一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法技术

本发明专利技术提供一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，在晶圆的正面贴附UV膜；对晶圆的背面进行预减薄；对晶圆的背面进行TAIKO减薄，减薄后的晶圆背面中间内凹，边缘部分形成支撑环；对晶圆的正面进行UV膜剥离；对晶圆背面中间内凹部分进行湿法刻蚀，并且正面进行保护；对晶圆背面蒸镀金属，形成金属层；对晶圆的正面进行切割膜贴附；对晶圆进行环切，去除晶圆背面的所述支撑环。本发明专利技术提出一种用于改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲问题的工艺方法，通过减少剥膜前的物理研磨厚度，降低剥膜前的晶圆翘曲程度，从而改善剥膜前因晶圆翘曲导致的真空吸附异常而无法加工的问题。在剥膜后，再通过湿法药液化学刻蚀，使晶圆减薄到目标厚度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法。

技术介绍

[0002]TAIKO减薄工艺是由日本DISCO公司开发的一种超薄减薄工艺，TAIKO减薄工艺并不是对晶圆即硅片的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘部分的宽度约为2～5mm并不进行减薄，边缘部分形成支撑环。
[0003]一般当硅片薄到一定程度，面积较大时，其机械强度大大下降，以8英寸硅片为例，当硅片厚度<200微米时，硅片会发生卷曲，因此无法进行搬送、转移和加工。而采用TAIKO减薄工艺之后，仅硅片的中间部分减薄，利用硅片的中间部分形成集成电路器件；利用较厚的支撑环来保持整个硅片的机械强度，防止硅片发生卷曲。有利于后续硅片的搬送、转移和加工。
[0004]但在垂直结构器件的晶圆上，例如中高压MOSFET，随着沟槽深度加深会进一步增加硅片应力造成的晶圆翘曲，氧化厚度、热处理增加、钝化层淀积应力等因素造成的晶圆翘曲也会随着工作电压的增加而加重。另一方面，为了追求更低的导通电阻等器件性能，TAIKO厚度的降低也会加剧晶圆翘曲。
[0005]这些问题都使得TAIKO工艺即使存在周边的支撑环，在背面加工工艺中仍然出现因为晶圆翘曲而产生搬送、转移和加工等问题，如碎片或真空无法吸附。特别是在TAIKO减薄后的剥膜步骤，受晶圆翘曲问题会导致真空无法吸附固定，进而无法加工。

