一种GaN基器件隔离的方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN基器件隔离的方法，在GaN HEMT结构表面需要做器件隔离的区域蒸镀Fe膜，采用脉冲激光加热Fe膜覆盖区域，合理控制激光脉冲能量，加速Fe扩散进入样品并使样品重结晶，从而将Fe并入样品晶格。Fe杂质在GaN基材料中是深能级杂质，在需要隔离的区域掺杂Fe可形成高阻态，从而实现器件隔离的目的。该方法通过高能激光脉冲使样品出现重结晶，在重结晶过程中引入Fe杂质，能够减少隔离区域的缺陷密度。陷密度。陷密度。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN基器件隔离的方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制造
，涉及一种GaN基器件隔离的方法。

技术介绍

[0002]以GaN为代表的III族氮化物材料是直接带隙半导体，具有高击穿电场、高电子饱和迁移速度、抗辐照、耐高温等优势，在高效发光器件与电子器件领域应用广阔。其中，以AlGaN/GaN为代表的异质结构，由于氮化物强的极化效应再异质结界面处形成高电子迁移率、高浓度二维电子气(2DEG)，基于该结构制备的高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有大电流密度、高输出功率、高工作频率等优势，在高频以及大功率领域应用潜力巨大。
[0003]在制备HEMTs器件过程中，通常情况下，在同一个异质结材料上面会制备多个器件甚至对多个电路进行集成，为了避免器件之间的串扰及连通，需要将每个有源区进行隔离。
[0004]目前在AlGaN/GaN HEMT的制备工艺中主要有两种隔离方式，一种为台面刻蚀方式，一种为离子注入方式。台面隔离通过刻蚀掉两个有源区之间AlGaN/GaN异质结实现器件隔离，台面刻蚀过程中，刻蚀工艺在台面边缘与底部产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN基器件隔离的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)提供样品，在样品表面通过光刻露出需要做器件隔离的区域；2)在步骤1)所述样品的表面蒸镀金属膜；3)除需要做器件隔离区域覆盖的金属膜，去除其余金属膜；4)通过激光脉冲照射步骤3)剩余的金属膜覆盖区域，以使得金属扩散进入样品并使样品重结晶，将金属并入样品晶格；5)去除步骤4)残余的金属膜。2.根据权利要求1所述的一种GaN基器件隔离的方法，其特征在于，所述的金属膜为Fe金属膜，所用的Fe源纯度为99.999％。3.根据权利要求1或2所述的一种GaN基器件隔离的方法，其特征在于，所述的金属膜的厚度为1
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60nm。4.根据权利要求3所述的一种GaN基器件隔离的方法，其特征在于，所述的金属膜的厚度为1
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20nm。5.根据权利要求1或2所述的一种GaN基器件隔离的方法，其特征在于，步骤2)中，蒸镀金属膜的方法包括电子束蒸发，热蒸发或磁控溅射。6.根据权利要求5所述的一种GaN基器件隔离的方法，其特征在于，蒸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蓉，开翠红，皮孝东，刘小平，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：