一种高光电转换效率的HJT电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高光电转换效率的HJT电池，属于太阳能电池技术领域。本实用新型专利技术的HJT电池包括N型晶体硅片，所述N型晶体硅片的正面依次设置第二本征非晶硅层、第二SiO2层、第二C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层和第二电极；所述N型晶体硅片的背面依次设置第一本征非晶硅层、第一SiO2层、第一C掺杂SiO2层、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层和第一电极，非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层和重掺B非晶硅层。本实用新型专利技术制备而成的异质结太阳电池，光电转换效率可提高至24.3％以上，短路电流和开路电压提升明显，可以有效提高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。高硅异质结太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高光电转换效率的HJT电池


[0001]本技术涉及太阳能电池
，更具体地说，涉及一种高光电转换效率的HJT电池。

技术介绍

[0002]目前市场主流电池产品为P型的单晶PERC电池，P型PERC电池的效率已经到了上限。但随着市场的需求，行业的技术不断发展，N型晶硅太阳电池技术近年来受到越来越多的关注，主要有钝化发射极背表面全扩散电池(n
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PERT)、隧道氧化物钝化接触电池(TOPCon)和异质结电池(HJT)，N型晶硅太阳能电池使晶硅太阳能电池的转换效率得到进一步的突破提升。
[0003]HJT电池以价格低廉的非晶硅作为发射层，其发射层是掺杂非晶硅材料，在对单晶硅进行沉积制备时，只需要200℃左右即可满足制备温度要求，而低温工艺也保证了单晶硅衬底的界面损伤更低，且本征层的存在使界面钝化性能更好。异质结太阳能电池由于异质结构的大禁带宽度而保持高效率的核心优势，但目前仍存在一些技术难点问题需要克服，如非晶硅层的钝化特性，载流子在结构层的传输特性，这些都会影响HJT异质结电池的光电转化效率。因此，如何研究提高光的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高光电转换效率的HJT电池，包括N型晶体硅片(1)，其特征在于：所述N型晶体硅片(1)的正面依次设置第二本征非晶硅层(301)、第二SiO2层(302)、第二C掺杂SiO2层(303)、非晶硅掺杂N型层、第二TCO导电层(7)和第二电极(9)；所述N型晶体硅片(1)的背面依次设置第一本征非晶硅层(201)、第一SiO2层(202)、第一C掺杂SiO2层(203)、非晶硅掺杂P型层、第一TCO导电层(6)和第一电极(8)。2.根据权利要求1所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的本征非晶硅层为氢化本征非晶硅薄膜层。3.根据权利要求2所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的本征非晶硅层或氢化本征非晶硅薄膜层的厚度为3
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10nm。4.根据权利要求3所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的SiO2层和C掺杂SiO2层的厚度均为1
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5nm。5.根据权利要求1
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4任一项所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的非晶硅掺杂P型层的厚度为10
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30nm；该非晶硅掺杂P型层包括轻掺B非晶硅层(401)和重掺B非晶硅层(402)，轻掺B非晶硅层(401)靠近第一C掺杂SiO2层(203)，重掺B非晶硅层(402)靠近第一TCO导电层(6)。6.根据权利要求5所述的一种高光电转换效率的HJT电池，其特征在于：所述的轻掺B非晶硅层(401)由TMB气体掺杂形成，厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锦乐，肖俊峰，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：新型
国别省市：