存储器设备制造技术

本技术包括一种存储器设备。存储器设备包括：堆叠结构，该堆叠结构包括字线和选择线；垂直孔，该垂直孔垂直地穿透堆叠结构；以及存储器层、沟道层和插塞，存储器层、沟道层和插塞沿着垂直孔的内侧表面顺序地形成。插塞包括具有固定的负电荷的材料层。固定的负电荷的材料层。固定的负电荷的材料层。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年10月16日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2020
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0134633的优先权，该申请的全部公开内容以引用的方式并入本文中。


[0003]本公开总体上涉及一种存储器设备，且更具体地，涉及一种三维存储器设备。

技术介绍

[0004]存储器设备可以存储数据或输出所存储的数据。例如，存储器设备可以被配置为在功率供应中断时丢失所存储的数据的易失性存储器设备，或可以被配置为即使在功率供应中断时仍保留所存储的数据的非易失性存储器设备。存储器设备可以包括：在其中存储有数据的存储器单元阵列；能够执行编程、读取或擦除操作的外围电路；以及能够控制外围电路的逻辑电路。
[0005]存储器单元阵列可以包括多个存储器块，该多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。存储器单元可以在位线与源极线之间彼此串联连接以构成串。被包括在不同串中并且连接至相同字线的存储器单元可以构成页。可以以页为单位执行编程操作和读取操作，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：堆叠结构，包括字线和选择线；垂直孔，垂直地穿透所述堆叠结构；以及存储器层、沟道层和插塞，沿着所述垂直孔的内侧表面顺序地形成，其中所述插塞包括具有固定的负电荷的材料层。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述材料层包括Al2O3层。3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述插塞包括：第一绝缘层；所述材料层，形成于所述第一绝缘层上；以及封盖图案，形成于所述材料层上。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述第一绝缘层包括氧化物层，以及所述封盖图案包括掺杂硅。5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述材料层形成于所述插塞中的与所述选择线相邻的位置处。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述材料层的底表面位于所述选择线的底表面与顶表面之间。7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述材料层的顶表面位于比所述选择线的顶表面高的区域中。8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述插塞包括第一绝缘层、所述材料层和第二绝缘层，以及其中所述材料层被设置于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述材料层的底表面位于所述选择线的底表面与顶表面之间。10.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述材料层的顶表面位于比所述选择线的顶表面所处的高度高的高度处。11.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述插塞包括第一绝缘层和所述材料层，以及其中所述材料层的顶表面的位置等于所述插塞的顶...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹大焕，崔吉福，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：