上盖耐高压的陶瓷高压硅堆制造技术

技术编号:32990069 阅读:31 留言:0更新日期:2022-04-09 12:42
本实用新型专利技术公开了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,涉及陶瓷高压硅堆的技术领域,本实用新型专利技术旨在解决当电压超过一定数值后,芯片容易和上盖产生拉弧和放电击穿等现象的问题,本实用新型专利技术包括陶瓷壳体和金属盖,在金属盖的内侧还设置有二层绝缘盖。侧还设置有二层绝缘盖。侧还设置有二层绝缘盖。

【技术实现步骤摘要】
上盖耐高压的陶瓷高压硅堆


[0001]本技术涉及陶瓷高压硅堆的
,具体是一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆。

技术介绍

[0002]对于现有的陶瓷高压硅堆来说,其外壳主要由陶瓷壳体以及一个金属的上盖组成。上盖均为金属平行封焊的结构,换句话说,上盖就是一层金属盖。参见图2,图2示出了现有技术中陶瓷高压硅堆的外壳结构。当电压超过一定数值后,内部芯片容易因为绝缘问题和上盖产生拉弧和放电击穿等现象,影响产品的安全使用,为了解决这一问题,本技术提出一种新的解决方案。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题,即当电压超过一定数值后,芯片容易和上盖产生拉弧和放电击穿等现象,本技术提出了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,其包括陶瓷壳体和金属盖,在金属盖的内侧还设置有二层绝缘盖。
[0004]本技术的进一步设置为:所述陶瓷壳体设置有用于放置所述二层绝缘盖的凹台。
[0005]本技术的进一步设置为:所述二层绝缘盖采用陶瓷材质。
[0006]本技术的有益技术效果为:
[0007]1、通过设置二层绝缘盖,隔离了芯片与金属盖,大大增加了产品整体的可靠性和耐压性。
[0008]2、凹台的设计既方便二层绝缘盖的安放的定位又不影响金属盖的安装。
附图说明
[0009]图1是本技术中陶瓷高压硅堆的剖视图。
[0010]图2是现有技术中陶瓷高压硅堆的剖视图。
[0011]附图标记:1、陶瓷壳体;11、凹台;2、金属盖;3、二层绝缘盖。
具体实施方式
[0012]下面参照附图来描述本技术的优选实施方式。本领域技术人员应当理解的是,这些实施方式仅仅用于解释本技术的技术原理,并非旨在限制本技术的保护范围。
[0013]参见图1,本技术提出了一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,包括陶瓷壳体1和金属盖2。在金属盖2的内侧还设置有二层绝缘盖3,二层绝缘盖3采用陶瓷材质。二层绝缘盖3起到了隔离芯片与金属盖2的作用,大大增加了产品整体的可靠性和耐压性。具体的安装结构是:在陶瓷壳体1上设置有用于放置二层绝缘盖3的凹台11,可以是粘接固定或是过盈
配合安装。安装结构的优点是:1、方便二层绝缘盖3的安放的定位;2、不影响金属盖2的安装;3、没有对陶瓷壳体1外轮廓的改动,所以可以参照现有的实用场景继续使用。
[0014]虽然已经参考优选实施例对本技术进行了描述,但在不脱离本技术的范围的情况下,可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件,尤其是,只要不存在结构冲突,各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本技术并不局限于文中公开的特定实施例,而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
[0015]在本技术的描述中,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系,这仅仅是为了便于描述,而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0016]此外,还需要说明的是,在本技术的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域技术人员而言,可根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0017]术语“包括”或者任何其它类似用语旨在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、物品或者设备/装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其它要素,或者还包括这些过程、物品或者设备/装置所固有的要素。
[0018]至此,已经结合附图所示的优选实施方式描述了本技术的技术方案,但是,本领域技术人员容易理解的是,本技术的保护范围显然不局限于这些具体实施方式。在不偏离本技术的原理的前提下,本领域技术人员可以对相关技术特征作出等同的更改或替换,这些更改或替换之后的技术方案都将落入本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,包括陶瓷壳体(1)和金属盖(2),其特征在于:在金属盖(2)的内侧还设置有二层绝缘盖(3)。2.根据权利要求1所述的上盖耐高压的陶瓷高压硅堆,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:张蕾刘洋孙晨亮
申请(专利权)人:阜新嘉隆电子有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1