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本申请公开了一种提高STI浅沟槽填充能力的方法，包括：STI浅沟槽完成第一次填充物沉积后，去除部分所述第一次填充物，使所述第一次填充物内部的空洞外露；完成STI浅沟槽第二次填充物的沉积。在提高STI浅沟槽填充能力的方法中，通过两次进行STI...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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