半导体改善型变的方法技术

本发明专利技术涉及微电子技术领域，公开了一种半导体改善型变的方法，包括：在半导体的正面涂覆一层光刻胶，并对涂胶后的半导体进行烘烤；使用切割刀片从半导体的背面进行开槽加工；其中，开槽的位置处于每两个元器件单元之间的切割道区域，开槽的宽度小于或等于所述切割道区域的宽度；去除开槽后的半导体上的光刻胶。采用本发明专利技术实施例，能够对半导体进行开槽处理，从而使得作用在半导体整体的内应力能被充分释放，取得较好的改善型变效果。取得较好的改善型变效果。取得较好的改善型变效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体改善型变的方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种半导体改善型变的方法。

技术介绍

[0002]半导体在加工过程中，存在着半导体的型变，这主要是在加工过程中受应力影响造成的。当前，减少半导体内应力的办法主要是研磨和热处理，然而这两种方法的内应力消除效果不是很理想，应力仍然存在，因此改善型变的效果不是很理想。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体改善型变的方法，能够对半导体进行开槽处理，从而使得作用在半导体整体的内应力能被充分释放，取得较好的改善型变效果。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体改善型变的方法，包括：
[0005]在半导体的正面涂覆一层光刻胶，并对涂胶后的半导体进行烘烤；
[0006]使用切割刀片从半导体的背面进行开槽加工；其中，开槽的位置处于每两个元器件单元之间的切割道区域，开槽的宽度小于或等于所述切割道区域的宽度；
[0007]去除开槽后的半导体上的光刻胶。
[0008]作为上述方案的改进，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体改善型变的方法，其特征在于，包括：在半导体的正面涂覆一层光刻胶，并对涂胶后的半导体进行烘烤；使用切割刀片从半导体的背面进行开槽加工；其中，开槽的位置处于每两个元器件单元之间的切割道区域，开槽的宽度小于或等于所述切割道区域的宽度；去除开槽后的半导体上的光刻胶。2.如权利要求1所述的半导体改善型变的方法，其特征在于，所述光刻胶的粘度为25℃下425-475mPa
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s。3.如权利要求2所述的半导体改善型变的方法，其特征在于，涂覆的厚度为45um。4.如权利要求1所述的半导体改善型变的方法，其特征在于，烘烤的温度为110-120℃，烘烤的时间为15分钟。5.如权利要求1所述的半导体改善型变的方法，其特征在于，开槽的深度为0.4-0.6mm。6.如权利要求1所述的半导体改善型变...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭忠华，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：