一种碳化硅晶体生长装置和设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅晶体生长装置和设备，涉及碳化硅晶体制备技术领域；该生长装置包括生长坩埚、承托盘及坩埚盖；生长坩埚具有第一腔室；承托盘设置于第一腔室内并与第一腔室的底端间隔设置，承托盘贯穿开设有开孔；坩埚盖盖设于生长坩埚。该碳化硅晶体生长能阻挡原料碳化所产生的碳颗粒到达籽晶位置，且能保证籽晶处气相中的Si和C的占比均匀，以降低碳化硅晶体中的质量缺陷。该碳化硅晶体生长设备包括上述的碳化硅晶体生长装置。因此，其也具有能降低碳化硅晶体中的质量缺陷的优点。点。点。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体生长装置和设备


[0001]本技术涉及碳化硅晶体制备
，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和设备。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是第三代宽带隙半导体材料的代表材料，其禁带宽度大、临界击穿电场强度高、载流子饱和迁移速度高、热导率高，并具有极好的化学稳定性正是基于上述优异的物理化学性质，SiC在微电子和光电子领域有着广泛的应用。
[0003]目前碳化硅单晶生长以物理气相输运法(PVT)为主要生长方式，已经被证明是生长SiC晶体最成熟的方法。其主要工艺过程是将SiC粉料加热到2200～2500℃升华，同时在惰性气氛的保护下，使升华的气氛在冷端籽晶上结晶成为碳化硅晶体。
[0004]但是，现有技术中，碳化硅晶体生长的过程十分漫长，往往需要100h以上，如此漫长的时间容易导致碳化硅粉料产生的气相中的Si和C的占比失衡，使其容易出现碳化现象。原料碳化所产生的碳颗粒会随着气流被带到晶体表面，则容易形成碳包裹，碳包裹的形成直接导致晶体质量的下降，严重时还会诱发MPD，多型等质量缺陷，导致整颗晶体的报废，对实际生产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：生长坩埚，所述生长坩埚具有第一腔室；承托盘，所述承托盘设置于所述第一腔室内并与所述第一腔室的底端间隔设置，所述承托盘贯穿开设有开孔；以及坩埚盖，坩埚盖盖设于生长坩埚。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述碳化硅晶体生长装置还包括支撑部，所述支撑部设置于所述生长坩埚内，所述承托盘支撑于所述支撑部。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述支撑部为支撑环，所述支撑环的周向与所述生长坩埚的侧壁连接。4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述碳化硅晶体生长装置还包括石墨盘，所述石墨盘具有孔隙结构，且位于所述坩埚盖与所述承托盘之间，所述石墨盘、所述坩埚盖以及所述生长坩埚的坩埚壁围成第二腔室，所述第二腔室与所述第一腔室通过所述孔隙结构连通。5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述坩埚盖具有伸入所述第二腔室的安装部，所述石墨盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁文博，蔡文必，廖弘基，洪棋典，杨树，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：