半导体模块制造技术

提供了一种半导体模块，其包括低侧开关、高侧开关和控制芯片。低侧开关和高侧开关被布置成彼此横向邻近，并且通过开关节点连接器耦合以形成半桥电路。开关节点连接器包括两个或更多个支路，所述两个或更多个支路具有相对于低侧开关和高侧开关的布置，并且各自具有横截面积。两个或更多个支路的布置和横截面积被选择成使开关节点连接器内的电流密度分布变得均质。均质。均质。

【技术实现步骤摘要】
半导体模块

技术介绍

[0001] 用于功率电子应用中的晶体管通常用硅（Si）半导体材料来制造。用于功率应用的常见晶体管器件包括Si Cool
‑
MOS
®
、Si功率MOSFET和Si绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这些晶体管器件可连接在一起以提供电路或电路部分。例如，两个晶体管器件可以电连接以形成半桥电路。这种电路通常需要控制电路，其包括可用于切换晶体管的栅极驱动器电路。
[0002] 被耦合以形成半桥电路的两个晶体管器件和具有控制电路的器件可以容纳在单个半导体封装内，其可被称为功率级。由于封装内有限空间可用空间，在封装或模块中的器件之间提供连接具有一些挑战。EP 2 463 904 A2公开了一种多芯片功率方形扁平无引线封装，其中，该封装的引线框被用于电互连。然而，对包括多于一个半导体器件的封装的改善是合期望的。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术，提供了一种半导体模块，其包括低侧开关、高侧开关和控制芯片。低侧开关和高侧开关被布置成彼此横向邻近，并且通过开关节点连接器耦合以形成半桥电路。开关节点连接器包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块（10、30、40、80、90），包括：低侧开关（11）；高侧开关（12）；控制芯片（13）；其中，所述低侧开关（11）和所述高侧开关（12）被布置成彼此横向邻近，并且通过开关节点连接器（14）耦合以形成半桥电路，并且其中，所述开关节点连接器（14）包括两个或更多个支路（15、16），所述两个或更多个支路具有相对于所述低侧开关（11）和相对于所述高侧开关（12）的布置，并且各自具有横截面积，其中，所述两个或更多个支路（15、16）的所述布置和所述横截面积被选择成使所述开关节点连接器（14）内的电流密度分布变得均质。2.根据权利要求1所述的半导体模块（10、30、40、80、90），其中，所述开关节点连接器（14）包括布置在所述低侧开关（11）上的第一部分（21）、布置在所述高侧开关（12）上的第二部分（22），并且所述两个或更多个支路（15、16）在所述第一部分（21）与所述第二部分（22）之间延伸，其中，所述两个或更多个支路（15、16）彼此间隔开。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块（10、30、40、80、90），其中，所述第二支路（16）具有比所述第一支路（15）的横截面积更小的横截面积，和/或所述第二支路（16）具有比所述第一支路（15）的长度更大的长度。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块（10、30、40、80、90），其中，所述开关节点连接器（14）在所述低侧开关（11）的漏极焊盘（23、43）与所述高侧开关（12）的源极焊盘（24、47）之间延伸，并且所述两个或更多个支路（15、16）位于所述低侧开关（11）的漏极焊盘（23、43）与所述高侧开关（12）的源极焊盘（24、47）之间。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块（10、30、40、80），其中，所述开关节点连接器（14）具有导电层（60）的形式，所述导电层包括至少一个孔（25）以形成彼此物理间隔开的第一支路（15）和第二支路（16）。6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块（90），其中，所述开关节点连接器（14）具有接触夹（91）的形式，其包括至少一个孔（92）以形成彼此物理间隔开的第一支路（15）和第二支路（16）。7.根据权利要求5或6所述的半导体模块（10、30、40、80、90），其中，所述孔（25、92）至少部分地位于所述控制芯片（13）上方。8.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体模块（10、30、40、90），其中，所述第一支路和第二支路（15、16）围绕所述控制芯片（13）的相对侧而延伸。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：