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本公开的实施例提供一种去除研磨残留物的方法及对准标记的形成方法。所述去除研磨残留物的方法包括：提供基底，所述基底表面形成介质层，所述介质层中形成沟槽；在所述介质层表面形成导电层，所述导电层覆盖所述沟槽的底部和内侧壁；在所述导电层表面形成反应...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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