刻蚀系统技术方案

本申请涉及一种刻蚀系统包括：刻蚀腔，用于对基片进行刻蚀；检测腔，用于对基片的刻蚀结果进行检测；沉积腔，用于对检测腔内检测后的的基片进行沉积；光学检测装置，包括光学模块以及检测控制模块，光学模块位于检测腔内，用于在检测控制模块的控制下检测对基片的刻蚀结果；其中，基片在刻蚀腔、沉积腔、检测腔之间转移时处于真空状态；中控设备，电连接检测控制模块，用于根据基片的刻蚀结果控制检测腔内的基片进入沉积腔或者刻蚀腔。本申请可以有效提高半导体产品生产良率。效提高半导体产品生产良率。效提高半导体产品生产良率。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀系统


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种刻蚀系统。

技术介绍

[0002]在进行半导体器件加工时，经常要对需要进行工艺加工的基片进行刻蚀，然后再对刻蚀后的基片上进行沉积，以形成所需产品。工艺过程中，刻蚀过程与沉积过程通常分开进行加工控制。但是采用该种加工方式对一些半导体(例如第三代半导体)器件成型时，会影响器件性能及产品成型良率等。
[0003]随着半导体技术的发展，对器件性能的要求越来越高，因此亟需对现有加工系统进行改善，以提高器件性能。

