刺激响应聚合物膜和制剂制造技术

用于在半导体衬底上形成刺激响应聚合物(SRP)的制剂包含有机弱酸。用于保护敏感性衬底的方法包含在敏感性衬底上形成SRP层以及在该SRP层上形成一或更多盖层。该SRP层上形成一或更多盖层。该SRP层上形成一或更多盖层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】刺激响应聚合物膜和制剂
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]在半导体制造期间，许多表面对周围环境中的空气悬浮分子污染物(AMC)敏感。等候时间(queue time)可能导致暴露于AMC以及不期望的相互作用(例如氧化、腐蚀和卤化)。解决方案包括在氮气(N2)填充的贮存卡匣或室中贮存部分制造的半导体衬底，以及使用支持多个处理且没有破坏衬底上的真空的集成式工具。这些解决方案实施起来困难且昂贵，并造成安全性与可靠性的顾虑。
[0003]此外随着半导体设备持续缩小至较小的尺寸，使用较高的深宽比结构以获得所期望的设备性能。半导体设备的制造涉及多个重复的处理，例如材料沉积、平坦化、特征图案化、特征蚀刻和特征清洁。朝向较高的深宽比结构的驱动力对许多这些传统制造步骤带来了处理挑战。由于在干燥期间产生的毛细作用力，湿式处理(例如蚀刻与清洁，其可占整个处理流程的25％以上)对高深宽比(HAR)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包含：在衬底的敏感性表面上形成SRP层，其中，所述SRP层为包含刺激响应聚合物(SRP)的层，所述SRP的特征为上限温度(T
c
)，在所述上限温度下，所述SRP与其单体达到热平衡，所述T
c
介于
‑
80℃与400℃之间；以及在所述SRP层上形成一或更多盖层。2.根据权利要求1所述的方法，其还包含将包含所述SRP层与一或更多盖层的所述衬底暴露于环境条件持续预定时间段。3.根据权利要求2所述的方法，其还包含移除所述一或更多盖层以及所述SRP层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在完成所述SRP层的移除前，移除所述一或更多盖层。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的方法，其中，形成所述一或更多盖层包含：将衬底温度维持不大于所述SRP的所述上限温度。6.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的方法，其中，所述一或更多盖层为无机层。7.根据权利要求1
‑
6中任一项所述的方法，其中，所述一或更多盖层包含以下一或多者：SiO
x
、SnO
x
、AlO
x
、TiO
x
、ZrO
x
、HfO
x
和ZnO
x
，以及氮化物膜，例如SiNx，其中x为大于0的数字。8.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的方法，其中，所述一或更多盖层包含一或更多聚合物层。9.根据权利要求2
‑
8中任一项所述的方法，其中，通过剥离来移除所述一或更多盖层。10.根据权利要求2
‑
8中任一项所述的方法，其中，通过暴露于溶剂或等离子体来移除所述一或更多盖层。11.根据权利要求10所述的方法，其中，当所述SRP层正在覆盖所述敏感性表面时，移除所述溶剂或熄灭所述等离子体。12.根据权利要求2
‑
8所述的方法，其中，移除所述一或更多盖层包含：使所述SRP解聚，并且将所述一或更多盖层从所述衬底剥离。13.根据权利要求1
‑
12中任一项所述的方法，其中，所述SRP包含作为均聚合物或共聚合物的组成聚合物的聚(苯二醛)、聚(醛)、聚(氨基甲酸苄酯)、聚(苄基醚)、聚(α
‑
甲基苯乙烯)、聚(碳酸酯)、聚(降冰片烯)、聚(烯烃砜)、聚(乙醛酸酯)、聚(酯)、或聚(甲基丙烯酸甲酯)、以及其衍生物。14.根据权利要求1
‑
5或8
‑
13中任一项所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：格雷戈里，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：