用于SE太阳能电池的磷扩散方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种用于SE太阳能电池的磷扩散方法，其包括：(1)提供硅片；(2)在所述硅片的正面形成多道激光槽；(3)将步骤(2)得到的硅片加载至扩散炉中，通入大氮、小氮和/或氧气，对硅片表面和四周进行扩散处理；其中，所述激光槽设置位置与SE激光开槽位置相同。相应的，本发明专利技术还公开了该磷扩散方法在SE太阳能电池制备中的应用。实施本发明专利技术，可有效提升硅片正面电极区的掺杂浓度，降低非电极区的掺杂浓度，进而在制备成太阳能电池后，有效降低载流子复合，提升开路电压，提升转换效率。提升转换效率。

【技术实现步骤摘要】
用于SE太阳能电池的磷扩散方法及其应用


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种用于SE太阳能电池的磷扩散方法及其应用。

技术介绍

[0002]目前常见的SE电池的制备工艺为：将硅片制绒，扩散形成PN结，采用激光在正面进行重掺杂(重掺杂区域为副栅电极形成区域)，刻蚀去除四周及背面的磷硅玻璃，在硅片背面形成钝化膜，正面形成减反膜，背面开槽，印刷电极，烧结。其中，磷扩散在硅片表面及四周形成了扩散层；激光重掺杂则是在正面副栅电极区域进行激光划线，从而将扩散形成的PSG进一步推进到硅片内部，进而形成N
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发射极，在后期印刷金属浆料，实现金属化；而不形成发射极的区域则采用减反膜进行钝化，形成非金属化区。对于金属化区而言，发射极的掺杂浓度越高，其性能越好；而对于非金属化区域而言，较大的掺杂浓度会带来较高的表面复合，弱化表面钝化效果，降低转换效率。因此，为了提升SE太阳能电池的效率，应尽可能的提升金属化区域的掺杂浓度，并尽可能的降低非金属化区域的掺杂浓度。这对于现有工艺来说是相互矛盾的，因为要提高金属化区域的掺杂浓度，必然意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于SE太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括：(1)提供硅片；(2)在所述硅片的正面形成多道激光槽；(3)将步骤(2)得到的硅片加载至扩散炉中，通入氮气、携磷源氮气和/或氧气，对硅片表面和四周进行扩散处理；其中，所述激光槽设置位置与SE激光开槽位置相同。2.如权利要求1所述的用于SE太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，步骤(2)中，所述激光槽的宽度为70～100μm，深度为0.1～0.3μm。3.如权利要求1所述的用于SE太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，步骤(2)中，形成激光槽的激光的功率为18～22W，频率为1600～2000kHz，雕刻速度为35000～40000mm/s。4.如权利要求1所述的用于SE太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，步骤(3)包括：(3.1)将步骤(2)得到的硅片加载至扩散炉中，升温至765～785℃；(3.2)维持温度为765～785℃，向扩散炉中通入氮气和氧气，进行预氧化；(3.3)升温至780～805℃，向扩散炉中通入氮气、携磷源氮气和氧气，进行沉积；(3.4)升温至820～860℃，向扩散炉中通入氮气和氧气，进行有氧推进；(3.5)维持温度为840～860℃，向扩散炉中通入氮气，进行无氧推进；(3.6)降温至775～790℃，降温过程中向扩散炉中通入氮气；(3.7)维持温度为775～790℃，向扩散炉中通入携磷源氮气和氧气，进行沉积；(3.8)降温至760～775℃，向扩散炉中通入氮气和氧气，进行氧化；(3.9)降温至715～730℃，将硅片退出扩散炉。5.如权利要求3所述的用于SE太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，步骤(3.6)包括：以14～18℃/min的降温速率降温至820～830℃，降温过程中通入流量为2000～2500sccm的氮气；在820～830℃恒温15～22s；恒温过程中通入流量为2000～2500sccm的氮气；以10～14℃/min的降温速率降温至795～805℃，降温过程中通入流量为2000～2500sccm的氮气；以7～9.5℃/min的降温速率降温至775～785℃，降温过程中通入流量为2000～2500sccm的氮气。6.如权利要求5所述的用于SE太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，步骤(3.6)包括：以16℃/min的降温速率降...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵一程，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱旭科技有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司珠海富山爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：