技术实现思路

[0006]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，用于解决现有技术中TAIKO减薄后受晶圆翘曲问题会导致真空无法吸附固定的问题。
[0007]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，至少包括：
[0008]步骤一、提供晶圆，在所述晶圆的正面贴附UV膜；
[0009]步骤二、对所述晶圆的背面进行预减薄；
[0010]步骤三、对所述晶圆的背面进行TAIKO减薄，减薄后的晶圆背面中间内凹，边缘部分形成支撑环；
[0011]步骤四、对所述晶圆的正面进行UV膜剥离；
[0012]步骤五、对所述晶圆背面中间内凹部分进行湿法刻蚀，并且正面进行保护；
[0013]步骤六、对所述晶圆背面蒸镀金属，形成金属层；
[0014]步骤七、对所述晶圆的正面进行切割膜贴附；
[0015]步骤八、对所述晶圆进行环切，去除所述晶圆背面的所述支撑环。
[0016]优选地，步骤一中的所述晶圆的厚度为700～750μm。
[0017]优选地，步骤二中对所述晶圆的背面进行预减薄后，晶圆的剩余厚度为660μm。
[0018]优选地，步骤三中支撑环的高度为600μm。
[0019]优选地，步骤五中的湿法刻蚀液为HNO3和HF。
[0020]优选地，步骤五中对所述晶圆背面中间内凹部分的湿法刻蚀厚度为50μm。
[0021]优选地，步骤五中对所述晶圆背面中间内凹部分的湿法刻蚀厚度为5～20μm。
[0022]如上所述，本专利技术的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，具有以下有益效果：本专利技术提出一种用于改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲问题的工艺方法，通过减少剥膜前的物理研磨厚度，降低剥膜前的晶圆翘曲程度，从而改善剥膜前因晶圆翘曲导致的真空吸附异常而无法加工的问题。在剥膜后，再通过湿法药液化学刻蚀，使晶圆减薄到目标厚度。
附图说明
[0023]图1显示为本专利技术中在晶圆的正面贴附UV膜厚的结构示意图；
[0024]图2显示为本专利技术中晶圆的背面被预减薄后的结构示意图；
[0025]图3显示为本专利技术中对晶圆的背面进行TAIKO减薄后的结构示意图；
[0026]图4显示为本专利技术中的晶圆正面进行UV剥离后的结构示意图；
[0027]图5显示为本专利技术中对晶圆背面中间内凹部分进行湿法刻蚀后的结构示意图；
[0028]图6显示为本专利技术中对晶圆背面进行蒸镀金属后的结构示意图；
[0029]图7显示为本专利技术中对晶圆正面进行切割膜贴附后的结构示意图；
[0030]图8显示为本专利技术中对晶圆进行环切后的结构示意图；
[0031]图9显示为本专利技术中的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法流程图。
具体实施方式
[0032]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0033]请参阅图1至图9。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0034]本专利技术提供一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，如图9所示，图9显示为本专利技术中的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法流程图，该方法至少包括以下步骤：
[0035]步骤一、提供晶圆，在所述晶圆的正面贴附UV膜；如图1所示，图1显示为本专利技术中在晶圆的正面贴附UV膜厚的结构示意图。该步骤一提供所述晶圆01，在所述晶圆01的正面贴附所述UV膜02。所述UV膜02用于保护晶圆正面以防后续TAIKO减薄过程中正面被损伤。
[0036]本专利技术进一步地，本实施例的步骤一中的所述晶圆的厚度为700～750μm。也就是说本专利技术中步骤一中晶圆被减薄前，晶圆的厚度为700～750μm。
[0037]步骤二、对所述晶圆的背面进行预减薄；如图2所示，图2显示为本专利技术中晶圆的背
面被预减薄后的结构示意图。该步骤二中对所述晶圆的背面进行预减薄，预减薄后的晶圆03的厚度需满足后续进行TAIKO减薄和湿法减薄的要求。
[0038]本专利技术进一步地，本实施例的步骤二中对所述晶圆的背面进行预减薄，预减薄后的晶圆03的剩余厚度为660μm。
[0039]步骤三、对所述晶圆的背面进行TAIKO减薄，减薄后的晶圆背面中间内凹，边缘部分形成支撑环；如图3所示，图3显示为本专利技术中对晶圆的背面进行TAIKO减薄后的结构示意图。该步骤三中对所述晶圆背面进行TAIKO减薄，TAIKO减薄后的晶圆背面中间内凹的晶圆背面05，边缘部分形成支撑环04。
[0040]本专利技术进一步地，本实施例的步骤三中所述支撑环04的高度为600μm。
[0041]步骤四、对所述晶圆的正面进行UV膜剥离；如图4所示，图4显示为本专利技术中的晶圆正面进行UV剥离后的结构示意图。该步骤四中形成剥离UV膜后的晶圆06。
[0042]步骤五、对所述晶圆背面中间内凹部分进行湿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供晶圆，在所述晶圆的正面贴附UV膜；步骤二、对所述晶圆的背面进行预减薄；步骤三、对所述晶圆的背面进行TAIKO减薄，减薄后的晶圆背面中间内凹，边缘部分形成支撑环；步骤四、对所述晶圆的正面进行UV膜剥离；步骤五、对所述晶圆背面中间内凹部分进行湿法刻蚀，并且正面进行保护；步骤六、对所述晶圆背面蒸镀金属，形成金属层；步骤七、对所述晶圆的正面进行切割膜贴附；步骤八、对所述晶圆进行环切，去除所述晶圆背面的所述支撑环。2.根据权利要求1所述的改善TAIKO减薄剥膜前晶圆翘曲的方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆的厚度为700～750μm。3.根据权利要求1或2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾昊元，蔡晨，李亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：