一种光刻模型优化方法技术

本发明专利技术涉及光刻建模技术领域，特别涉及一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，包括以下步骤：获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值；根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估；根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整；此设计能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻模型优化方法


[0001]本专利技术涉及光刻建模
，特别涉及一种光刻模型优化方法。

技术介绍

[0002]在现代数字图像处理过程中，图像以栅格结构存储内容，栅格结构是指将一幅图划分为均匀分布的栅格，每个栅格称为像素，并显式地记录每一像素的光度值。图像由数字阵列信息组成，所有像素位置按规则方式排列。
[0003]在现代光刻工艺中，类似的栅格结构存储图像内容的方法被称之为格点划分法。结合数学理论，掩模可以被描述为具有不同透光率和相位的多边形。根据奈奎斯特采样定律，采样频率应是原始信号最大频率的两倍，不同的采样位置包含不同的信息，这些信息总是原始数据的片段，导致了格点依赖性，通过向上/向下采样过程来保证图像质量和格点依赖性，主像素大小主要由空间频率通带或经验公式确定，主要的掩模误差是圆角和偏压，这是物理上来自电子束接近效应/抗蚀过程等。
[0004]在通常情况下，会通过选择高分辨率的亚像素大小来减小格点量化误差，但随着集成电路制造工艺中各个工艺节点相关技术的不断推进，集成电路制造工艺特征尺寸在不断缩小，因此对降低格点依赖性的要求越来越高，现有的计算光刻模型对格点的依赖性依旧很大，已无法满足工艺需求。

技术实现思路

[0005]为解决现有计算光刻模型对格点的依赖性太大的问题，本专利技术提供了一种光刻模型优化方法。
[0006]本专利技术解决技术问题的方案是提供一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，包括以下步骤：
[0007]获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少分别获取到每个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值；根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估；根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整。
[0008]优选地，获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性，具体包括以下步骤：生成初始光学模型；获取初始光学模型的像素大小，根据像素大小计算出格点偏移范围；从初始光学模型中获取实际关键尺寸，根据实际关键尺寸计算预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性。
[0009]优选地，所述格点偏移范围的定义公式为pixel代表所述初始光学模型的像素大小，shift代表格点偏移范围。
[0010]优选地，所述根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到每个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值，具体包括以下步骤：
[0011]通过计算和/或比对获取每个预设关键尺寸相应的最大偏移位置；通过计算和/或比对获取每个预设关键尺寸相应的最大格点依赖性。
[0012]优选地，根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到与每个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值，还包括以下步骤：
[0013]根据每个预设关键尺寸的预设格点偏移位置数量及对应的格点依赖性计算每个预设关键尺寸的平均格点值。
[0014]优选地，所述根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到与每个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值，还包括以下步骤：
[0015]根据每个预设关键尺寸的预设格点偏移位置数量及对应的格点依赖性以及每个预设关键尺寸的平均格点值来计算每个预设关键尺寸的格点离散值。
[0016]优选地，所述格点依赖性的定义公式为其中，grid代表所述格点依赖性，cd代表实际关键尺寸，下标i代表预设格点偏移位置，下标j代表预设关键尺寸数，N代表总格点数，总格点数根据格点偏移范围获得。
[0017]优选地，所述格点离散值的定义公式为其中σ代表离散值，cd代表实际关键尺寸，下标i代表预设格点偏移位置，下标j代表预设关键尺寸数，N代表总格点数，总格点数根据格点偏移范围获得，M代表关键尺寸的数量。
[0018]优选地，根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估，具体包括以下步骤：
[0019]对每一预设关键尺寸的最大格点依赖性进行对比；对每一预设关键尺寸的格点离散值进行对比；根据对比结果综合确定至少一个较容易受格点影响的预设关键尺寸。
[0020]优选地，根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整，具体包括以下步骤：
[0021]针对较容易受格点影响的预设关键尺寸的位置进行调整。
[0022]与现有技术相比，本专利技术的光刻模型优化方法具有以下优点：
[0023]1、本专利技术的光刻模型优化方法先获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性，再根据格点依赖性至少计算出与每个预设关键尺寸相应的最大偏移位置及格点依赖性两种关键数值，并综合至少两种关键数值的计算结果来对模型的格点依赖性进行评估，此设计使得评估结果能准确反映出模型的各个预设关键尺寸对各个格点的格点依赖性，以便于在后续步骤中根据判断结果针对性地对模型的关键尺寸的位置进行精准优化，以降低模型的格点依赖性，此方法效率高且效果好，能有效地解决现有计算光刻模型对格点的依赖性太大的问题。
[0024]2、本专利技术中的格点偏移范围是根据像素大小来确定的，而像素大小则由针对每一建模对象生成的初始光学模型来确定，针对性强，准确性高。
[0025]3、本专利技术中格点偏移范围的绝对值小于或等于初始光学模型的像素大小的一半。
[0026]4、本专利技术中除了获取与每个预设关键尺寸相应的最大偏移位置和格点依赖值两种关键数值外，还会计算每个预设关键尺寸的平均格点值，平均格点值能辅助评估模型的格点依赖性，进一步提高评估结果的准确性，从而保证对计算光刻模型的优化效果。
[0027]5、本专利技术中除了获取与每个预设关键尺寸相应的最大偏移位置和格点依赖值两种关键数值，还会计算每个预设关键尺寸的格点离散值，格点离散值能辅助评估模型的格
点依赖性，进一步提高评估结果的准确性，从而保证对计算光刻模型的优化效果。
[0028]6、本专利技术中格点依赖性是指在对建模对象进行成像时，所成的像对格点的依赖程度，当格点依赖性大时，点位稍微偏移便会对成像造成极大的影响，从数据上来看就是实际关键尺寸出现较大误差，可以理解的，当格点依赖性小时，点位的偏移会对成像造成的影响也会小。
[0029]7、本专利技术中格点离散值用于对各个预设格点偏移位置的格点依赖性进行评估，辅助判断格点依赖性的计算结果是否偏离正常范围。
[0030]8、本专利技术通过将每一预设关键尺寸的相应关键数值进行相互对比来确认哪一预设关键尺寸受格点影响相较其他关键尺寸更加明显，在做模型进一步优化时，可以针对较容易受格点影响的关键尺寸的位置进行调整，可以极大地降低格点划分对该光刻模型的影响。
【附图说明】
[0031]为了更清楚地说本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，其特征在于，包括以下步骤：获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少分别获取到每个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值；根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估；根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整。2.如权利要求1所述的光刻模型优化方法，其特征在于，所述获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性，具体包括以下步骤：生成初始光学模型；获取初始光学模型的像素大小，根据像素大小计算出格点偏移范围；从初始光学模型中获取实际关键尺寸，根据实际关键尺寸计算预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性。3.如权利要求2所述的光刻模型优化方法，其特征在于：所述格点偏移范围的定义公式为pixel代表所述初始光学模型的像素大小，shift代表格点偏移范围。4.如权利要求1所述的光刻模型优化方法，其特征在于，所述根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到与各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值，具体包括以下步骤：通过计算和/或比对获取每个预设关键尺寸相应的最大偏移位置；通过计算和/或比对获取每个预设关键尺寸相应的最大格点依赖性。5.如权利要求4所述的光刻模型优化方法，其特征在于，所述根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到与各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关...

【专利技术属性】
技术研发人员：高世嘉，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：