确定子模块，用于确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸；第二确定子模块，用于根据预设的所述第一尺寸的变化比例、预设的所述第二尺寸的变化比例、初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸，确定所述第一尺寸的第一变化范围和所述第二尺寸的第二变化范围。
[0012]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第一确定子模块，具体用于：根据所述裂片上门级数量，确定所述裂片的面积；根据所述裂片上的IP模块的尺寸和所述裂片的面积，确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸。
[0013]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述参考提供模块，包括：第三确定子模块，用于根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值，以使所述裂片的面积在所述预设数量下处于极大值；或，用于：根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述第一尺寸的第一预定数值的第一可选范围和所述第二尺寸的第二预定数值的第二可选范围；根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定在所述第一可选范围和所述第二可选范围内，所述裂片数量的最大值及对应的所述第一尺寸数值和所述第二尺寸的数值。
[0014]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述装置还包括：显示模块，用于在所述第三确定子模块确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值之前，根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，在图形化用户界面上以所述第二尺寸为第一坐标、以所述裂片数量为第二坐标，显示所述第一尺寸的每个数值下，所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系。
[0015]根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述第三确定子模块，具体用于：根据显示的所述第一尺寸的每个数值下，所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第二尺寸的极大值；确定与所述第二尺寸的极大值及所述预设数量对应的所述第一尺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片设计方法，其特征在于，包括：确定晶圆切片的工艺参数和晶圆的尺寸；确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长，并且确定所述裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长；其中，所述第一尺寸为宽度，第二尺寸为高度；或，所述第一尺寸为高度，所述第二尺寸为宽度；根据所述工艺参数和所述晶圆尺寸，确定所述第一尺寸在所述第一变化范围内、以所述第一变化步长变化得到的每个数值下，所述第二尺寸在所述第二变化范围内、以所述第二变化步长变化得到的各个数值对应的所述晶圆内布置的裂片数量；根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，对所述裂片在所述晶圆上的布局提供参考。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和确定所述第二尺寸的第二变化范围，包括：确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸；根据预设的所述第一尺寸的变化比例、预设的所述第二尺寸的变化比例、初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸，确定所述第一尺寸的第一变化范围和所述第二尺寸的第二变化范围。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸，包括：根据所述裂片上门级数量，确定所述裂片的面积；根据所述裂片上的IP模块的尺寸和所述裂片的面积，确定初始的所述第一尺寸和初始的所述第二尺寸。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，对所述裂片在所述晶圆上的布局提供参考，包括：根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值，以使所述裂片的面积在所述预设数量下处于极大值；或，根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述第一尺寸的第一预定数值的第一可选范围和所述第二尺寸的第二预定数值的第二可选范围；根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定在所述第一可选范围和所述第二可选范围内，所述裂片数量的最大值及对应的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值之前，所述方法还包括：根据所述第一尺寸的每个数值、所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，在图形化用户界面上以所述第二尺寸为第一坐标、以所述裂片数量为第二坐标，显示所述第一尺寸的每个数值下，所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第一尺寸的数值和所述第二尺寸的数值，包括：
根据显示的所述第一尺寸的每个数值下，所述第二尺寸的各个数值与所述裂片数量的对应关系，确定所述裂片在预设数量下，所述裂片的所述第二尺寸的极大值；确定与所述第二尺寸的极大值及所述预设数量对应的所述第一尺寸的数值。7.一种芯片设计装置，其特征在于，包括：第一确定模块，用于确定晶圆切片的工艺参数和晶圆的尺寸；第二确定模块，用于确定裂片的第一尺寸的第一变化范围和第一变化步长，并且确定所述裂片的第二尺寸的第二变化范围及第二变化步长；其中，所述第一尺寸为宽度，第二尺寸为高度；或，所述第一尺寸为高度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：何妍，晋大师，王毓千，
申请(专利权)人：成都海光集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：