白光器件及显示设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种白光器件及显示设备，所述白光器件从下至上依次包括：驱动基板、倒装LED外延结构、第一透明电流扩展层及量子点沉积层；所述倒装LED外延结构包括发光区域，所述发光区域包括蓝光光源或紫光光源；所述量子点沉积层包括至少两类颜色沉积区域、所述至少两类颜色沉积区域形成规则阵列结构，且用于在所述发光区域发光时形成白光；所述颜色沉积区域为图案化形貌；所述颜色沉积区域制备时，所述第一透明电流扩展层上设置掩膜层。采用上述器件，减少了传统的制备白光器件的掩膜版结构，减轻了白光器件的体积及制造难度，且基于三原色原理可以实现LED器件发白光的目的。三原色原理可以实现LED器件发白光的目的。三原色原理可以实现LED器件发白光的目的。

【技术实现步骤摘要】
白光器件及显示设备


[0001]本技术涉及LED制备
，尤其涉及一种白光器件及显示设备。

技术介绍

[0002]现有技术中，可以利用电泳沉积技术通过多次采用量子点掩膜版的方法在基板上成功制备了Micro
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LED的全彩像素阵列。但是，此种方法不但需要依据像素大小制备相应规格的掩膜版，而且每次仅能沉积一种量子点材料，因此全彩像素阵列的制备至少需要两种掩膜版，掩膜版的制备增加制造经费，费力费时。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的在于提供一种白光器件及显示设备，可以解决现有技术中多次采用量子点沉积掩膜版，导致制造经费增加，且费力费时的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术第一方面提供一种白光器件，所述白光器件从下至上依次包括：驱动基板、倒装LED外延结构、第一透明电流扩展层及量子点沉积层；
[0005]所述倒装LED外延结构包括发光区域，所述发光区域包括蓝光光源或紫光光源；
[0006]所述量子点沉积层包括至少两类颜色沉积区域、所述至少两类颜色沉积区域形成规则阵列结构，且用于在所述发光区域发光时形成白光；
[0007]所述颜色沉积区域为图案化形貌；所述颜色沉积区域制备时，所述第一透明电流扩展层上设置掩膜层。
[0008]在一种可选实现方式中，所述倒装LED外延结构包括：第一电极层、第二电极层、第二透明电流扩展层、P型氮化镓层、多量子阱有源层及N型氮化镓层。
[0009]在一种可选实现方式中，所述倒装LED外延结构包括：r/>[0010]覆盖在所述驱动基板的表面的顶角处的第一电极层，及覆盖在所述驱动基板的表面除所述第一电极层所在区域以外的其他区域的第二电极层；
[0011]覆盖在所述第二电极层上的第二透明电流扩展层；
[0012]覆盖在所述第二透明电流扩展层上的P型氮化镓层；
[0013]覆盖在所述P型氮化镓层上的多量子阱有源层；
[0014]覆盖在所述多量子阱有源层上及所述第一电极层的N型氮化镓层；
[0015]所述发光区域由所述第二电极层、第二透明电流扩展层、P型氮化镓层、多量子阱有源层及N型氮化镓层构成。
[0016]在一种可选实现方式中，所述倒装LED外延结构还包括位于所述第一电极层与所述发光区域之间的第一封闭空腔，第一封闭空腔为从所述第二电极层开始向远离所述驱动基板的方向进行蚀刻，并蚀刻至部分所述N型氮化镓层形成的。
[0017]在一种可选实现方式中，所述阵列结构为H*L，当所述H等于1时，所述第一电极层的数量为两个，当所述H大于1时，所述第二电极层的数量为四个，所述H表示所述阵列结构的行数，所述L表示所述阵列结构的列数，所述H及L均取值正整数。
[0018]在一种可选实现方式中，所述倒装LED外延结构具有从所述第二电极层开始向远离所述驱动基板的方向进行蚀刻，并蚀刻至部分所述N型氮化镓层形成的第二封闭空腔，所述第二封闭空腔将倒装LED外延结构中的发光区域划分为多个发光单元，且颜色沉积区域与发光单元一一对应。
[0019]在一种可选实现方式中，所述阵列结构中的一行至少包含一组颜色沉积区域，所述一组颜色沉积区域包括在一行中依次排列的一个第一颜色沉积区域及一个第二颜色沉积区域，或者，在一行中依次排列的一个第三颜色沉积区域、一个第四颜色沉积区域及一个第五颜色沉积区域。
[0020]在一种可选实现方式中，所述至少两类颜色沉积区域沉积量子点时，驱动基板与设置有量子点溶液池的电泳沉积装置的正极电连接、所述第一电极与所述电泳沉积装置的负极电连接形成闭合回路。
[0021]在一种可选实现方式中，所述发光区域为蓝光光源，则所述至少两类颜色沉积区域包括第一颜色沉积区域及第二颜色沉积区域，所述第一颜色沉积区域、第二颜色沉积区域用于在所述发光区域发光时形成白光；
