一种HJT太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种HJT太阳能电池，包括n型硅片，设在n型硅片受光面和背光面的本征非晶硅薄膜，设在受光面本征非晶硅薄膜上的p型非晶硅薄膜，设在背光面本征非晶硅薄膜上的n型非晶硅薄膜，设在p型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄上的透明导电氧化物薄膜，设在透明导电氧化物薄膜的银浆栅线电极，设在透明导电氧化物薄膜及银浆栅线电极上的纳米银线层。本实用新型专利技术在栅线电极上方涂覆纳米银线层，可提高透明导电层的导电性，且在满足导电性能的前提下，可降低栅线的走线宽度、密度以及透明导电氧化物薄膜的厚度，以减少HJT电池中银浆、透明导电氧化物的使用量，达到增效、降本的作用。降本的作用。降本的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种HJT太阳能电池


[0001]本技术涉及光伏电池
，具体涉及一种HJT光太阳能电池。

技术介绍

[0002]晶体硅异质结太阳电池(简称HJT电池)是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，它综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高、衰减率低、双面发电等优点，具综合测算，在25年全生命周期综合发电量较PERC高15％
‑
20％，将取代PERC成为第三代电池片技术。
[0003]增效、降本一直是光伏电池领域追求的目标，在HJT电池中，其正面及背面均需制作栅极，使用的银浆量多，且由于受工艺温度的限制，使用的银浆为价格较高的低温银浆，因此HJT电池较之其它类型的光伏电池在增效、降本方面也具有更大的空间。目前主要通过替换栅极的材料或改变栅极的结构来减少低温银浆的使用量以降低成本，例如：专利CN 204332972 U公开了在ITO透明导电膜上印刷纳米银线作为细栅电极，以减少银浆用量、增加透过率，由纳米银线墨水制备的细栅，其电阻及透过率均随纳米银线含量的增加而降低，若要保证一定的透过率，需控制纳米银线的含量，则必然会损失其导电性，进而影响电池的效率；此外，使用铜线替代低温银浆作为金属导线应用于硅基异质结太阳能电池(专利：CN 207009459 U)，但铜的化学性质活泼，易被氧化或腐蚀，在表面形成氧化铜等物质，而这类物质的形成会大大降低铜线的导电性。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本技术提供了一种HJT太阳能电池，通过在电池的正、背面增加一层纳米银线层，可提高透明导电层的导电性，在满足导电性能的前提下，可降低栅线的走线宽度、密度及透明导电氧化物薄膜的厚度，以减少HJT电池中银浆与透明导电氧化物的使用量，从而达到降本、增效的作用。
[0005]本技术提供了一种HJT太阳能电池，包括n型硅片，设在n型硅片受光面和背光面的本征非晶硅薄膜，设在受光面本征非晶硅薄膜上的p型非晶硅薄膜，设在背光面本征非晶硅薄膜上的n型非晶硅薄膜，设在p型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄上的透明导电氧化物薄膜，设在透明导电氧化物薄膜上的银浆栅线电极，银浆栅线电极包含粗栅和细栅；还包括设在透明导电氧化物薄膜及银浆栅线电极上的纳米银线层。
[0006]进一步地，所述纳米银线层的厚度为10
‑
500nm。
[0007]进一步地，所述纳米银线层的厚度为20
‑
100nm。
[0008]进一步地，所述纳米银线层的透过率为95％
‑
99.9％。
[0009]进一步地，所述粗栅的线宽为0.1
‑
5mm。
[0010]进一步地，所述粗栅的线距为5
‑
100mm。
[0011]进一步地，所述细栅的线宽为20
‑
100μm。
[0012]进一步地，所述细栅的线距为0.5
‑
10mm。
[0013]进一步地，所述透明导电氧化物薄膜的厚度为10
‑
150nm。
[0014]纳米银线层的增加可降低透明导电氧化物薄膜与栅极的接触电阻，在满足导电性能的前提下，可适当降低透明导电氧化物薄膜的溅射厚度，节省成本的同时可增加透明导电氧化物薄膜的透过率。
[0015]进一步地，所述透明导电氧化物薄膜的透过率为95％
‑
99.9％。
