一种光刻模型优化方法技术

本发明专利技术涉及光刻建模技术领域，特别涉及一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，包括以下步骤：获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值；根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估；根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整；此设计能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。能解决现有光刻模型格点依赖性太大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻模型优化方法


[0001]本专利技术涉及光刻建模
，特别涉及一种光刻模型优化方法。

技术介绍

[0002]在现代数字图像处理过程中，图像以栅格结构存储内容，栅格结构是指将一幅图划分为均匀分布的栅格，每个栅格称为像素，并显式地记录每一像素的光度值。图像由数字阵列信息组成，所有像素位置按规则方式排列。
[0003]在现代光刻工艺中，类似的栅格结构存储图像内容的方法被称之为格点划分法。结合数学理论，掩模可以被描述为具有不同透光率和相位的多边形。根据奈奎斯特采样定律，采样频率应是原始信号最大频率的两倍，不同的采样位置包含不同的信息，这些信息总是原始数据的片段，导致了格点依赖性，通过向上/向下采样过程来保证图像质量和格点依赖性，主像素大小主要由空间频率通带或经验公式确定，主要的掩模误差是圆角和偏压，这是物理上来自电子束接近效应/抗蚀过程等。
[0004]在通常情况下，会通过选择高分辨率的亚像素大小来减小格点量化误差，但随着集成电路制造工艺中各个工艺节点相关技术的不断推进，集成电路制造工艺特征尺寸在不断缩小，因此对降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，其特征在于，包括以下步骤：获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少分别获取到每个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值；根据与各个预设关键尺寸相对应的至少两种关键数值对预设关键尺寸的格点依赖性进行评估；根据评估结果对相应的预设关键尺寸进行调整。2.如权利要求1所述的光刻模型优化方法，其特征在于，所述获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性，具体包括以下步骤：生成初始光学模型；获取初始光学模型的像素大小，根据像素大小计算出格点偏移范围；从初始光学模型中获取实际关键尺寸，根据实际关键尺寸计算预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性。3.如权利要求2所述的光刻模型优化方法，其特征在于：所述格点偏移范围的定义公式为pixel代表所述初始光学模型的像素大小，shift代表格点偏移范围。4.如权利要求1所述的光刻模型优化方法，其特征在于，所述根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到与各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关键数值，具体包括以下步骤：通过计算和/或比对获取每个预设关键尺寸相应的最大偏移位置；通过计算和/或比对获取每个预设关键尺寸相应的最大格点依赖性。5.如权利要求4所述的光刻模型优化方法，其特征在于，所述根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性至少获取到与各个预设关键尺寸的最大偏移位置及最大格点依赖性两种关...

【专利技术属性】
技术研发人员：高世嘉，
申请(专利权)人：东方晶源微电子科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：