本申请提供一种半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法。调整晶圆翘曲度的方法包括：在晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层；根据晶圆在不同方向的翘曲度，将晶圆划分为至少一个晶圆部分和其余晶圆部分，其中，至少一个晶圆部分的翘曲度大于其余晶圆部分的翘曲度；以及向吸光层的对应于至少一个晶圆部分的区域照射激光束，以减小至少一个晶圆部分与其余晶圆部分的翘曲度的差值。部分与其余晶圆部分的翘曲度的差值。部分与其余晶圆部分的翘曲度的差值。
【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法
[0001]本申请涉及半导体
具体地，本申请涉及一种半导体器件及其形成方法以及调整晶圆翘曲度的方法。
技术介绍
[0002]晶圆以及在晶圆上形成半导体结构的过程中，由于薄膜和晶圆以及薄膜和薄膜之间的晶格失配、热失配等原因，晶圆在不同方向会发生不同程度的翘曲。如果晶圆翘曲度过大会导致无法被拉平，从而无法进入机台。此外，如果晶圆在不同方向上的翘曲度差异过大，将会影响在其上形成的半导体结构的键合等对晶圆平整度要求较高的工艺制程。
[0003]应当理解，该
技术介绍
部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景，然而，这些内容并不一定属于在本申请的申请日之前本领域技术人员已知或理解的内容。
技术实现思路
[0004]本申请的一方面提供一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件包括晶圆，其中，所述晶圆的至少一部分的翘曲度大于其余晶圆部分的翘曲度，所述方法包括：在所述晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层；以及向所述吸光层的对应于所述晶圆的所述至少一部分的区域照射激光束，以减小所述至少一部分与所述其余晶圆部分的翘曲度的差值。
[0005]在本申请的一个实施方式中，其中，所述吸光层的吸光率大于所述应力层的吸光率。
[0006]在本申请的一个实施方式中，其中，所述吸光层的吸光率为0.5～8，所述应力层的吸光率小于0.5。
[0007]在本申请的一个实施方式中，其中，所述吸光层的吸光系数大于所述应力层的吸光系数。
[0008]在本申请的一个实施方式中，其中，所述吸光层的吸光系数为0.01nm
‑
1～1nm
‑1，所述应力层的吸光系数为1
×
10
‑
10
nm
‑
1～1
×
10
‑3nm
‑1。
[0009]在本申请的一个实施方式中，其中，所述应力层包括氮化硅和非晶态的氧化铝中的至少一种，并且所述吸光层包括钨和氮化钛中的至少一种。
[0010]在本申请的一个实施方式中，所述方法还包括：在所述晶圆的一侧形成与所述应力层或所述吸光层接触的结合层。
[0011]在本申请的一个实施方式中，所述方法还包括：在所述晶圆的与所述一侧相对的另一侧形成第一半导体结构；以及在所述第一半导体结构上键合第二半导体结构。
[0012]本申请的另一方面提供一种调整晶圆翘曲度的方法，包括：在晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层；根据所述晶圆在不同方向的翘曲度，将所述晶圆划分为至少一个晶圆部分和其余晶圆部分，其中，所述至少一个晶圆部分的翘曲度大于所述其余晶圆部分的翘曲度；以及向所述吸光层的对应于所述至少一个晶圆部分的区域照射激光束，以减
小所述至少一个晶圆部分与所述其余晶圆部分的翘曲度的差值。
[0013]在本申请的一个实施方式中，其中，所述吸光层的吸光率大于所述应力层的吸光率。
[0014]在本申请的一个实施方式中，其中，所述吸光层的吸光系数大于所述应力层的吸光系数。
[0015]在本申请的一个实施方式中，其中，所述应力层包括氮化硅和非晶态的氧化铝中的至少一种，并且所述吸光层包括钨和氮化钛中的至少一种。
[0016]本申请的再一方面提供一种半导体器件，包括：晶圆；至少一层应力层，位于所述晶圆的一侧，所述应力层的至少一个应力部分和其余应力部分的应力不同；以及吸光层，位于所述晶圆的所述一侧且与所述应力层接触。
[0017]在本申请的一个实施方式中，所述半导体器件包括至少两层所述应力层，其中，所述吸光层位于相邻的所述应力层之间。
[0018]在本申请的一个实施方式中，其中，所述至少一个应力部分包括晶态部分，并且所述其余应力部分包括非晶态部分。
[0019]在本申请的一个实施方式中，其中，所述至少一个应力部分包括晶态的氧化铝，并且所述其余应力部分包括非晶态的氧化铝。
[0020]在本申请的一个实施方式中，其中，所述吸光层包括钨或氮化钛中的至少一种。
[0021]在本申请的一个实施方式中，所述半导体器件还包括：结合层，位于所述晶圆的一侧并与所述应力层或所述吸光层接触。
[0022]在本申请的一个实施方式中，所述半导体器件包括：第一半导体结构，位于所述晶圆的与所述一侧相对的另一侧；以及第二半导体结构，与所述第一半导体结构键合。
附图说明
