本公开的实施例提供一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法。所述去除研磨残留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于导电层；对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。通过本公开的实施例提供的方法，可以去除研磨残留杂质，保护对准标记的形成，使后续光刻过程的对准精确，不影响半导体的后续制程。不影响半导体的后续制程。不影响半导体的后续制程。
【技术实现步骤摘要】
一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法
[0001]本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除研磨残留物的方法以及对准标记的形成方法。
技术介绍
[0002]在半导体工艺中，经常需要对形成的膜层进行研磨，比如采用CMP工艺进行研磨，但是研磨后的残留物难以去除。
[0003]具体地，在对准标记的形成中，由于形成的沟槽较深，而研磨过程中会形成很多残留杂质，形成缺陷。并且研磨残留杂质会进入对准标记沟槽，常规的研磨后清洗通常不能完全洗净杂质，将会影响后续光刻的对准。
技术实现思路
[0004]本公开的实施例提供一种去除研磨残留物的方法，去除研磨残留杂质，保护对准标记的形成，使后续光刻过程的对准准确，不影响半导体的后续制程。
[0005]本公开的实施例所述的一种去除研磨残留物的方法，包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于所述导电层厚度；对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。
[0006]在一些实施例中，所述导电层为金属，所述反应层由氧化物或者氮化物组成。
[0007]在一些实施例中，所述导电层为钨，所述反应层由氧化物组成，所述氧化物厚度为
[0008]在一些实施例中，所述氧化物包括氧化硅。
[0009]在一些实施例中，所述导电层为钨，所述反应层由氮化物组成，所述氮化物厚度为
[0010]在一些实施例中，所述氮化物包括氮化硅。
[0011]在一些实施例中，所述去除研磨残留物的方法，还包括：在形成所述导电层之前，在所述介质层表面形成黏附层，所述黏附层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁。
[0012]在一些实施例中，所述对所述介质层和所述沟槽进行清洗包括：第一清洗，以便去除研磨残留物以及全部反应层；以及第二清洗，以便去除第一清洗的残留。
[0013]在一些实施例中，所述反应层由氧化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为0.9％～1.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为25s～35s。
[0014]在一些实施例中，所述反应层由氮化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为8.9％～9.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为8s～10s。
[0015]在一些实施例中，所述第二清洗通过超声波和去离子水对所述介质层和所述沟槽进行冲洗，所述第二清洗使用的超声设备的主机转速为1200rpm～1500rpm，所述第二清洗时间为90s～110s。
[0016]本公开的实施例还提供一种对准标记的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述第一金属层表面形成反应层，所述反应层厚度小于所述第一金属层厚度；对所述第一金属层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层，暴露出所述沟槽的底部和内侧壁的第一金属层；在所述沟槽底部和内侧壁的第一金属层上形成第二金属层。
[0017]在一些实施例中，所述反应层由氧化物或者氮化物组成。
[0018]在一些实施例中，所述反应层由氧化物组成，所述氧化物厚度为
[0019]在一些实施例中，所述第一金属层由钨组成，所述氧化物包括氧化硅。
[0020]在一些实施例中，所述反应层由氮化物组成，所述氮化物厚度为
[0021]在一些实施例中，所述第一金属层由钨组成，所述氮化物包括氮化硅。
[0022]在一些实施例中，所述对准标记的形成方法，还包括：在形成所述第一金属层之前，在所述介质层表面形成黏附层，所述黏附层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁。
[0023]在一些实施例中，所述对所述介质层和所述沟槽进行清洗，包括：第一清洗，以便去除研磨残留物以及全部反应层；以及第二清洗，以便去除第一清洗的残留。
[0024]在一些实施例中，所述反应层由氧化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为0.9％～1.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为25s～35s。
[0025]在一些实施例中，所述反应层由氮化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为8.9％～9.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为8s～10s。
[0026]在一些实施例中，所述第二清洗通过超声波和去离子水对所述介质层和所述沟槽进行冲洗，所述第二清洗使用的超声设备的主机转速为1200rpm～1500rpm，所述第二清洗时间为90s～110s。
[0027]与现有技术相比，本公开的实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0028]本公开的实施例提供的去除研磨残留物的方法，通过形成反应层，在后续清洗过程，使得去除研磨残留杂质更为容易，使得沟槽内基本无残留杂质，不影响后续形成过程。
[0029]本公开的实施例提供的对准标记的形成方法，通过形成反应层，在后续清洗过程，使得去除研磨残留杂质更为容易，保证了对准标记基本无缺陷，使后续半导体制程可以顺利进行。
附图说明
[0030]本公开的其它特征以及优点将通过以下结合附图详细描述的可选实施方式更好地理解，附图中相同的标记表示相同或相似的部件，其中：
[0031]图1示出了本公开的一个实施例的去除研磨残留物方法的流程示意图；
[0032]图2
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6示出了本公开的一个实施例去除研磨残留物过程的中间结构示意图；
[0033]图7示出了本公开的一个实施例的形成对准标记方法的流程示意图；
[0034]图8示出了本公开的实施例中对准标记的结构示意图。
具体实施方式
[0035]下面详细描述本公开的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。在附图中，相同或相似的标号表示相同或相似的元件或具有相同或相似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本公开，而不能理解为对本公开的限制。
[0036]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。在本公开的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种去除研磨残留物的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应层，所述反应层厚度小于所述导电层厚度；对所述导电层和所述反应层进行研磨，以便暴露出沟槽区域之外的介质层；对所述介质层和所述沟槽进行清洗，以便去除研磨残留杂质和所述反应层。2.根据权利要求1所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述导电层为金属，所述反应层由氧化物或者氮化物组成。3.根据权利要求2所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述导电层为钨，所述反应层由氧化物组成，所述氧化物厚度为4.根据权利要求3所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述氧化物包括氧化硅。5.根据权利要求2所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述导电层为钨，所述反应层由氮化物组成，所述氮化物厚度为6.根据权利要求5所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述氮化物包括氮化硅。7.根据权利要求1所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，还包括：在形成所述导电层之前，在所述介质层表面形成黏附层，所述黏附层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁。8.根据权利要求1
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7任一项所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述对所述介质层和所述沟槽进行清洗包括：第一清洗，以便去除研磨残留物以及全部反应层；以及第二清洗，以便去除第一清洗的残留。9.根据权利要求8所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述反应层由氧化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为0.9％～1.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为25s～35s。10.根据权利要求8所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述反应层由氮化物组成，所述第一清洗使用的溶液包括稀氢氟酸溶液，所述稀氢氟酸溶液的浓度为8.9％～9.1％，所述稀氢氟酸溶液温度为25℃～30℃，所述第一清洗时间为8s～10s。11.根据权利要求8所述的去除研磨残留物的方法，其特征在于，所述第二清洗通过超声波和去离子水对所述介质层和所述沟槽进行冲洗，所述第二清洗使用的超声设备的主机转速为1200rpm～1500rpm，所述第二清洗时间为90s～110s。12.一种对准标记的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成介质层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超逸，吴建荣，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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