半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统技术方案

本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统，半导体器件的制作方法，包括：于衬底上形成半导体结构；在半导体结构中沿第一方向形成第一开口，第一开口穿过部分的半导体结构；在第一开口内填入填充块；在填充块中形成第二开口，第二开口沿第一方向贯穿填充块，且被填充块的剩余部分所形成的填充衬壁所环绕；依据第二开口，在半导体结构中形成包括第二开口的第三开口，第三开口沿第一方向向衬底延伸。通过在第二开口的侧壁形成有填充衬壁，填充衬壁对侧壁起保护作用，从而改善形成的第三开口的形貌，进而提高器件的良率和可靠性。良率和可靠性。良率和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件、制作方法、三维存储器及存储系统。

技术介绍

[0002]近年来，闪存(Flash Memory)存储器的发展尤为迅速。闪存存储器的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维存储器(3D NAND Flash)应运而生。三维存储器中形成有交替堆叠的多层数据存储单元，将平面结构转化为立体结构，以提高三维存储器的存储密度和集成度。三维存储器可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，从而带来很大程度的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
[0003]随着3D NAND技术的发展，三维存储器的堆叠层数增加，形成三维存储器的工艺难度越来越大，随之带来各种各样的挑战。在3D NAND的工艺中，深孔刻蚀是一道本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，包括：于衬底上形成半导体结构；在所述半导体结构中沿第一方向形成第一开口，所述第一开口穿过部分的所述半导体结构；在所述第一开口内填入填充块；在所述填充块中形成第二开口，所述第二开口沿所述第一方向贯穿所述填充块，且被所述填充块的剩余部分所形成的填充衬壁所环绕；依据所述第二开口，在所述半导体结构中形成包括所述第二开口的第三开口，所述第三开口沿所述第一方向向所述衬底延伸。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一方向为垂直于所述衬底的方向。3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成半导体结构的步骤包括：形成设置于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替堆叠的牺牲层和绝缘层。4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三开口沿所述第一方向贯穿所述半导体结构并延伸至所述衬底中。5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三开口沿所述第一方向延伸，并设置在所述半导体结构中。6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法，还包括：在所述半导体结构上形成第一硬掩膜层；在所述第一硬掩膜层上形成具有与所述第一开口的位置相对应的第一硬掩膜层开口，所述第一开口在第二方向的宽度大于所述第一硬掩膜层开口在所述第二方向的宽度，所述第二方向为平行于所述衬底的方向；其中，所述第二开口是依据所述第一硬掩膜层开口而形成于所述填充块中。7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体结构对所述填充块的刻蚀选择比大于1。8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一开口内填入填充块之后，还包括：对所述半导体结构在所述第一方向上的表面进行化学机械研磨。9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述依据所述第二开口，形成包括所述第二开口的第三开口之后，还包括：去除所述填充衬壁。10.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述半导体结构中形成至少一个第一开口，具体包括：在所述半导体结构的所述第一方向上形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层上具有至少一个第二硬掩膜层开口；依据所述第二硬掩膜层开口，形成第一开口，所述第一开口穿过部分的所述半导体结构。
11.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述填充块的填充材料包括碳或氧化铝。12.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，郑安发，陶源，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：