双电源自动切换电路制造技术

本申请涉及一种双电源自动切换电路，使用少量的逻辑门器件就搭建出一个双电源自动切换电路，可以实现第一电源和第二电源的自动转换，不但实现了超低功耗，而且能实现防反向充电和防漏电的功能，且采用的都是逻辑门器件，工艺移植性强，布设面积非常小。布设面积非常小。布设面积非常小。

【技术实现步骤摘要】
双电源自动切换电路


[0001]本申请涉及供电电路
，特别是涉及一种双电源自动切换电路。

技术介绍

[0002]主副双电源对电路系统供电时，通常需要对主电源和备用电源做一个选择来对系统供电。传统双电源供电电路中，一般是通过设置芯片，并撰写代码烧录入芯片中，以使芯片可以主动控制主副电源互相切换。
[0003]然而，如果某个电源供电不足，例如掉电，导致没有及时切换到另一个电源时，会导致整个电路系统掉电，从而导致整个电路系统工作异常。因此传统双电源供电电路为了克服这个问题，一般会采取自动控制切换主副电源的方式，当主电源上电，则主电源工作，主电源掉电，则备用电源工作，为了实现自动控制，就需要对主电源进行电压检测，因此会用复杂的电压检测模拟电路，为了防止主副电源的反向漏电和充电，也会使用复杂的保护电路，不仅消耗电路总成布设面积，同时带来功耗的增加。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对传统双电源供电电路电路总成布设面积大，功耗多的问题，提供一种超低功耗和小布设面积的双电源自动切换电路。
[0005]本申请提供一种双电源自动切换电路，包括：
[0006]第一电源；
[0007]第一反相器电路，与所述第一电源电连接；
[0008]第二反相器电路，与所述第一反相器电路连接；
[0009]第二电源，与所述第一反相器电路连接；所述第二电源还与所述第二反相器电路连接；
[0010]levelshift电路，连接于所述第一反相器电路与所述第二反相器电路之间的连接链路上；所述levelshift电路还与所述第一电源连接；所述levelshift电路还与所述第二电源连接；
[0011]功率管电路，与所述第一反相器电路连接；所述功率管电路还与所述第二反相器电路连接，所述功率管电路还与所述levelshift电路连接；所述功率管电路还与所述第一电源连接；所述功率管电路还与所述第二电源连接；
[0012]输出端，与所述功率管电路连接。
[0013]进一步地，所述第一反相器电路包括：
[0014]第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第一电源电连接；所述第一MOS管的源极与所述第二电源电连接；
[0015]第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述第一电源电连接，所述第二MOS管的栅极还与所述第一MOS管的栅极电连接；所述第二MOS管的源极接地；所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极电连接。
[0016]进一步地，所述第二反相器电路包括：
[0017]第三MOS管，所述第三MOS管的源极与所述第二电源电连接；
[0018]第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极电连接；所述第四MOS管的源极接地；所述第四MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极电连接；
[0019]所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极之间的连接链路，与所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极之间的连接链路通过第一导线电连接，所述第一导线作为所述第一反相器电路与所述第二反相器电路之间的连接链路。
[0020]进一步地，所述levelshift电路包括：
[0021]第五MOS管，所述第五MOS管的源极与所述第一电源电连接；
[0022]第六MOS管，所述第六MOS管的栅极连接于所述第一导线；所述第六MOS管的源极接地；所述第六MOS管的漏极与所述第五MOS管的漏极电连接。
[0023]进一步地，所述levelshift电路还包括：
[0024]第七MOS管，所述第七MOS管的栅极与所述第五MOS管的漏极电连接；所述第七MOS管的源极与所述第一电源电连接；所述第七MOS管的漏极与所述第五MOS管的栅极电连接；
[0025]第八MOS管，所述第八MOS管的栅极与所第一电源电连接；所述第八MOS管的源极接地；所述第八MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极电连接。
[0026]进一步地，所述功率管电路包括：
[0027]第一功率管，所述第一功率管的栅极电连接于所述第七MOS管与所述第八MOS管之间的连接链路上；所述第一功率管的源极与所述第一电源电连接；
[0028]第二功率管，所述第二功率管的栅极与所述第一导线电连接；所述第二功率管的源极接地；所述第二功率管的漏极与所述第一功率管的漏极电连接；所述第二功率管与所述输出端通过第二导线电连接。
