具有光学谐振层的发光装置制造方法及图纸

提供了一种发光装置，该发光装置具有简单的结构并且能够以简单的过程来制造，其具有增强的光耦合效率和亮度，并且能够减小光学谐振对发射光谱和视角带来的负面影响。该发光装置包括基底；形成在该基底上的发光二极管；和形成在该发光二极管外的光学谐振层，其诱导从发光二极管发出的光谐振。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置，更具体地涉及一种具有可增加光耦合效率的光学谐振层的发光装置。
技术介绍
可将发光装置，尤其平板显示器例如液晶显示器(LCD)和电致发光(EL)装置的发光效率分为内效率和外效率。内效率取决于有机发光材料的光电转换效率。外效率，也称作光耦合效率，取决于组成有机发光二极管(OLED)的各层的折射率。由于OLED具有比其它显示器，例如阴极射线管(CRT)或等离子显示板(PDP)更低的光耦合效率，因此必须改进它们的显示特性，例如亮度，寿命等等。为什么OLED具有比其它显示器低的光耦合效率的主要原因是，当光从OLED的有机层中以比临界角大的角度射出时，在如ITO电极层的高折射率层和如基板的低折射率层之间的界面处发生全内反射，由此阻挡了光从OLED射出来。这样，由于界面处的全内反射，使得来自有机发光层的光大约只有1/4可以出射到OLED外。日本的待审专利公开号No.(昭)63-172691描述了一种用于防止光耦合效率减少的OLED。该OLED包含能够收集光的衬底，例如投影透镜。然而，由于像素对于有机层的发射来说相当小，因此这样的投影透镜不容易形成在衬底上。日本待审专利公开号No.(昭和)62-172691描述了一种OLED，其中第一电介质层位于透明电极层和发光层之间，第二电介质层形成于该透明电极层上，该第二电介质层具有对应于第一电介质层的折射率和透明电极层的折射率的大约平均值的折射率。日本待审专利公开号No.(平)1-220394描述了一种OLED，该OLED的底部电极，绝缘层，发光层和顶部电极都形成在衬底上，且用于反射光的反射镜形成于发光层的侧壁上。然而，由于该发光层非常薄，因此很难在侧壁上安装该反射镜并因此安装该反射镜增加了生产的成本。为了克服这些问题，日本待审专利公开号No.(平)11-283751描述了一种具有一种有机层或者多种有机层的有机发光装置，所述一种有机层或者多种有机层位于阳极和阴极之间并具有衍射栅格和作为结构元件的波带片。由于通过在彼此具有不同折射率的层之间的界面附近形成衍射栅格来获得散射光，所以从有机层发出的光能够被提取。但是，衍射栅格层的制造过程复杂而且由于该衍射栅格层的表面是曲面，因此很难对该衍射层上所形成的薄层构图，且还需要为填充表面的弯曲部分进行个别的平面化处理。日本待审专利公开号(平)8-250786，8-213174和10-177896描述了使用光学微腔概念的OLED。该OLED具有位于玻璃衬底和ITO电极之间的多层半透明反射镜且该半透镜反射镜与用作反射层的金属阴极连接在一起，以起到光学共振器的作用。该半透明反射镜由具有高折射率的TiO2层和具有低折射率的SiO2层依次构成的多层形成。反射率可以通过改变该多层中层的数量来控制并由此产生了光学空腔。当构成该半透明反射镜的层数增加时，反射性能得以改善。然而，为了控制具有特殊波长的光的反射率，必须精确选择所要设置的层的数量和厚度。由此，使得OLED的生产过程复杂化。OLED具有高亮度和高色纯度，但是视角小且频谱窄。在彩色显示器中，层的厚度以及腔的深度等必须根据红、绿、蓝色而变化。因此，使得制造过程复杂而且成本高。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置，该装置具有简单的结构并且能够以简单的过程来制造，其具有增强的光耦合效率和亮度，并且能够降低光学谐振对视角和发射光谱的负面影响。下面将详细地描述本专利技术的其它特征，且部分特征将从描述中显而易见或者通过实践本专利技术而了解。本专利技术公开了一种发光装置，包含基底，设置在该基底上的发光二极管，与发光二极管分离并诱导发射自发光二极管的光谐振的光学谐振层，以及设置在光学谐振层和发光二极管之间的中间层。