技术实现思路

[0004]基于此，本申请实施例提供一种可以提高器件性能的刻蚀系统。
[0005]一种刻蚀系统，其特征在于，包括：
[0006]刻蚀腔，用于对基片进行刻蚀；
[0007]检测腔，用于对所述基片的刻蚀结果进行检测；
[0008]沉积腔，用于对所述检测腔内检测后的的所述基片进行沉积；
[0009]光学检测装置，包括光学模块以及检测控制模块，光学模块位于所述检测腔内，用于在所述检测控制模块的控制下检测对所述基片的刻蚀结果；
[0010]其中，基片在所述刻蚀腔、沉积腔、检测腔之间转移时处于真空状态；
[0011]中控设备，电连接所述检测控制模块，用于根据所述基片的刻蚀结果控制所述检测腔内的基片进入所述沉积腔或者所述刻蚀腔。
[0012]在其中一个实施例中，
[0013]刻蚀系统包括至少两个刻蚀腔，所述至少两个刻蚀腔包括低密度刻蚀腔和高密度刻蚀腔；
[0014]所述中控设备还用于根据所述基片状态，控制基片进入低密度刻蚀腔和/或高密度刻蚀腔。
[0015]在其中一个实施例中，
[0016]所述光学模块包括光发射单元与光接收单元，所述光发射单元用于向所述基片发送检测光束，所述光接收单元用于接收所述基片的反馈光束，并将所述反馈光束转化成电信号；
[0017]所述检测控制模块包括光源单元、发光控制单元以及分析单元，所述发光控制单元电连接所述光源单元，用于控制所述光源单元为所述光发射单元提供光源，所述分析单元电连接所述光接收单元，用于根据所述电信号分析所述基片的刻蚀结果。
[0018]在其中一个实施例中，所述检测腔内还设有：
[0019]温度检测装置，温度检测装置用于检测所述基片的温度；
[0020]降温装置，用于对刻蚀后的所述基片进行降温。
[0021]在其中一个实施例中，
[0022]所述刻蚀系统还包括传送腔，所述传送腔具有传送闸板阀，所述传送闸板阀关闭时将所述传送腔内部与外部相隔离，所述传送腔内部设有机械手；所述中控设备控制所述传送腔旋转，或者所述中控设备控制所述传送腔旋转且控制所述传送腔向其设有所述传送闸板阀的方向移动，且在所述传送腔与对应的其他腔室的压强相同时，所述中控设备控制所述传送闸板阀打开。
[0023]在其中一个实施例中，
[0024]所述刻蚀腔朝向所述传送腔一侧具有刻蚀闸板阀，所述刻蚀闸板阀关闭时将所述刻蚀腔内部与外部相隔离；
[0025]所述检测腔朝向所述传送腔一侧具有检测闸板阀，所述检测闸板阀关闭时将所述检测腔内部与外部相隔离；
[0026]所述沉积腔朝向所述传送腔一侧具有沉积闸板阀，所述沉积闸板阀关闭时将所述沉积腔内部与外部相隔离，所述检测腔、所述传送腔、所述刻蚀腔以及所述沉积腔均连接抽真空系统，以使得所述传送腔与其他腔室之间在真空状态下转移所述基片。
[0027]在其中一个实施例中，所述刻蚀系统还包括外围腔，所述传送腔、所述刻蚀腔、所述检测腔以及所述沉积腔均位于所述外围腔内，所述外围腔也连接抽真空系统；
[0028]或所述刻蚀腔、所述检测腔及所述沉积腔围成内围腔，所述传送腔位于所述内围腔内，所述内围腔也连接抽真空系统。
[0029]在其中一个实施例中，
[0030]所述刻蚀系统还包括测试腔，所述测试腔朝向所述传送腔一侧具有测试闸板阀，所述测试闸板阀关闭时将所述测试腔内部与外部相隔离，所述测试腔用于对沉积中外延片和/或沉积后的所述基片上形成的产品进行性能测试。
[0031]在其中一个实施例中，
[0032]所述中控设备在所述沉积腔的沉积过程中，控制沉积腔暂停沉积，且控制所述机械手将所述基片由所述沉积腔运送至所述测试腔，以检测沉积过程中的所述基片上形成的产品的性能；且根据检测结果判断继续沉积或终止沉积；
[0033]和/或，所述中控装置在所述沉积腔沉积结束时，控制所述机械手将基片由所述沉积腔运送至所述测试腔，以检测沉积后的的所述基片上形成的产品性能。
[0034]在其中一个实施例中，所述刻蚀系统还包括装卸腔，所述装卸腔位于所述外围腔内，用于实现基片的装卸，所述装卸腔朝向所述传送腔一侧具有装卸闸板阀，所述装卸闸板阀关闭时将所述装卸腔内部与外部相隔离。
[0035]上述刻蚀系统，通过检测腔、光学检测装置以及中控设备的设置，可以对刻蚀后的基片的质量进行有效监控，从而有利于提高基于基片而形成的器件的性能。并且，检测腔在对基片的刻蚀结果进行监控的同时，还可以起到对刻蚀腔刻蚀后的基片进行降温的作用，从而防止基片在后续沉积时发生裂片或者片内形成裂纹，从而进一步提高器件性能。同时，基片在刻蚀腔、沉积腔以及检测腔之间转移时处于真空状态，从而可以有效减少空气中的C、O和其他施主杂质等外界污染，从而进一步提高器件性能以及产品良率。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0037]图1为一实施例中提供的刻蚀系统的结构示意图；
[0038]图2为一实施例中提供的刻蚀系统的光学检测装置与中控设备的结构框图；
[0039]图3为另一实施例中提供的刻蚀系统的结构示意图；
[0040]图4为又一实施例中提供的刻蚀系统的结构示意图；
[0041]图5为再一实施例中提供的刻蚀系统的结构示意图。
具体实施方式
[0042]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0043]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0044]应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀系统，其特征在于，包括：刻蚀腔，用于对基片进行刻蚀；检测腔，用于对所述基片的刻蚀结果进行检测；沉积腔，用于对所述检测腔内检测后的所述基片进行沉积；光学检测装置，包括光学模块以及检测控制模块，光学模块位于所述检测腔内，用于在所述检测控制模块的控制下检测对所述基片的刻蚀结果；其中，基片在所述刻蚀腔、所述沉积腔、所述检测腔之间转移时处于真空状态；中控设备，电连接所述检测控制模块，用于根据所述基片的刻蚀结果控制所述检测腔内的基片进入所述沉积腔或者所述刻蚀腔。2.根据权利要求1所述的刻蚀系统，其特征在于，刻蚀系统包括至少两个刻蚀腔，所述至少两个刻蚀腔包括低密度刻蚀腔和高密度刻蚀腔；所述中控设备还用于根据所述基片状态，控制基片进入低密度刻蚀腔和/或高密度刻蚀腔。3.根据权利要求1或2所述的刻蚀系统，其特征在于，所述光学模块包括光发射单元与光接收单元，所述光发射单元用于向所述基片发送检测光束，所述光接收单元用于接收所述基片的反馈光束，并将所述反馈光束转化成电信号；所述检测控制模块包括光源单元、发光控制单元以及分析单元，所述发光控制单元电连接所述光源单元，用于控制所述光源单元为所述光发射单元提供光源，所述分析单元电连接所述光接收单元，用于根据所述电信号分析所述基片的刻蚀结果。4.根据权利要求1或2所述的刻蚀系统，其特征在于，所述检测腔内还设有：温度检测装置，温度检测装置用于检测所述基片的温度；降温装置，用于对刻蚀后的所述基片进行降温。5.根据权利要求1或2所述的刻蚀系统，其特征在于，所述刻蚀系统还包括传送腔，所述传送腔具有传送闸板阀，所述传送闸板阀关闭时将所述传送腔内部与外部相隔离，所述传送腔内部设有机械手；所述中控设备控制所述传送腔旋转，或者所述中控设备控制所述传送腔旋转且控制所述传送腔向其设有所述传送闸板阀的方向移动；且在所述传送腔与对应的其他腔室的压强相同时，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国斌，刘宗亮，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：