一种新型高维持电压SCR结构制造技术

本发明专利技术公开了一种新型高维持电压SCR结构，包括P型衬底，所述P型衬底顶部设有一组P型阱区和一组第一N型阱区，所述P型阱区远离第一N型阱区一侧设有第二N型阱区；所述P型阱区一侧设有第一P+重掺杂区域，所述P型阱区另一侧设有第二P+重掺杂区域；本发明专利技术根据现有需求进行设计，在P型阱区添加了第三P+重掺杂区，并在与P型阱相邻处添加了第二N型阱区，扩展了第二P+重掺杂区域，在不增加工艺复杂度和失效电流基本不变的情况下，提高SCR器件的维持电压，避免闩锁效应的威胁。免闩锁效应的威胁。免闩锁效应的威胁。

【技术实现步骤摘要】
一种新型高维持电压SCR结构


[0001]本专利技术涉及芯片保护
，具体是一种新型高维持电压SCR结构。

技术介绍

[0002]静电放电(ESD)是指物体带有不同的静电电荷，在互相靠近或接触时，电荷发生转移的自然现象。静电放电可以分为两个阶段，第一阶段是电荷在物体表面逐渐积累的过程，第二阶段是放电过程。在集成电路产业中，在芯片制造、封装、运输等过程中，芯片内部或外界环境可能会形成一定量的电荷积累。当芯片与外界形成导电通路后，聚集在电路内部或者外界的电荷通过Pin引脚流过芯片，虽然总电荷量不多，但由于ESD过程时间短，电应力大，会产生高电压大电流，在芯片内的局部空间，短时间内大量焦耳热积累，温度迅速升高造成芯片被烧毁。
[0003]为了避免芯片在发生静电放电过程中被损坏，需要对芯片添加必要的ESD防护。芯片的片上防护一般是在内部核心电路的引脚并联ESD防护电路。电路正常工作时，ESD防护电路处于关闭状态，当ESD事件发生时，由于瞬时的高电压，ESD防护电路开启，提供一条导通电阻很低的电流泄放路径，泄放大部分静电电流，同时减少电路承受本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型高维持电压SCR结构，包括P型衬底(100)，其特征在于：所述P型衬底(100)顶部设有一组P型阱区(200)和一组第一N型阱区(300)，所述P型阱区(200)远离第一N型阱区(300)一侧设有第二N型阱区(400)；所述P型阱区(200)一侧设有第一P+重掺杂区域(500)，所述P型阱区(200)另一侧设有第二P+重掺杂区域(600)；所述P型阱区(200)上设有第三P+重掺杂区(201)，所述第三P+重掺杂区(201)两侧均设有浅沟道隔离，所述第一P+重掺杂区域(500)设置在浅沟道隔离远离第三P+重掺杂区(201)一侧。2.根据权利要求1所述的一种新型高维持电压SCR结构，其特征在于：所述第一P+重掺杂区域(500)和第三P+重掺杂区(201)通过金属线互连。3.根据权利要求2所述的一种新型高维持电压SCR结构，其特征在于：所述第一P+重掺杂区域(500)设置在P型阱区(200)与第一N型阱区(300)桥接处，所述第二P+重掺杂区域(600)设置在P型...

【专利技术属性】
技术研发人员：王耀，范晓梅，刘俊杰，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：