使用FIB制备截面样品的方法和截面样品的观察方法技术

本申请涉及一种使用FIB束制备截面样品的方法和截面样品的观察方法。该使用FIB束制备截面样品的方法包括：提供半导体结构，在半导体结构的表面选择目标区域；在目标区域上形成保护层；在目标区域周围选择第一区域，第一区域包括除所述目标区域之外的部分区域或全部区域；沿第一方向减薄第一区域对应的第一半导体结构，使第一半导体结构与目标区域对应的第二半导体结构沿第一方向具有一高度差；减薄目标区域对应的第二半导体结构，使第二半导体结构沿第二方向具有一目标厚度，其中，第二方向垂直于第一方向。该方法可以缩短使用FIB制备截面样品的时间，同时获得完整且方便观察的截面样品，提高对样品观察的准确性。提高对样品观察的准确性。提高对样品观察的准确性。

【技术实现步骤摘要】
使用FIB制备截面样品的方法和截面样品的观察方法


[0001]本申请主要涉及材料微观观察用样品的制备，具体地涉及一种使用FIB制备截面样品的方法和截面样品的观察方法。

技术介绍

[0002]在现代半导体制造业中，经常需要对薄片样品进行观察或测试。聚焦离子束(Focused ion beam，FIB)已经被广泛应用于透射薄片样品的制备。传统的样品制备方法包括手工研磨
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凹坑
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离子减薄法、FIBH
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bar样品制备方法等。近年来，FIB去除(liftout)方法已经被证明在对于微小感兴趣区域的准确定位和减小样品损伤方面都具有无法比拟的优势。

技术实现思路

[0003]本申请要解决的技术问题是提供一种使用FIB制备截面样品的方法以及截面样品的观察方法，该方法可以缩短使用FIB制备截面样品的时间，同时获得完整且方便观察的截面样品，提高对截面样品观察的准确性。
[0004]本申请为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种使用聚焦离子束制备截面样品的方法，其特征在于，包括：提供半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用FIB制备截面样品的方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构的表面选择目标区域；在所述目标区域上形成保护层；在所述半导体结构的表面选择第一区域，所述第一区域包括除所述目标区域之外的部分区域或全部区域；沿第一方向减薄所述第一区域对应的第一半导体结构，使所述第一半导体结构与所述目标区域对应的第二半导体结构沿所述第一方向具有一高度差；以及沿第二方向减薄所述目标区域对应的第二半导体结构，使所述第二半导体结构沿所述第二方向具有一目标厚度，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护层和第二保护层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一保护层包括氧化物层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二保护层包括金属。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一保护层形成在所述第二保护层之前。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述第一保护层的方法包括使用电子束和/或离子束...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜有东，刘婧，饶少凯，冯路，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：