具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构制造技术

本发明专利技术提供一种具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构，包括：在功率管FETA和功率管FETB之间插入的三组隔离环；其中，靠近功率管FETA和功率管FETB一侧的两组隔离环分别连接交流功率开关工作域内的最低电位；中间的一组隔离环与两侧的两组隔离环浮接在一起且不接任何电位。本发明专利技术通过在交流功率开关的两个背靠背的功率管之间插入三个隔离环，能够解决不完全隔离的器件实现具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关时，寄生的NPN晶体管极易触发从而容易产生寄生通路或闩锁效应并造成芯片损坏的问题。应并造成芯片损坏的问题。应并造成芯片损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构


[0001]本专利技术涉及无线充电
，具体而言，涉及一种具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构。

技术介绍

[0002]随着无线充电技术的发展，可穿戴设备的无线充电非常普遍，同时为了方便切换大功率无线充电线圈通路和小功率可穿戴设备无线充电线圈通路，需要特殊的可耐正负高压的(如
±
40V)交流功率开关来切换线圈通道。由于交流功率开关两端的高压引脚都要耐正负高压，同时耐压幅值近
±
40V(普通芯片负向耐压一般为
‑
0.3V)，所以常规的BCD(Bipolar
‑
CMOS
‑
DMOS)工艺没有完全隔离的器件来实现这样的交流功率开关。而不完全隔离的器件(N埋层（NBL
‑
NBarrier Layer）和漏极物理上分不开)实现这样的交流功率开关的过程中，在漏极接
‑
40V情况下，寄生的NPN晶体管极易触发，这样很容易产生寄生通路或闩锁效应并造成芯片损坏。所以不管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构，其特征在于，所述交流功率开关包括两个背靠背的功率管FETA和功率管FETB，功率管FETA和功率管FETB的漏极分别连接高压引脚TERM1和高压引脚TERM2；高压引脚TERM1和高压引脚TERM2与衬底采用静电保护二极管系统接地；所述隔离防护结构包括：在功率管FETA和功率管FETB之间插入的三组隔离环；其中，靠近功率管FETA和功率管FETB一侧的两组隔离环分别连接交流功率开关工作域内的最低电位；中间的一组隔离环与两侧的两组隔离环浮接在一起且不接任何电位。2.根据权利要求1所述的具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构，其特征在于，所述隔离环为PNP型隔离环。3.根据权利要求1或2所述的具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构，其特征在于，所述靠近功率管FETA和功率管FETB一侧的两组隔离环分别通过衬底的内部节点连接交流功...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱冬勇，卿健，唐超，罗周益，黄戈，
申请(专利权)人：成都市易冲半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：