单面异质结电池及其制作方法技术

本申请公开了一种单面异质结电池及其制作方法。单面异质结电池包括：硅片基体、第一非晶硅膜、第二非晶硅膜、第一导电层、第二导电层、钝化层和背场层，第一非晶硅膜设置于硅片基体的受光面；第二非晶硅膜设置于硅片基体的背光面；第一导电层设置于第一非晶硅膜的上侧；第二导电层设置于第二非晶硅膜的下侧；钝化层设置于第二导电层的下侧；背场层设置于钝化层的下侧；其中，第二导电层的厚度小于第一导电层的厚度。在硅片基体的背光面设置背场层，利用背场层较佳的导电能力减少制备导电层所需的昂贵靶材的用量，使背光面侧的第二导电层的厚度小于受光面侧的第一导电层的厚度，从而降低电池生产成本。而降低电池生产成本。而降低电池生产成本。

【技术实现步骤摘要】
单面异质结电池及其制作方法


[0001]本申请涉及太阳能电池
，尤其是涉及一种单面异质结电池及其制作方法。

技术介绍

[0002]异质结电池在电池转换效率、多结电池、工艺步骤、温度系数、双面率等方面都具有比常规晶体硅电池无可比拟的优势，因此被认为是最热门的下一代电池之一。相关技术中，异质结电池因为其制作导电层的靶材中含有众多贵金属而存在生产成本高昂的问题。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种单面异质结电池，通过在硅片基体背光面设置背场层，能够减少制备电池导电层的靶材用量，从而降低电池生产成本。
[0004]本申请还提出一种单面异质结电池的制作方法。
[0005]根据本申请的第一方面实施例的单面异质结电池，包括：硅片基体；第一非晶硅膜，所述第一非晶硅膜设置于所述硅片基体的受光面；第二非晶硅膜，所述第二非晶硅膜设置于所述硅片基体的背光面；第一导电层，所述第一导电层设置于所述第一非晶硅膜的上侧；第二导电层，所述第二导电层设置于所述第二非晶硅膜的下侧；钝化层，所述钝化层设置于所述第二导电层的下侧；背场层，所述背场层设置于所述钝化层的下侧；其中，所述第二导电层的厚度小于所述第一导电层的厚度。
[0006]根据本申请实施例的单面异质结电池，至少具有如下有益效果：基于传统的异质结电池结构，在硅片基体的背光面设置背场层，利用背场层较佳的导电能力减少制备导电层所需的昂贵靶材的用量，使背光面侧的第二导电层的厚度小于受光面侧的第一导电层的厚度，从而降低电池生产成本。
[0007]根据本申请的一些实施例，还包括正面电极和背面电极，所述正面电极设置于所述第一导电层的上侧，所述背面电极设置于所述背场层的下侧。
[0008]根据本申请的一些实施例，所述正面电极包括栅线，所述栅线用于传输光生电流。
[0009]根据本申请的一些实施例，所述第一导电层的厚度为60纳米至120纳米，所述第二导电层的厚度为10纳米至60纳米，所述第二导电层的厚度不大于所述第一导电层的厚度的一半。
[0010]根据本申请的一些实施例，所述第一非晶硅膜和所述第二非晶硅膜的厚度均为10纳米至20纳米，所述钝化层的厚度为10纳米至50纳米，所述背场层的厚度为0.2微米至20微米。
[0011]根据本申请的第二方面实施例的单面异质结电池的制作方法，包括：提供硅片基体；在所述硅片基体的受光面、背光面分别沉积第一非晶硅膜、第二非晶硅膜；在所述第一非晶硅膜的上侧沉积第一导电层；在所述第二非晶硅膜的下侧依次沉积第二导电层和钝化
层；在所述钝化层的下侧蒸镀背场层；其中，所述第二导电层的厚度小于所述第一导电层的厚度。
[0012]根据本申请的一些实施例，还包括：在所述第一导电层的上侧制备正面电极；在所述背场层的下侧制备背面电极。
[0013]根据本申请的一些实施例，所述正面电极和所述背面电极均为使用丝网印刷工艺制备的银电极，所述正面电极包括栅线，所述栅线用于传输光生电流。
[0014]根据本申请的一些实施例，所述第一导电层为使用磁控溅射的方式沉积的一层厚度为60纳米至120纳米的TCO膜，所述第二导电层为使用磁控溅射的方式沉积的一层厚度为10纳米至60纳米的TCO膜，所述第二导电层的厚度不大于所述第一导电层的厚度的一半。
[0015]根据本申请的一些实施例，所述第一非晶硅膜和所述第二非晶硅膜均为使用化学气相沉积的方式制备的一层厚度为10纳米至20纳米的本征非晶硅膜，所述钝化层为使用磁控溅射的方式沉积的一层厚度为10纳米至50纳米的二氧化硅膜，所述背场层为使用真空蒸镀的方式沉积的一层厚度为0.2微米至20微米的金属膜。