[0016]本技术采用上述技术方案，在HJT电池的正、背面制作纳米银线层，增加高透明、导电性良好的纳米银线层以降低整体电极(由透明导电氧化物薄膜、栅线电极及纳米银线层构成)的阻抗，从而提高电荷收集率；此外，在满足导电性能的前提下，可降低栅线的走线宽度、密度以及透明导电氧化物薄膜的厚度，以降低HJT电池中银浆、透明导电氧化物的使用量，从而达到增效、降本的作用。
附图说明
[0017]图1为HJT电池的结构示意图；
[0018]其中，1为受光面的纳米银线层；2为受光面的银浆栅线电极；3为受光面的透明导电氧化物薄膜；4为p型非晶硅薄膜；5为受光面的本征非晶硅薄膜；6为n型硅片；7为背光面的本征非晶硅薄膜；8为n型非晶硅薄膜；9为背光面的透明导电氧化物薄膜；10为背光面的银浆栅线电极；11为背光面的纳米银线层。
具体实施方式
[0019]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。
[0020]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0021]下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法，所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
[0022]实施例：银纳米线层在HJT电池上下表面
[0023]如图1所示，本技术公开了一种HJT太阳能电池，其结构包括：n型硅片6，设在n型硅片6受光面和背光面的本征非晶硅薄膜5和7，设在受光面本征非晶硅薄膜5上的p型非晶硅薄膜4，设在背光面本征非晶硅薄膜上的n型非晶硅薄膜8，设在p型非晶硅薄膜4上的透明导电氧化物薄膜3，设在n型非晶硅薄膜8上的透明导电氧化物薄膜9，设在受光面和背光面透明导电氧化物薄膜(3和9)上的银浆栅线电极(2和10)，设在受光面和背光面的透明导电氧化物薄膜(3和9)及银浆栅线电极(2和10)上的纳米银线层(1和11)。
[0024]其中，本实施例中透明导电氧化物薄膜为ITO薄膜，ITO薄膜厚度为80nm，透过率为98％；纳米银线层的厚度为30nm，透过率为99％。
[0025]样品1：银浆栅线电极的粗栅线宽为0.8mm、线距为32mm，细栅线宽为50μm、线距为1.3mm；
[0026]样品2：银浆栅线电极的粗栅线宽为0.8mm、线距为36mm，细栅线宽为50μm、线距为
1.5mm；
[0027]样品3：银浆栅线电极的粗栅线宽为0.8mm、线距为40mm，细栅线宽为50μm、线距为1.8mm；
[0028]样品4：银浆栅线电极的粗栅线宽为0.8mm、线距为32mm，细栅线宽为45μm、线距为1.3mm；
[0029]样品5：银浆栅线电极的粗栅线宽为0.7mm、线距为32mm，细栅线宽为40μm、线距为1.3mm；
[0030]样品6：银浆栅线电极的粗栅线宽为0.6mm、线距为32mm，细栅线宽为35μm、线距为1.3mm。
[0031]对比例1：HJT电池(无纳米银线层)
[0032]一种HJT太阳能电池，其结构包括：n型硅片，设在n型硅片受光面和背光面的本征非晶硅薄膜，设在受光面本征非晶硅薄膜上的p型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种HJT太阳能电池，包括n型硅片，设在n型硅片受光面和背光面的本征非晶硅薄膜，设在受光面本征非晶硅薄膜上的p型非晶硅薄膜，设在背光面本征非晶硅薄膜上的n型非晶硅薄膜，设在p型非晶硅薄膜和n型非晶硅薄上的透明导电氧化物薄膜，设在透明导电氧化物薄膜上的银浆栅线电极，银浆栅线电极包含粗栅和细栅，其特征在于，还包括设在透明导电氧化物薄膜及银浆栅线电极上的纳米银线层。2.根据权利要求1所述的一种HJT太阳能电池，其特征在于，所述纳米银线层的厚度为10
‑
500nm。3.根据权利要求2所述的一种HJT太阳能电池，其特征在于，所述纳米银线层的厚度为20
‑
100nm。4.根据权利要求1所述的一种HJT太阳能电池，其特征在于，所述纳米银线层的透过率为95％
‑
99.9％。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷志豪，彭颖杰，陈娜娜，潘克菲，姜锴，高绪彬，
申请(专利权)人：苏州诺菲纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：