一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置，包括由上至下依次设置的晶体生长区，气氛传输区，粉料升华区与换料区，所述换料区包括依次并排设置的出料冷却室，副室与装料室，所述副室与出料冷却室之间设有可活动的第一隔热板，所述副室与装料室之间设有可活动的第一隔热板，所述副室的中心处设有升降托，用于将装料坩埚升起至粉料升华区或者下降至副室，在粉料升华区的底部设置了换料区，通过换料区添加粉料，从而实现连续换料进行长时间高质量的碳化硅大晶体生长，避免了因换料而降温停炉，换料完毕后重新升温，降低了成本，节约了时间，提高了生产效率。提高了生产效率。提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置


[0001]本技术涉及碳化硅晶体生长设备，尤其涉及一种可连续供给粉料，节省成本，提高生产效率的可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置。

技术介绍

[0002]目前，碳化硅晶体生长最主流的方法是采用物理气相法进行，但是常规的物理气相法生长炉都是单次运行方式，即装一次料进行生长，长晶结束后取出来再进行下一次。这种模式最大的弊端就是由于粉料无法持续供给，导致生长的晶锭尺寸(中心轴向长度)比较小，无法持续长大。另外就是这种单次运行方式导致频繁升温、降温不仅浪费成本，更是消耗了大量的时间，影响工作效率。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是为了解决现有碳化硅晶体生长炉都是单次运行，无法实现生长中换料的缺陷而提供一种可连续供给粉料，节省成本，提高生产效率的可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置，包括由上至下依次设置的晶体生长区，气氛传输区，粉料升本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括由上至下依次设置的晶体生长区，气氛传输区，粉料升华区与换料区，所述换料区包括依次并排设置的出料冷却室，副室与装料室，所述副室与出料冷却室之间设有可活动的第一隔热板，所述副室与装料室之间设有可活动的第一隔热板。2.根据权利要求1所述的一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述副室，所述粉料升华区以及所述晶体生长区分别设有独立的进气管道与出气管道。3.根据权利要求1所述的一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述副室位于粉料升华区的正下方，副室与粉料升华区之间设有可活动的第二隔热板。4.根据权利要求1所述的一种可连续换料进行持续生长高质量碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述气氛传输区连通所述晶体生长区与所述粉料升华区。5.根据权利要求1所述的一种可连续换料进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚哲，徐所成，沈典宇，姚秋鹏，陈鹏磊，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：新型
国别省市：