半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以使第一半导体层横向凹陷。在经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件。在第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构。去除虚设栅极结构以暴露鳍结构的第一部分。去除经横向凹陷的第一半导体层。形成栅极结构以围绕每个第二半导体层。个第二半导体层。个第二半导体层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进 步产生了几代IC，其中每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。在 IC的发展过程中，功能密度(即每个芯片面积的互连器件的数量)通常增 加，而几何尺寸(即可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))减少。 这种缩小过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包 括：形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层 和多个第二半导体层；形成跨所述鳍结构的虚设栅极结构，使得所述虚设 栅极结构覆盖所述鳍结构的第一部分，同时所述鳍结构的第二部分被暴 露；去除所述鳍结构的暴露的第二部分；在去除所述鳍结构的第二部分之 后，使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以 横向凹陷所述鳍结构的第一部分中的所述第一半导体层，其中，所述选择 性蚀刻工艺以比蚀刻所述第二半导体层更快的蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层；形成跨所述鳍结构的虚设栅极结构，使得所述虚设栅极结构覆盖所述鳍结构的第一部分，同时所述鳍结构的第二部分被暴露；去除所述鳍结构的暴露的第二部分；在去除所述鳍结构的第二部分之后，使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，以横向凹陷所述鳍结构的第一部分中的所述第一半导体层，其中，所述选择性蚀刻工艺以比蚀刻所述第二半导体层更快的蚀刻速率蚀刻所述第一半导体层；在所述鳍结构的第一部分的经横向凹陷的第一半导体层的相反端面形成内部间隔件；在所述鳍结构的第一部分中的所述第二半导体层的相反端面形成源极/漏极外延结构；去除所述虚设栅极结构以暴露所述鳍结构的第一部分；去除所述鳍结构的暴露的第一部分中的经横向凹陷的第一半导体层，同时保留所述鳍结构的暴露的第一部分中的所述第二半导体层悬置在所述衬底之上；以及形成栅极结构以围绕每个悬置的第二半导体层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氢气体是HF气体。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含氢气体与所述含氟气体的流速比为20％到80％。4.根据权利要求1所述的方法，其中，用于执行所述选择性蚀刻工艺的温度在0摄氏度到90摄氏度的范围内。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在执行所述选择性蚀刻工艺之前，对所述第一半导体层和所述第二半导体层执行氢自由基处理。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氢自由基处...

【专利技术属性】
技术研发人员：林含谕，李芳苇，林启德，布力汗，沈泽民，林立德，林斌彦，杨承慈，李慈莉，林执中，
申请(专利权)人：台积电南京有限公司，
类型：发明
国别省市：