一种LED封装结构、封装器件及封装方法技术

一种LED封装结构、封装器件及封装方法，LED封装结构包括基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；所述第二封装层设置于所述流道中。通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。比度。比度。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装结构、封装器件及封装方法


[0001]本专利技术属于LED
，具体的涉及一种LED封装结构、封装器件及封装方法。

技术介绍

[0002]随着照明技术的发展，LED光源像素化，智慧型矩阵式照明以及显示成为发展趋势，迫切需要导入高动态对比的光源器件，特别是在车用智能照明及显示领域上，对光源提出了更高亮度与更佳对比效果的要求。现有技术通过将多个芯片分别进行独立封装后再贴装在PCB上,再采用黑色遮光材料进行隔绝，或者不同像素之间直接填充黑色遮光材料来提高对比度。目前的方案存在以下不足：
[0003]1、将多个芯片进行独立封装后再贴装在PCB板上，一方面由于封装后的LED结构尺寸较大，进而限制了整个PCB板的尺寸；另一方面，贴装后不同像素之间间距较大，较难实现高分辨率像素显示，出光不均匀。
[0004]2、直接填充黑色遮光材料，由于黑色材料的吸光作用，最后封装亮度将会大幅度下降。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种LED封装结构、封装器件及封装方法，旨在解决现有技术存在的封装尺寸大、封装亮度下降的问题。
[0006]本专利技术为达到其目的，所采用的技术方案如下：
[0007]一种LED封装结构，包括：
[0008]基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；
[0009]所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；
[0010]所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；
[0011]所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；
[0012]所述第二封装层设置于所述流道中。
[0013]优选的，所述光转换层为倒梯形结构，所述流道为梯形结构。
[0014]优选的，所述光转换层与所述发光二极管单元的正上方的表面直接接触，相邻的所述光转换层互不接触且独立设置。
[0015]优选的，相邻的所述发光二极管单元之间的间距为0.02
‑
2mm。
[0016]优选的，所述第一封装层的高度与所述发光二极管单元的高度一致，所述第二封装层的高度与所述光转换层的高度一致。
[0017]优选的，还包括围墙胶，所述围墙胶设于所述基板，并将所述发光二极管单元包围。
[0018]优选的，所述发光二极管单元与光转换层之间设有第三封装层。
[0019]优选的，所述第一封装层为具有高反射率添加剂的热固性硅胶，所述第二封装层为具有高阻光添加剂的热固性硅胶。
[0020]本专利技术还公开了一种封装器件，包括多个由发光二极管单元和光转换层组成的像素点，所述像素点具有权利要求1
‑
8任一项所述的LED封装结构。
[0021]本专利技术还公开了一种封装方法，应用于上述提及的LED封装结构，包括以下步骤：
[0022]S1、将多个所述发光二极管单元固定在所述基板上；
[0023]S2、将所述围墙胶通过围坝的方式固定在所述基板上，形成矩形围墙，并包围在所述的所有发光二极管单元的四周；
[0024]S3、将所述第一封装层通过点胶的方式填充于所述发光二极管单元的四周，且所述第一封装层的高度与所述发光二极管单元的高度平齐；
[0025]S4、将所述光转换层通过喷涂或点胶的方式覆盖在所述发光二极管单元的上方；
[0026]S5、通过切割的方式将不同位置的所述发光二极管单元的上方的光转换层切出流道；
[0027]S6、通过点胶的方式将第二封装层填充在所述流道中。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0029]本专利技术提供的LED封装结构、封装器件及封装方法，通过多层点胶，使用不同反射率和透过率的硅胶材料，在提高亮度的同时，在矩阵表面填充的吸光层形成黑墙，可有效地提高对比度。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为本专利技术的第一实施例的俯视方向示意图。
[0032]图2为本专利技术的第一实施例的结构剖视图。
[0033]图3为本专利技术的第二实施例的结构剖视图。
[0034]图4为本专利技术的第一实施例的封装方法的步骤图。
[0035]附图标记说明：
[0036]1‑
基板，2
‑
围墙胶，3
‑
发光二极管单元，4
‑
光转换层，5
‑
第一封装层，6
‑
第二封装层，7
‑
第三封装层。
具体实施方式
[0037]为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面对本专利技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0038]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通
或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0039]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0040]实施例一：
[0041]由图1至图2所示，一种LED封装结构，包括基板1、围墙胶2、发光二极管单元3、光转换层4、第一封装层5和第二封装层6；
[0042]其中发光二极管单元3的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于基板1表面，围墙胶2设于基板1，并将发光二极管单元3包围；
[0043]光转换层4与发光二极管单元3的正上方的表面直接接触，相邻的光转换层4互不接触且独立设置，相邻的光转换层4之间形成流道，具体的，光转换层4为倒梯形结构，流道为梯形结构；
[0044]第一封装层5设置于相邻的发光二极管单元3之间，第一封装层5设置于相邻的发光二极管单元3之间，第一封装层5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：基板、发光二极管单元、光转换层、第一封装层和第二封装层；所述发光二极管单元的数量为两个或两个以上，且相互独立设置于所述基板表面；所述光转换层相对应的设置于所述发光二极管单元的上方，相邻的所述光转换层之间形成流道；所述第一封装层设置于相邻的所述发光二极管单元之间；所述第二封装层设置于所述流道中。2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述光转换层为倒梯形结构，所述流道为梯形结构。3.根据权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于，所述光转换层与所述发光二极管单元的正上方的表面直接接触，相邻的所述光转换层互不接触且独立设置。4.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，相邻的所述发光二极管单元之间的间距为0.02
‑
2mm。5.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一封装层的高度与所述发光二极管单元的高度一致，所述第二封装层的高度与所述光转换层的高度一致。6.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，还包括围墙胶，所述围墙胶设于所述基板，并将所述发光二极管单元包围。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：温绍飞，林仕强，万垂铭，朱文敏，李晨骋，曾照明，肖国伟，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：