一种探测器材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于新材料技术领域。本发明专利技术提供了一种探测器材料的制备方法，本发明专利技术通过在砷化镓衬底表面外延缓冲层，并在缓冲层上沉积二氧化硅层，利用光刻、刻蚀的工艺对缓冲层上条形生长区域内的二氧化硅层刻蚀掉，且条形生长区域的宽度连续变化，最后利用分子束外延技术在设置的外延生长条件参数下进行探测器材料的外延生长。由于到达衬底表面的原子的迁移率相同，条形生长区域的宽度不同导致迁移到条形生长区域的原子数目不同，从而使得材料的组分随着条形生长区域宽度的变化而发生改变或层厚随着条形生长区域宽度的变化而发生改变。本发明专利技术所提出的这种半导体材料制备方法可提供高质量材料，推动多色、宽光谱探测器的发展和应用。用。用。

【技术实现步骤摘要】
一种探测器材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及新材料
，尤其涉及一种探测器材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]光电探测器是指能将收集到的光信号转换为可度量的电信号的一种半导体器件，充当设备的“眼睛”。在现代战争所用电子装备中，红外热成像技术对提高夜视、防空和侦察能力起着十分重要的作用。为满足夜视、火控、侦察、监视、精确制导和光电对抗等军事应用，需要使用工作在各种红外波段的大规格、高均匀性、非制冷、宽谱、多色探测器，这对红外探测器及其材料提出了新的更高的要求，必须提高原有探测器材料的性能，并开发新型的材料来实现宽谱、多色高性能探测器从而使得探测信息更丰富、更精确和可靠，得到待测物的“彩色”图像，提升对待测目标的识别能力。
[0003]多色红外探测器能够在多个波段对探测目标的特征信息进行采集。多色探测器具有能够识别不同颜色、多波长的探测能力，可提供被测物体的更多信息。多色光电探测器具有效率更高、目标识别能力更强，误警率更低、空间分辨率更高等优点。现有的红外成像系统大多是单色探测器，不适用于精确温度测定和对未知比辐射率的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种探测器材料的制备方法，其特征在于，包含下列步骤：(1)在衬底表面生长镓化合物，得到缓冲层衬底；(2)在缓冲层表面沉积二氧化硅，得到二氧化硅薄膜衬底；(3)在二氧化硅薄膜表面顺次进行光刻和刻蚀，得到条形生长层衬底；(4)在条形生长层表面生长量子阱或超晶格，即得所述探测器材料。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中衬底为砷化镓衬底；所述镓化合物为砷化镓或锑化镓。3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中生长的温度为560～600℃，速度为0.5～1ML/s。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中缓冲层衬底的缓冲层厚度为90～110nm。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中沉积的压强为100～150Pa，沉积的射频功率为140～160W，沉积的温度为280～320℃；所述二氧化硅薄膜的厚度为30～40nm。6.如权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中光刻的紫外光波长为360～370nm，所述光刻的曝光剂量为15～20mW/cm2，所述光刻的曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志鹏，唐吉龙，贾慧民，李科学，林逢源，陈锐，宿世臣，马晓辉，王晓华，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：