[0029]进一步地，所述功率管电路还包括：
[0030]第三功率管，所述第三功率管的栅极电连接于所述第三MOS管与所述第四MOS管之间的连接链路上；所述第三功率管的源极与所述第二电源电连接；
[0031]第四功率管，所述第四功率管的栅极电连接于所述第五MOS管与所述第六MOS管之间的连接链路上；所述第四功率管的源极与所述第二导线电连接；所述第四功率管的漏极与所述第三功率管的漏极电连接。
[0032]进一步地，所述双电源自动切换电路还包括：
[0033]电容，包括上极板和下极板，所述上极板与所述第二功率管的源极电连接，所述下极板接地；所述第二导线的一端电连接于所述第二功率管的源极与所述电容之间的连接链路上，所述第二导线的另一端与所述输出端电连接。
[0034]进一步地，所述第一电源的输出电压值大于或等于所述第二电源的输出电压值。
[0035]进一步地，所述第一MOS管、所述第三MOS管、所述第五MOS管、所述第七MOS管、所述第一功率管、所述第二功率管、所述第三功率管和所述第四功率管为PMOS管；
[0036]所述第二MOS管、所述第四MOS管、所述第六MOS管和所述第八MOS管为NMOS管。
[0037]本申请涉及一种双电源自动切换电路，使用少量的逻辑门器件就搭建出一个双电源自动切换电路，可以实现第一电源和第二电源的自动转换，不但实现了超低功耗，而且能实现防反向充电和防漏电的功能，且采用的都是逻辑门器件，工艺移植性强，布设面积非常
小。
附图说明
[0038]图1为本申请一实施例提供的双电源自动切换电路的电路示意图。
[0039]图2为本申请另一实施例提供的双电源自动切换电路的电路示意图。
[0040]附图标记：
[0041]100
‑
第一电源；200
‑
第一反相器电路；210
‑
第一MOS管；
[0042]211
‑
第一MOS管的栅极；212
‑
第一MOS管的源极；213
‑
第一MOS管的漏极；
[0043]220
‑
第二MOS管；221
‑
第二MOS管的栅极；222
‑
第二MOS管的源极；
[0044]223
‑
第二MOS管的漏极；300
‑
第二反相器电路；310
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双电源自动切换电路，其特征在于，包括：第一电源；第一反相器电路，与所述第一电源电连接；第二反相器电路，与所述第一反相器电路连接；第二电源，与所述第一反相器电路连接；所述第二电源还与所述第二反相器电路连接；levelshift电路，连接于所述第一反相器电路与所述第二反相器电路之间的连接链路上；所述levelshift电路还与所述第一电源连接；所述levelshift电路还与所述第二电源连接；功率管电路，与所述第一反相器电路连接；所述功率管电路还与所述第二反相器电路连接，所述功率管电路还与所述levelshift电路连接；所述功率管电路还与所述第一电源连接；所述功率管电路还与所述第二电源连接；输出端，与所述功率管电路连接。2.根据权利要求1所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述第一反相器电路包括：第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述第一电源电连接；所述第一MOS管的源极与所述第二电源电连接；第二MOS管，所述第二MOS管的栅极与所述第一电源电连接，所述第二MOS管的栅极还与所述第一MOS管的栅极电连接；所述第二MOS管的源极接地；所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极电连接。3.根据权利要求2所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述第二反相器电路包括：第三MOS管，所述第三MOS管的源极与所述第二电源电连接；第四MOS管，所述第四MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极电连接；所述第四MOS管的源极接地；所述第四MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极电连接；所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极之间的连接链路，与所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极之间的连接链路通过第一导线电连接，所述第一导线作为所述第一反相器电路与所述第二反相器电路之间的连接链路。4.根据权利要求3所述的双电源自动切换电路，其特征在于，所述levelshift电路包括：第五MOS管，所述第五MOS管的源极与所述第一电源电连接；第六MOS管，所述第六MOS管的栅极连接于所述第一导线；所述第六MOS管的源极接地；所述第六MOS管的漏极与所述第五MOS管的漏极电连接。5.根据权利要求4所述的双电源自动切...

【专利技术属性】
技术研发人员：张智印，谢冉，任梓豪，
申请(专利权)人：杭州雄迈集成电路技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：