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本发明涉及光刻建模技术领域，特别涉及一种光刻模型优化方法，用于降低光刻模型中的格点依赖性影响，包括以下步骤：获取实际关键尺寸，根据获取的实际关键尺寸计算对应的预设关键尺寸在预设格点偏移位置上的格点依赖性；根据预设关键尺寸在预设格点偏移位置上...
该专利属于东方晶源微电子科技(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东方晶源微电子科技(北京)有限公司授权不得商用。

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