一种大尺寸芯片曝光方法技术

本发明专利技术公开一种大尺寸芯片曝光方法，属于集成电路制造领域。将待制作的芯片划分为多块芯片拼接而成的结构；制作各块拼接芯片各层电路结构对应的光刻版；将第一块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第一块拼接芯片的位置并对其进行曝光，在圆片上留下一个对准标记的印记；将第二块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第二块拼接芯片的位置，在对准时选择第一块拼接芯片曝光后留下的对准标记，进行对准曝光；以此类推直至完成当前层次所有拼接芯片的曝光。无需制作额外的标记，只需要找到当前层次初次曝光后留下的浅显的对位标记的印记，在本层次后续的曝光时对准此标记进行曝光，即满足本层次图形间的拼接精度，节省一次曝光及腐蚀工艺流程，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸芯片曝光方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种大尺寸芯片曝光方法。

技术介绍

[0002]曝光工艺是制作芯片过程中非常重要的工序，其目的是将光刻版上的几何图形转移到圆片上，然后经过腐蚀等工序在圆片上形成电路结构。
[0003]显然，光刻版上的几何图形实质上就是芯片的电路结构，通过曝光的方式转移到圆片上。在集成电路生产大芯片时，有时由于尺寸过大，超过了光刻机的视场限制，无法通过一次曝光就将整个图形转移到圆片上，此时需要将芯片划分为几个尺寸小于或等于光刻机最大曝光视场的芯片，通过使用复数光刻版进行复数次的曝光，通过不同光刻版曝光出的图形拼接来得到完整的芯片图形，即所谓的拼接曝光。
[0004]此时同一层多次曝光不同图形间的套刻精度对产品的电性参数和良率有极大的影响，而对准方法对图形拼接的精准度起到非常重要的作用。实际工艺中，在光刻机的曝光对准时，一般通过与上一层图形留下标记进行对准，然后显影读取套刻数值确认套刻精度。在同一层次进行多次曝光时，不仅要与前层次对准，还要与同一层前几次曝光图形对准，达本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸芯片曝光方法，其特征在于，包括：将待制作的芯片划分为多块芯片拼接而成的结构；制作各块拼接芯片各层电路结构对应的光刻版；将第一块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第一块拼接芯片的位置，并对其进行曝光，曝光后在圆片上留下一个对准标记的印记；将第二块拼接芯片的光刻版图形放置在圆片第二块拼接芯片的位置，在对准时选择第一块拼接芯片曝光后留下的对准标记，进行对准曝光；以此类推直至完成当前层次所有拼接芯片的曝光。2.如权利要求1所述的大尺寸芯片曝光方法，其特征在于，根据光...

【专利技术属性】
技术研发人员：季骏，高晓君，廖聪湘，顾霞，孙建洁，
申请(专利权)人：无锡中微晶园电子有限公司，
类型：发明
国别省市：