【技术实现步骤摘要】
一种连续高效制备一氟甲烷的方法及其装置
[0001]本专利技术涉及一氟甲烷的制备方法。
技术介绍
[0002]电子气体是发展集成电路、光电子、微电子，特别是超大规模集成电路、液晶显示器件、半导体发光器件和半导体材料制造过程中不可缺少的基础性支撑源材料，它被称为电子工业的“血液”和“粮食”。一氟甲烷是一种绿色、高效的电子特气，用于半导体及电子产品的刻蚀，对硅化物薄膜的刻蚀选择性好，在射频场下一氟甲烷会溶解氟离子，进行反应性离子蚀刻。一氟甲烷拥有主流蚀刻气体中最低的C/F比(1∶1)，选择性极高，由于先进制程发展的需要，未来五年复合增长率可达15％以上。
[0003]目前，一氟甲烷的制备方法主要有以下几种：
[0004](1)气相加氢脱氯法：以一氟二氯甲烷或一氟一氯甲烷为原料，在催化剂的作用下与氢气发生加氢脱氯反应(CN104016829A)。
[0005][0006]该工艺的缺陷是催化剂比较昂贵、选择性低，一氟甲烷的时空收率较低，而且随着国际社会对臭氧层消耗物质及温室效应气体的禁止，其原料HCFC
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种连续高效制备一氟甲烷的方法，将碳酸二甲酯蒸发为气相，将气相通入到装填有负载着碱金属氟化盐的触媒床层的反应器中进行反应，反应温度90～200℃，反应压力0.1～2.0MPa，碳酸二甲酯蒸汽流在床层内的停留时间为1.0～180s，反应后的流出气体进行碱洗后得一氟甲烷。2.根据权利要求1所述的方法，其特征是包括以下步骤：将碳酸二甲酯连续引入蒸发器内完全汽化，汽化碳酸二甲酯进入反应器床层，反应器床层内装填有负载型碱金属氟化盐触媒，床层温度为95～160℃；压力为0.1～1.0MPa；碳酸二甲酯蒸汽流在床层内的停留时间为5～60s；将反应混合气碱洗得一氟甲烷。3.根据权利要求1所述的方法，其特征是一氟甲烷经进一步吸附精馏系统分离提纯后得电子级一氟甲烷产品。4.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述负载型碱金属氟化盐触媒是指碱金属氟化盐负载在载体制得的触媒，所述的碱金属氟化盐为氟化钾、氟化铯、氟化钠中的一种或多种；所述的载体为氟化钙、氟化铝、氟化镁中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的方法，其特征是所述的碱金属氟化盐为氟化钾；所述的载体氟化钙，载体比表面积在10m2/g以上。6.根据权利要求1所述的方法，其特征是所述负载型碱金属氟化盐触媒通过以下方法制备：将碱金属氟化盐负载到载体上后经真空干燥、烘焙制成，碱金属氟化盐与载体的摩尔比为1...
【专利技术属性】
技术研发人员：何红振，宋新巍，张金彪，许福胜，于潇然，
申请(专利权)人：昊华气体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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