本专利技术还公开了一种发光装置，包括基底，设置在该基底上的发光二极管，设置在该发光二极管和基底之间并诱导发射自发光二极管的光谐振的光学谐振层，以及设置在光学谐振层和发光二极管之间的中间层。本专利技术还公开了一种发光装置，包括基底，设置在该基底上的发光二极管，设置在该发光二极管上并诱导发射自发光二极管的光谐振的光学谐振层，以及设置在光学谐振层和发光二极管之间的中间层。应该理解的是，前面的大体描述和下面的详细描述都是示范性和解释性的，且意在对本专利技术所要求保护的内容提供进一步地解释。附图说明所包含的附图用以对本专利技术提供进一步理解，并结合于此组成本说明书的一部分来解释本专利技术的实施例，并结合说明书来解释本专利技术的基本原理。图1示出了根据本专利技术一个实施例的底部发光型有机发光装置的示意性横截面图；图2示出了根据本专利技术另一实施例的底部发光型有机发光装置的示意性横截面图；图3示出了根据本专利技术又一实施例的顶部发光型有机发光装置的示意性横截面图；图4示出了根据本专利技术再一实施例的顶部发光型有机发光装置的示意性横截面图；图5示出了图1中所示有机发光装置，其中有机谐振层对于每个红色、绿色、蓝色的像素具有不同的厚度；图6示出了图2中所示有机发光装置，其中有机谐振层对于每个红色、绿色、蓝色的像素具有不同的厚度；图7示出了根据本专利技术又一实施例的底部发光型无源矩阵(PM)有机发光装置的横截面示意图； 图8示出了根据本专利技术又一实施例的底部发光型无源矩阵(PM)有机发光装置的横截面示意图；图9示出了根据本专利技术又一实施例的底部发光型有源矩阵(AM)有机发光装置的横截面示意图；图10示出了根据本专利技术又一实施例的底部发光型有源矩阵(AM)有机发光装置的横截面示意图；图11示出了根据本专利技术又一实施例的顶部发光型有源矩阵(AM)有机发光装置的横截面示意图；图12示出了第一层厚相对于从实例1中所获得的有机发光装置的效率增长率的图表；图13示出了第二层厚度相对于从实例2中所获得的有机发光装置的效率增长率的图表；以及图14示出了第二层厚度相对于从实例3中所获得的有机发光装置的效率增长率的图表。具体实施例方式下面将参照附图更全面的描述本专利技术，其中示出了本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以体现为多种形式且不应局限为这里所列出的实施例。当然，提供这些实施例是为了使所公开的内容更全面，并更完全地将本专利技术的范围传达给本领域的技术人员。在这些附图中，为了清晰，各个层和区域的尺寸和相对尺寸被放大了。应该理解的是，当称一种元件例如层，薄膜，区域或基底位于另一个元件“上”时，该元件可以直接位于另一个元件上或者其间还存在插入元件。相反，当称一种元件“直接位于”另一元件“上”时，其间就不存在插入元件。图1示出根据本专利技术一个实施例的有机发光装置的横截面示意图。参照图1，该有机发光装置包括由透明材料构成的基底1，形成在该基底1上的光学谐振层2，形成在该光学谐振层2上的中间层3，形成在中间层3上的发光二极管4。密封发光二极管4以防止该发光二极管4受到外界影响的密封部件(没有示出)，例如玻璃，薄层，或者金属盖还可以形成在发光二极管4上。以下，在本专利技术随后的实施例中，将解释有机发光装置的示意性结构，其中省略了密封部件。基底1由包括SiO2作为主要成分的透明玻璃制成。该有机发光装置还可以包括透明基底1上的缓冲层(没有示出)以使得该基底1表面平滑且防止杂质元素的渗入。该缓冲层由SiO2和/或SiNx等制成。基底1可以由透明塑料制成，但是并不限制于上述提到的材料。发光二极管4包括第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：　　　　基底；　　　　设置在该基底上的发光二极管；　　　　与该发光二极管分离开的光学谐振层，其诱导发射自该发光二极管的光谐振；和　　　　设置在该光学谐振层和该发光二极管之间的中间层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金润昶，宋英宇，曹尚焕，安智薰，李濬九，李昭玲，吴宗锡，河载兴，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]