一种提高浅沟槽填充能力的STI结构及其填充方法技术

本申请公开了一种提高STI浅沟槽填充能力的方法，包括：STI浅沟槽完成第一次填充物沉积后，去除部分所述第一次填充物，使所述第一次填充物内部的空洞外露；完成STI浅沟槽第二次填充物的沉积。在提高STI浅沟槽填充能力的方法中，通过两次进行STI的沟槽填充，在两次STI沟槽填充的步骤间，通过化学机械研磨使第一次STI沟槽填充完之后填充物内部出现的空洞外露，以使第二次STI沟槽填充后，确保STI填充物中不会出现空洞。中不会出现空洞。中不会出现空洞。

【技术实现步骤摘要】
一种提高浅沟槽填充能力的STI结构及其填充方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种提高浅沟槽填充能力的STI结构及其填充方法。

技术介绍

[0002]浅沟槽隔离，即Shallow Trench Isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。
[0003]浅沟槽隔离技术制作主动区域之间的绝缘结构已逐渐被普遍采用。STI结构的形成通常是先在半导体基底上沉积一层氮化硅层，然后图案化此氮化硅层形成硬掩膜。接着蚀刻基底，在相邻的元件之间形成陡峭的沟渠。最后，在沟渠中填入氧化物形成元件隔离结构，高密度等离子体化学气相沉积(HDP)工艺具有优良的填孔性，并且可在相对较低的温度下填充深宽比大的间隙，且采用HDP工艺沉积的薄膜质量较好，未经退火处理薄膜的湿法刻蚀速率与热氧化硅接近，且杂质含量低，利于保证器件的工作范围和稳定性。但是在利用HDP沉积氧化物层作为浅沟槽填充时，无法避免地容易在沟槽侧壁的肩部产生氧化物的堆积。当氧化物堆积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高STI浅沟槽填充能力的方法，其特征在于，包括：STI浅沟槽完成第一次填充物沉积后，去除部分所述第一次填充物，使所述第一次填充物内部的空洞外露；完成STI浅沟槽第二次填充物的沉积。2.根据权利要求1所述的提高STI浅沟槽填充能力的方法，其特征在于，STI浅沟槽完成第一次填充物沉积后，对所述填充物进行化学机械研磨，直至露出半导体衬底上覆盖的垫氧化层，所述第一次填充物内部的空洞外露。3.根据权利要求1所述的提高STI浅沟槽填充能力的方法，其特征在于，利用HDP工艺对所述STI浅沟槽完成第一次填充物沉积。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王妍，宋欢欢，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：