一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO

【技术实现步骤摘要】
一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]太阳能电池的工作原理为：太阳辐射出不同波长的电磁波，如红外线、紫外线、可见光等，当这些电磁波照射在不同的导体或半导体上，光子与导体或半导体中的自由电子作用产生电流。太阳能电池发电是一种可再生的环保发电方式，发电过程中不会产生二氧化碳等温室气体，不会对环境造成污染，具有广阔的应用前景。
[0003]按照制作材料，可将太阳能电池分为硅基半导体电池、CdTe薄膜电池、铜铟镓锡(CIGS)薄膜电池、染料敏化薄膜电池、有机材料电池等。其中，硅基半导体电池中的异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin layer，简称HIT)，由于具有高效的能量转换和双面发电等优点，越来越受关注，成为未来最有可能大规模应用的技术之一。HIT是一种在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与N型衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准晶体硅太阳能电池是一种同质结电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的TCO
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I膜层(24)、N型非晶硅层(22)、第一本征非晶硅层(21)、N型衬底(1)、第二本征非晶硅层(31)、P型非晶硅层(32)和TCO
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III膜层(33)；TCO
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I膜层(24)为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO；TCO
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III膜层(33)为氧化锡含量≥10wt％的ITO。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，还包括TCO
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II膜层(23)，所述TCO
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II膜层(23)设于所述TCO
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I膜层(24)与所述N型非晶硅层(22)之间。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述TCO
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II膜层(23)选自氧化锡含量为1wt％～3wt％的ITO、IZO和IZrO中的至少一种。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述TCO
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I膜层(24)的材质为氧化铟锡。5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述TCO
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈明飞，刘永成，江长久，陈明高，徐胜利，王志杰，郭梓旋，莫国仁，李跃辉，
申请(专利权)人：长沙壹纳光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：