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本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种方法，包括形成鳍结构，该鳍结构包括在衬底之上交替堆叠的多个第一半导体层和多个第二半导体层。跨鳍结构形成虚设栅极结构。去除鳍结构的暴露的第二部分。使用包括含氢气体和含氟气体的气体混合物执行选择性蚀刻工艺，...
该专利属于台积电（南京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台积电（南京）有限公司授权不得商用。

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