一种新型的用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法技术

一种新型的用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法，设备平台包括：传送腔组，所述传送腔组包括多个传送腔；围绕所述传送腔组的侧部周围排布的缓冲腔组和工艺腔组，所述工艺腔组包括围绕所述传送腔组的部分侧部排布的多个工艺腔，所述缓冲腔组包括多个缓冲腔，所述缓冲腔分别位于所述传送腔组的侧部。所述设备平台的输出能力得到提高。备平台的输出能力得到提高。备平台的输出能力得到提高。

【技术实现步骤摘要】
一种新型的用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种新型的用于半导体器件制造的设备平台及其工作方法。

技术介绍

[0002]在典型的等离子体刻蚀工艺中，不同的工艺气体组合在射频(Radio frequency)环境中经过射频激励作用形成等离子体。形成的等离子体在刻蚀腔体上下电极电场作用下与晶圆表面发生物理轰击和化学反应，完成对晶圆表面设计图案和关键工艺的处理过程。典型的刻蚀腔体包括容性耦合腔体(CCP)和感性耦合腔体(ICP)两种。
[0003]传统的用于半导体器件制造的团簇型设备平台包括：一个用于大气条件下进行晶圆传输的设备前端模块(包括大气传输机器人)、一个用于真空条件下进行晶圆传输的传送腔体(包括真空传输机器人)、若干个介于设备前端模块和传送腔体之间的缓冲腔体、以及若干个环绕传送腔体周围且呈团簇型分布的晶圆处理腔体；用于半导体器件制造的团簇型设备平台还包括一些附属模块，如缓冲腔体与设备前端模块之间、缓冲腔体与传送腔体之间、传送腔体与晶圆处理腔体之间的隔离阀组等。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，包括：传送腔组，所述传送腔组包括多个传送腔；围绕所述传送腔组的侧部周围排布的缓冲腔组和工艺腔组，所述工艺腔组包括围绕所述传送腔组的部分侧部排布的多个工艺腔，所述缓冲腔组包括多个缓冲腔，所述缓冲腔分别位于所述传送腔组的侧部。2.根据权利要求1所述的新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，所述传送腔组包括第一传送腔至第N传送腔，N为大于或等于2的整数；所述缓冲腔组包括第一缓冲腔至第N缓冲腔，第j缓冲腔位于第j传送腔的侧部，j为大于或等于1且小于或等于N的整数。3.根据权利要求2所述的新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，所述传送腔组和所述缓冲腔组沿着第一方向排布；第一传送腔至第N传送腔沿着第二方向排布；所述第一缓冲腔至第N缓冲腔沿着第二方向排布；所述第二方向垂直于所述第一方向。4.根据权利要求3所述的新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，所述传送腔组具有沿着第一方向上相对的第一侧和第二侧、以及沿着第二方向上相对的第三侧和第四侧；所述多个工艺腔包括第一工艺腔至第N+2工艺腔；所述缓冲腔组位于所述传送腔组的第一侧，第一工艺腔至第N工艺腔位于所述传送腔组的第二侧，第N+1工艺腔位于所述传送腔组的第三侧，第N+2工艺腔位于所述传送腔组的第四侧；第j传送腔位于第j缓冲腔和第j工艺腔之间。5.根据权利要求2至4任意一项所述的新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，N等于2。6.根据权利要求1所述的新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，还包括：分别位于所述传送腔中的第一传输机器人。7.根据权利要求1所述的新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，还包括：设备前端模块，所述设备前端模块位于所述缓冲腔组背向所述传送腔组的一侧。8.根据权利要求7所述的新型的用于半导体器件制造的设备平台，其特征在于，所述设备前端模块包括：设备前端模块主...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朋兵，陈世名，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：