【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体装置领域。更具体说,本专利技术属于表面发射激光器和波长稳定边缘发射激光器领域。
技术介绍
半导体激光器在光纤传输及信号放大系统、波分复用传输系统、波分交换系统、和波长交叉连接系统中,以及在光测量领域中,都起着重要作用。半导体激光器的一个主要问题,是能带隙随温度变化,导致不希望的发射光波长对温度的依赖性,特别是对高输出功率的运行。解决波长稳定性的一种途径,包括使用分布反馈激光器。该种途径的一些例子,包括U.S.Patent No.3,760,292,标题为“INTEGRATEDFEEDBACK LASER”,1973年9月18日颁布,和U.S.Patent No.4,740,987,标题为“DISTRIBUTED-FEEDBACK LASER HAVINGENHANCED MODE SELECTIVITY”,1988年4月26日颁布。对边缘发射半导体激光器,分布反馈一般通过半导体内折射率的横向调制实现,或通过光纤的形状调制实现。分布反馈增强激光器辐射光学模的选择性。发射光波长的固定是通过装置的设计,于是,装置的温度依赖性归结为折射率的温度变化 ...
【技术保护点】
一种半导体激光器,包括:a)底部反射器;b)顶部反射器;和c)位于底部反射器及顶部反射器之间的空腔,该空腔包括位于空腔内的有源区,其中该空腔及有源区的设计,能使空腔内光的传播方向,既倾斜于横向平面法线,也相对于该横向 平面本身倾斜。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:尼克莱N登特索韦,维特利A舒金,
申请(专利权)人:尼克莱N登特索韦,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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