用于沉积含硅膜的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷制造技术

本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

【技术实现步骤摘要】
用于沉积含硅膜的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷
[0001]本申请是申请日为2018年2月8日、申请号为201810128979.9、专利技术名称为“用于沉积含硅膜的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷”的中国专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请根据35U.S.C.
§
119(e)要求2017年2月8日提交的美国临时申请序列号62/456,297和2017年10月20日提交的美国临时申请序列号62/574,952的优先权权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0004]本专利技术涉及可用于沉积含硅和氧的膜(例如氧化硅、氧碳氮化硅、氧碳化硅、碳掺杂氧化硅，以及其它含硅和氧的膜)的有机硅化合物，使用所述化合物沉积含氧化硅膜的方法以及由所述化合物和方法获得的膜。

技术介绍

[0005]本文描述了新颖的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷前体化合物和包含该前体化合物以通过热原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺或其组合沉积含硅膜(例如但不限于氧化硅、氧氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积含硅和氧的膜的方法，所述方法包括：将包含表面特征的衬底置于反应器中，其中将所述衬底保持在约
‑
20℃至约400℃范围内的一个或多个温度下，并将所述反应器的压力保持在100托或更低；向所述反应器中引入选自式A至E的至少一种化合物：其中，R1选自C1至C
10
直链烷基、C3至C
10
支链烷基、C3至C
10
环状烷基、C3至C
10
杂环基、C3至C
10
烯基、C3至C
10
炔基和C4至C
10
芳基；R2选自氢、C1至C
10
直链烷基、C3至C
10
支链烷基、C3至C
10
环状烷基、C3至C
10
杂环基、C3至C
10
烯基、C3至C
10
炔基和C4至C
10
芳基，其中R1和R2连接形成环状环结构或不连接形成环状环结构；R3‑
10
各自独立地选自氢、C1至C
10
直链烷基、C3至C
10
支链烷基、C3至C
10
环状烷基、C3至C
10
烯基、C3至C
10
炔基和C4至C
10
芳基；X选自C1至C
10
直链烷基、C3至C
10
支链烷基、C3至C
10
环状烷基、C2至C
10
烯基、C2至C
10
炔基、C4至C
10
芳基、C1至C
10
酰基、R1‑2定义如上的
‑
NR1R2、H、Cl、Br、I、F、C2至C
12
羧酸酯基、C1至C
10
直链或支链烷氧基、三甲基甲硅烷氧基、二甲基甲硅烷氧基、甲基甲硅烷氧基或甲硅烷氧基，其中R1和X连接形成环状环或不连接形成环状环；向所述反应器中提供氧源、氮源或者氧源和氮源以与所述至少一种化合物反应而形成膜并覆盖所述表面特征的至少一部分；在约100℃至1000℃的一个或多个温度下使所述膜退火以包覆所述表面特征的至少一部分；和在约20℃至约1000℃范围内的一个或多个温度下用氧源处理经退火的膜以在所述表面特征的至少一部分上形成含硅和氧的膜。2.根据权利要求1所述的方法，其中R2‑
10
各自独立地选自氢和C1至C4烷基。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种化合物选自：2
‑
二甲基氨基
‑
2,4,4,6,6
‑
五甲基环三硅氧烷、2
‑
二乙基氨基
‑
2,4,4,6,6
‑
五甲基环三硅氧烷、2
‑
乙基甲基氨基
‑
2,4,4,6,6
‑
五甲基环三硅氧烷、2
‑
异丙基氨基
‑
2,4,4,6,6
‑
五甲基环三硅氧烷、2
‑
二甲基氨基
‑
2,4,4,6,6,8,8
‑
七甲基环四硅氧烷、2
‑
二乙基氨基
‑
2,4,4,6,6,8,8
‑
七甲基环四硅氧烷、2
‑
乙基甲基氨基
‑
2,4,4,6,6,8,8
‑
七甲基环四硅氧烷、2
‑
异丙基氨基
‑
2,4,4,6,6,8,8
‑
七甲基环四硅氧烷、2
‑
二甲基氨基
‑
2,4,6
‑
三甲基环三硅氧烷、2
‑
二乙基氨基
‑
2,4,6
‑
三甲基环三硅氧烷、2
‑
乙基甲基氨基
‑
2,4,6
‑
三甲基环三硅氧烷、2
‑
异丙基氨基
‑
2,4,6
...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧满超，M，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：