一种补氧法兰及水冷式半导体尾气处理燃烧室制造技术

本实用新型专利技术公开了一种补氧法兰及水冷式半导体尾气处理燃烧室，旨在解决现在的燃烧室消耗的CDA量过大的不足。该实用新型专利技术包括上腔和下腔，下腔从内到外依次包括上内腔、上保温层以及上水冷层，上腔由内到外依次包括下内腔、下保温层和下水冷层，上腔和下腔可拆卸连接并形成上部开放的容器，上水冷层和下水冷层经管路连接，下水冷层上设有进水口，上水冷层上设有出水口，上腔设有补氧法兰。装置减少了输入的气体，通过纯氧和尾气的反应，减少了燃爆现象，装置以更静态的姿态运行，避免干扰前序装置。序装置。序装置。

【技术实现步骤摘要】
一种补氧法兰及水冷式半导体尾气处理燃烧室


[0001]本技术涉及半导体生产领域，更具体地说，它涉及一种补氧法兰及水冷式半导体尾气处理燃烧室。

技术介绍

[0002]在集成电路的生产制造过程中，其中的一些工艺流程模块如：化学气相沉积、刻蚀、离子注入和扩散，以及非晶硅薄膜太阳能、液晶及薄膜的PECVD工艺等都会用到大量的特殊工艺气体。这些工艺气体一般都是以氢气作为载气，参与工艺反应之后，以废气的形式被排放,其种类可分为：有毒、酸性、碱性、自燃、易燃、腐蚀性以及PFCS与VOC类气体等。
[0003]这些原来作为工艺原料或者反应副产物的有毒有害气体，其中一些有腐蚀各类管线的危险，有的在与其它危害物相遇或累积较高浓度时会有火灾爆炸的危险，还有的会造成作业人员中毒、破坏大气环境等危害。为避免这些危害的发生，这些气体都必须经过无害化处理，使之符合国家大气排放标准后，方可排入大气中。目前的半导体、光伏行业等工厂大都会在工艺设备后端安装尾气处理装置用于处理这些危害性的特殊气体。
[0004]现在的燃烧室采用注入CDA（cleandryair）即本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种补氧法兰，其特征是，包括沿径向布置的注气管道和设置在靠近法兰内壁位置的缓冲通道，注气管道向缓冲通道注入纯氧，缓冲通道的内壁等间距设有若干注气输出口。2.根据权利要求1所述的一种补氧法兰，其特征是，缓冲通道呈环形，补氧法兰设有至少两个注气管道，缓冲通道上设有若干与注气管道对应的挡板，挡板倾斜设置以引导纯氧沿缓冲通道同一方向流动。3.根据权利要求1所述的一种补氧法兰，其特征是，纯氧通过注气输出口形成环形的气流环，注气输出口的方向与所述气流环相切。4.根据权利要求1至3任意一项所述的一种补氧法兰，其特征是，补氧法兰在靠近外缘位置设有进水开槽，补氧法兰上设有两个水冷腔，进水开槽连通水冷腔。5.一种水冷式半导体尾气处理燃烧室，其特征是，包括上腔和下腔，上腔从内到外依次包括上内腔、上保温层以及上水冷层，下腔由内到外依次包括下内腔、下保温层和下水...

【专利技术属性】
技术研发人员：周永君，丁云鑫，李剑聪，苏小海，刘黎明，
申请(专利权)人：杭州慧翔电液技术开发有限公司，
类型：新型
国别省市：