半导体结构以及半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构以及半导体结构的形成方法，其中，半导体结构包括：基底，包括阵列区和外围区，外围区内具有第一隔离结构，阵列区内具有第二隔离结构，第一隔离结构的顶部开口面积大于第二隔离结构的顶部开口面积；第一隔离结构中具有第一凹槽，以及用于填充第一凹槽的第一绝缘结构；第一绝缘结构至少包括顶隔离层，顶隔离层顶部表面与基底顶部表面齐平，且顶隔离层至少包括低介电常数材料。本发明专利技术实施例通过外围区的第一绝缘结构填充第一隔离结构中的第一凹槽，从而防止外围区浅沟槽隔离结构出现边缘漏电等缺陷，以提高形成的最终器件的良率，并防止浅沟槽隔离结构的性能损失。的性能损失。的性能损失。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构以及半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构以及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造过程中，通常使用隔离结构来隔离设于基底上的众多材料，隔离结构通常为浅沟槽隔离结构(Shallow Trench Isolation，STI)。
[0003]浅沟槽隔离结构的沟槽占据面积小，可以更好地适应关键尺寸较小的半导体器件，同时浅沟槽隔离结构的性能对于最后形成的半导体器件的性能和良率是至关重要的。
[0004]然而，当半导体器件的关键尺寸缩小到28nm节点及以下时，浅沟槽隔离结构轮廓越来越难控制。例如，在后续形成埋入字线结构时，传统的干法清洗和湿法清洗会损伤浅沟槽隔离结构，可能会造成浅沟槽隔离结构高度低于衬底，会导致浅沟槽隔离结构边缘漏电等缺陷，降低半导体器件的可靠性，进而导致最终器件的良率和性能的损失。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种半导体结构以及半导体结构的形成方法，通过填充被损伤的浅沟槽隔离结构，以提高形成的最终器件的良率，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，包括阵列区和外围区，所述外围区内具有第一隔离结构，所述阵列区内具有第二隔离结构，所述第一隔离结构的顶部开口面积大于所述第二隔离结构的顶部开口面积；所述第一隔离结构中具有第一凹槽，以及用于填充所述第一凹槽的第一绝缘结构；所述第一绝缘结构至少包括顶隔离层，所述顶隔离层顶部表面与所述基底顶部表面齐平，且所述顶隔离层至少包括低介电常数材料。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述顶隔离层的材料至少包括氮氧化硅、氮碳氧化硅、氮硼化硅、氮氧硼化硅或氮碳化硅中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述外围区包括隔离凹槽，所述第一隔离结构用于填充所述隔离凹槽，且所述第一隔离结构包括依次设置在隔离凹槽侧壁的第一氧化层、阻挡层和第二氧化层；所述第一氧化层和所述第二氧化层顶部表面的高度低于所述阻挡层的顶部表面的高度；所述第一氧化层、所述阻挡层和所述基底围成第一开口；所述阻挡层和所述第二氧化层围成第二开口；所述第一开口和所述第二开口共同构成所述第一凹槽。4.根据权利要求1～3任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘结构还包括底隔离层，所述底隔离层位于所述第一凹槽顶部表面且位于所述顶隔离层底部表面。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述底隔离层与所述顶隔离层的材料不同，所述顶隔离层和所述底隔离层之间存在第一空气间隙。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构中具有第二凹槽，以及用于填充所述第二凹槽的第二绝缘结构；所述第二绝缘结构至少包括顶绝缘层，所述顶绝缘层顶部表面与所述基底顶部表面齐平，且所述顶绝缘层至少包括低介电常数材料。7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘结构还包括底绝缘层，所述底绝缘层位于所示第二凹槽顶部表面且位于所述顶绝缘层底部表面。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述底绝缘层与所述顶绝缘层的材料不同，所述顶绝缘层和所述底绝缘层之间存在第二空气间隙。9.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括阵列区以及外围区，所述外围区内具有第...

【专利技术属性】
技术研发人员：于有权，吴公一，张仕然，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：