[0016]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0017]下面结合附图和实施例对本申请做进一步的说明，其中：
[0018]图1为本申请单面异质结电池一种实施例的结构图；
[0019]图2为本申请单面异质结电池另一种实施例的结构图；
[0020]图3为本申请单面异质结电池的制作方法一种实施例的流程图；
[0021]图4为本申请单面异质结电池的制作方法另一种实施例的流程图。
[0022]附图标记：
[0023]硅片基体100、第一非晶硅膜200、第二非晶硅膜300、第一导电层400；
[0024]第二导电层500、钝化层600、背场层700、正面电极800、背面电极900。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0026]在本申请的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0027]在本申请的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0028]本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所
属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。
[0029]本申请实施例的单面异质结电池是一种太阳能电池，太阳能电池是利用光生伏特效应将太阳能转化为电能的装置，其核心为半导体PN结。根据基体材料不同，可以分为晶体硅电池和薄膜电池。其中晶体硅电池发展成熟，是目前市场的主流。异质结是一种特殊的PN结，通过在晶体硅上沉积非晶硅膜制成。异质结电池属于N型电池中的一种。异质结电池在电池转换效率、多结电池、工艺步骤、温度系数、双面率和低衰减性等方面都具有比常规晶体硅电池无可比拟的明显优势，因此异质结电池被认为是最热门的下一代候选电池之一。目前制约异质结电池产业化进程的主要因素为设备、靶材以及银浆的成本。
[0030]一些实施例，参照图1，单面异质结电池包括：硅片基体100、第一非晶硅膜200、第二非晶硅膜300、第一导电层400、第二导电层500、钝化层600和背场层700；第一非晶硅膜200设置于硅片基体100的受光面；第二非晶硅膜300设置于硅片基体100的背光面；第一导电层400设置于第一非晶硅膜200的上侧；第二导电层500设置于第二非晶硅膜300的下侧；钝化层600设置于第二导电层500的下侧；背场层70本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.单面异质结电池，其特征在于，包括：硅片基体；第一非晶硅膜，所述第一非晶硅膜设置于所述硅片基体的受光面；第二非晶硅膜，所述第二非晶硅膜设置于所述硅片基体的背光面；第一导电层，所述第一导电层设置于所述第一非晶硅膜的上侧；第二导电层，所述第二导电层设置于所述第二非晶硅膜的下侧；钝化层，所述钝化层设置于所述第二导电层的下侧；背场层，所述背场层设置于所述钝化层的下侧；其中，所述第二导电层的厚度小于所述第一导电层的厚度。2.根据权利要求1所述的单面异质结电池，其特征在于，还包括正面电极和背面电极，所述正面电极设置于所述第一导电层的上侧，所述背面电极设置于所述背场层的下侧。3.根据权利要求2所述的单面异质结电池，其特征在于，所述正面电极包括栅线，所述栅线用于传输光生电流。4.根据权利要求1所述的单面异质结电池，其特征在于，所述第一导电层的厚度为60纳米至120纳米，所述第二导电层的厚度为10纳米至60纳米，所述第二导电层的厚度不大于所述第一导电层的厚度的一半。5.根据权利要求1所述的单面异质结电池，其特征在于，所述第一非晶硅膜和所述第二非晶硅膜的厚度均为10纳米至20纳米，所述钝化层的厚度为10纳米至50纳米，所述背场层的厚度为0.2微米至20微米。6.单面异质结电池的制作方法，其特征在于，包括：提供硅片基体；在所述硅片基体的受光面、背光面分...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泉，祁嘉铭，杨江海，杨健，
申请(专利权)人：中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：