[0022]或者，
[0023]所述发光区域为紫光光源，所述至少两类颜色沉积区域包括第三颜色沉积区域、第四颜色沉积区域及第五颜色沉积区域，第三颜色沉积区域、第四颜色沉积区域及第五颜色沉积区域用于在所述发光区域发光时形成白光。
[0024]在一种可选实现方式中，所述第一电极层包括N电极，所述第二电极层包括P电极。
[0025]在一种可选实现方式中，所述电极层的材料为具有反射功能的电极金属Ti、Al、Ti、Au或Ni、Ag。
[0026]在一种可选实现方式中，所述驱动基板的材料为具有导电能力的Si基板、Cu基板。
[0027]为实现上述目的，本技术第二方面提供一种显示设备，所述显示设备包括如第一方面或任一可选实现方式中任意一项所述白光器件。
[0028]采用本技术实施例，具有如下有益效果：
[0029]本技术提供一种白光器件，所述白光器件从下至上依次包括：驱动基板、倒装LED外延结构、第一透明电流扩展层及量子点沉积层；所述倒装LED外延结构包括发光区域，所述发光区域包括蓝光光源或紫光光源；所述量子点沉积层包括至少两类颜色沉积区域、所述至少两类颜色沉积区域形成规则阵列结构，且用于在所述发光区域发光时形成白光；所述颜色沉积区域为图案化形貌；所述颜色沉积区域制备时，所述第一透明电流扩展层上设置掩膜层。采用上述器件，减少了传统的制备白光器件的量子点沉积掩膜版结构，减轻了白光器件的体积及制造难度，且基于三原色原理可以实现LED器件发白光的目的。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]其中：
[0032]图1为本技术实施例中一种白光器件的结构示意图；
[0033]图2为本技术实施例中一种白光器件的另一结构示意图；
[0034]图3为本技术实施例中一种白光器件的俯视图结构示意图；
[0035]图4
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17为本技术实施例中一种白光器件的制备流程示意图。
具体实施方式
[0036]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0037]图1为本技术实施例中一种白光器件的结构示意图，如图1所示白光器件从下至上依次包括：驱动基板1、倒装LED外延结构2、第一透明电流扩展层3及量子点沉积层4；倒装LED外延结构2包括发光区域；量子点沉积层4包括至少两类颜色沉积区域(40、41)、至少两类颜色沉积区域形成规则阵列结构，且用于在发光区域发光时形成白光。其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种白光器件，其特征在于，所述白光器件从下至上依次包括：驱动基板、倒装LED外延结构、第一透明电流扩展层及量子点沉积层；所述倒装LED外延结构包括发光区域，所述发光区域包括蓝光光源或紫光光源；所述量子点沉积层包括至少两类颜色沉积区域、所述至少两类颜色沉积区域形成规则阵列结构，且用于在所述发光区域发光时形成白光；所述颜色沉积区域为图案化形貌；所述颜色沉积区域制备时，所述第一透明电流扩展层上设置掩膜层。2.根据权利要求1所述白光器件，其特征在于，所述倒装LED外延结构包括：第一电极层、第二电极层、第二透明电流扩展层、P型氮化镓层、多量子阱有源层及N型氮化镓层。3.根据权利要求2所述白光器件，其特征在于，所述倒装LED外延结构还包括：覆盖在所述驱动基板的表面的顶角处的所述第一电极层，及覆盖在所述驱动基板的表面除所述第一电极层所在区域以外的其他区域的所述第二电极层；覆盖在所述第二电极层上的所述第二透明电流扩展层；覆盖在所述第二透明电流扩展层上的所述P型氮化镓层；覆盖在所述P型氮化镓层上的所述多量子阱有源层；覆盖在所述多量子阱有源层及所述第一电极层上的所述N型氮化镓层；所述发光区域由所述第二电极层、第二透明电流扩展层、P型氮化镓层、多量子阱有源层及N型氮化镓层构成。4.根据权利要求3所述白光器件，其特征在于，所述倒装LED外延结构还包括：位于所述第一电极层与所述发光区域之间的第一封闭空腔，第一封闭空腔为从所述第二电极层开始向远离所述驱动基板的方向进行蚀刻，并蚀刻至部分所述N型氮化镓层形成的。5.根据权利要求3所述白光器件，其特征在于，所述阵列结构为H*L，当所述H等于1时，所述第一电极层的数量为两个，当所述H大于1时，所述第二电极层的数量为四个，所述H表示所述阵列结构的行数，所述L表示所述阵列结构的列数，所述H及L均取值正整数。6.根据权利要求3所述白光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，刘时彪，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：新型
国别省市：