[0023]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施方式的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更加明显。在附图中，
[0024]图1和图2为相关技术中的晶圆由于应力分布不均匀而呈现的翘曲形状示意图。
[0025]图3为相关技术中改善晶圆翘曲所采用的在晶圆上沉积应力薄膜的示意图。
[0026]图4为根据本申请的一些实施方式的改善晶圆翘曲度的方法的流程示意图。
[0027]图5
‑
图9为根据本申请的一些实施方式的改善晶圆翘曲度的方法的工艺示意图。
[0028]图10为根据本申请的一些实施方式的半导体器件的形成方法的流程示意图。
[0029]图11为根据本申请的一些实施方式的半导体器件的形成方法的工艺示意图。
具体实施方式
[0030]为了更好地理解本申请，将参考附图对本申请的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本申请的示例性实施方式的描述，而非以任何方式限制本申请的范围。在说明书全文中，相同的附图标号指代相同的元件。
[0031]注意，说明书中对“一个实施方式”、“实施方式”、“示例实施方式”、“一些实施方式”等的引用指示所描述的实施方式可以包括特定特征、结构或特性，但是其它实施方式并不一定包括该特定特征、结构或特性。此外，当结合实施方式描述特定特征、结构或特性时，
无论是否明确描述，结合其他实施方式实现这种特征、结构或特性都将在相关领域技术人员的知识范围内。
[0032]通常，术语可以至少部分地从上下文中的使用来理解。例如，至少部分地取决于上下文，诸如“一”或“所述”的术语可以被理解为传达单数用法或传达复数用法，这至少部分地取决于上下文。
[0033]应容易理解的是，在本申请中的“上”、“上方”和“之上”的含义应该以最广泛的方式来解释，使得“上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还包括“在某物上”并且其间具有中间特征或层的含义，并且“上方”或“之上”不仅意味着在某物“上方”或“之上”的含义，而且还可以包括在某物“上方”或“之上”并且其间不具有中间特征或层(即，直接在某物上)的含义。
[0034]此外，诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语在本文中为了便于描述可以用于描述一个元件或特征与另一个(多个)元件或(多个)特征的如图中所示的关系。空间相对术语旨在涵盖器件在使用或操作中的除了图中描绘的取向之外的不同取向。
[0035]如在本文使用的，术语“本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.半导体器件的形成方法，所述半导体器件包括晶圆，其中，所述晶圆的至少一部分的翘曲度大于其余晶圆部分的翘曲度，其特征在于，所述方法包括：在所述晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层；以及向所述吸光层的对应于所述晶圆的所述至少一部分的区域照射激光束，以减小所述至少一部分与所述其余晶圆部分的翘曲度的差值。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸光层的吸光率大于所述应力层的吸光率。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述吸光层的吸光率为0.5～8，所述应力层的吸光率小于0.5。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述吸光层的吸光系数大于所述应力层的吸光系数。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述吸光层的吸光系数为0.01nm
‑1～1nm
‑1，所述应力层的吸光系数为1
×
10
‑
10
nm
‑1～1
×
10
‑3nm
‑1。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力层包括氮化硅和非晶态的氧化铝中的至少一种，并且所述吸光层包括钨和氮化钛中的至少一种。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述晶圆的一侧形成与所述应力层或所述吸光层接触的结合层。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述晶圆的与所述一侧相对的另一侧形成第一半导体结构；以及在所述第一半导体结构上键合第二半导体结构。9.一种调整晶圆翘曲度的方法，包括：在晶圆的一侧形成相互接触的应力层和吸光层；根据所述晶圆在不同方向的翘曲度，将所述晶圆划分为至少一个晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢炜，刘力恒，范冬宇，张静，王迪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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