【技术实现步骤摘要】
长晶炉进气结构及长晶炉
[0001]本专利技术涉及晶体生长设备领域,具体地涉及一种长晶炉进气结构及长晶炉。
技术介绍
[0002]长晶炉是用于人工合成晶体的设备。在利用长晶炉获取碳化硅晶体时,首先需要将高纯碳化硅粉料置于密闭的石墨坩埚中,而后将密闭的石墨坩埚放入长晶炉的腔体内,利用真空泵对腔体抽取真空后向腔体内通入定量惰性气体,然后通过感应线圈实现石墨坩埚的感应加热以合成碳化硅晶体,同时炉体上设有石英玻璃制成的测温窗口,以通过红外测温仪获取腔体内的温度并根据温度调节加热功率。而在晶体合成的过程中,腔体内的气氛中会生成有一定量的挥发物,挥发物凝结在测温窗口表面会影响红外测温仪获取腔内温度的准确性,进而影响加热温度的准确性。目前是通过定期更换石英玻璃或者磨抛石英玻璃以保证测温窗口的洁净,但是这种方式会导致石英玻璃的损耗较大,成本较高,且更换及磨抛石英玻璃还会造成人力资源的消耗。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的通过更换或磨抛石英玻璃以保证测温窗口的洁净而导致的成本较高以及人力消耗 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种长晶炉进气结构,其特征在于,包括:炉体(1),所述炉体(1)设有具有开口的反应腔体(2);和端盖(4),所述端盖(4)用于封闭所述开口,所述端盖(4)设有测温通道(5),所述测温通道(5)的一端与所述反应腔体(2)连通,另一端设有测温窗(6),所述测温通道(5)的通道壁设有用于向所述测温通道(5)内部通入吹扫气的第二进气口(7)。2.根据权利要求1所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述测温通道(5)的所述另一端在所述端盖(4)上形成通道口,所述端盖(4)上设有环绕所述通道口的密封圈(8),所述测温窗(6)设置在所述密封圈(8)上并封闭所述通道口。3.根据权利要求1所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述测温通道(5)内设有沿其横向设置的滤网(9),所述滤网(9)位于所述第二进气口(7)与所述反应腔体(2)之间。4.根据权利要求3所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述测温通道(5)的内周壁上设有沿其周向的环形安装槽,所述滤网(9)嵌设在所述安装槽内。5.根据权利要求3所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述滤网(9)为环形结构,环形结构形成的中孔用于红外测温线通过。6.根据权利要求5所述的长晶炉进气结构,其特征在于,所述滤网(9)的网孔直径为0.3mm
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0.5mm,所述中孔的直径为7mm
技术研发人员:鲍慧强,李宪宾,王增泽,井琳,刘振洲,刘冬冬,乔建东,杨帅,刘素娟,刘雪梅,叶欣怡,赵然,
申请(专利权)人:国宏中宇科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:
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