【技术实现步骤摘要】
上盖耐高压的陶瓷高压硅堆
[0001]本技术涉及陶瓷高压硅堆的
,具体是一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆。
技术介绍
[0002]对于现有的陶瓷高压硅堆来说,其外壳主要由陶瓷壳体以及一个金属的上盖组成。上盖均为金属平行封焊的结构,换句话说,上盖就是一层金属盖。参见图2,图2示出了现有技术中陶瓷高压硅堆的外壳结构。当电压超过一定数值后,内部芯片容易因为绝缘问题和上盖产生拉弧和放电击穿等现象,影响产品的安全使用,为了解决这一问题,本技术提出一种新的解决方案。
技术实现思路
[0003]为解决上述问题,即当电压超过一定数值后,芯片容易和上盖产生拉弧和放电击穿等现象,本技术提出了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,其包括陶瓷壳体和金属盖,在金属盖的内侧还设置有二层绝缘盖。
[0004]本技术的进一步设置为:所述陶瓷壳体设置有用于放置所述二层绝缘盖的凹台。
[0005]本技术的进一步设置为:所述二层绝缘盖采用陶瓷材质。
[0006]本技术的有益技术效果为:
[0007]1、通过设置二层绝缘盖,隔离了芯片与金属盖,大大增加了产品整体的可靠性和耐压性。
[0008]2、凹台的设计既方便二层绝缘盖的安放的定位又不影响金属盖的安装。
附图说明
[0009]图1是本技术中陶瓷高压硅堆的剖视图。
[0010]图2是现有技术中陶瓷高压硅堆的剖视图。
[0011]附图标记:1、陶瓷壳体;11、凹台;2、金属盖;3、二层绝缘盖。
具体实施方式
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,包括陶瓷壳体(1)和金属盖(2),其特征在于:在金属盖(2)的内侧还设置有二层绝缘盖(3)。2.根据权利要求1所述的上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:张蕾,刘洋,孙晨亮,
申请(专利权)人:阜新嘉隆电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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