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本申请公开了一种单面异质结电池及其制作方法。单面异质结电池包括：硅片基体、第一非晶硅膜、第二非晶硅膜、第一导电层、第二导电层、钝化层和背场层，第一非晶硅膜设置于硅片基体的受光面；第二非晶硅膜设置于硅片基体的背光面；第一导电层设置于第一非晶硅...
该专利属于中国南玻集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国南玻集团股份有限公司授权不得商用。

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