金刚石-B4C-SiC三相复合陶瓷的两步法烧结方法技术

本发明专利技术涉及一种金刚石

【技术实现步骤摘要】
金刚石
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B4C
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SiC三相复合陶瓷的两步法烧结方法


[0001]本专利技术涉及三相复合陶瓷，更具体地说，涉及一种金刚石
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B4C
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SiC三相复合陶瓷的两步法烧结方法。

技术介绍

[0002]B4C由于本身的高硬度(第三硬物质)与低密度(2.52g/cm3)，是一种优异的工程结构材料。为解决其烧结能力差(＞2000℃)、断裂韧性低(2～3MPa
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) 等缺点，在低温下烧结获得高韧性的致密B4C块体材料受到广泛关注，目前主要是在B4C基体中引入第二相来有效地降低烧结温度或提高断裂韧性，但这又会降低B4C固有的轻质和高硬特性。
[0003]金刚石是最硬的工程材料，可以作为增强相改善B4C的性能从而不增加重量和降低硬度。然而金刚石共价键成分较大难以烧结致密，而B4C的烧结条件苛刻，最低烧结温度大于1700℃，金刚石在高温非高压情况下容易发生石墨化(1600℃以上)，因此将B4C陶瓷与金刚石粉体直接混合烧结，得到无石墨残留且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金刚石
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B4C
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SiC三相复合陶瓷的两步法烧结方法，其特征在于，以金刚石粉末、Si粉和B粉的混合物为原料,放电等离子烧结采用两步法进行原位烧结,烧结前段以100～200℃/min的速率升温至最高温度T1；随后经过5～15min的降温过程，从最高温度降至T2，从而得到金刚石
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B4C
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SiC三相复合陶瓷；其中，T1为1550℃～1600℃，T2为1500℃～1550℃，T1与T2的差值不小于40℃。2.一种金刚石
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B4C
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SiC三相复合陶瓷的两步法烧结方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将金刚石粉末、Si粉和B粉混合球磨均匀后，干燥获得混合粉末；其中，金刚石粉末占金刚石粉末、Si粉和B粉三者总质量的质量百分比为30％～50％；Si粉和B粉的质量比为1～2；S2、将混合粉末过筛后装入模具，放入放电等离子烧结装置中，在高真空状态下，冲入保护气氛并进行轴向加压，施加脉冲电流进行原位反应烧结，烧结前段以100～200℃/min的速率升温至最高温度T1；随后经过5～15min的降温过程，从最高温度降至T2，随炉冷却，得到金刚石
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B4C
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SiC三元复合陶瓷；其中，T1为1550℃～1600℃，T2为1500℃～1550℃，T1与T2的差值不小于40℃。3.根据权利要求2所述的一种金刚石
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B4C
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SiC三相复合陶瓷的两步法烧结方法，其特征在于，金刚石粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：王为民，唐荣，解晶晶，何强龙，邹冀，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：