本发明专利技术提供一种芯片内干扰测试方法，其包括步骤：搭建测试环境，将第一低噪声放大器的输入端连接至第一元器件的的第一端，第一低噪声放大器的输出端连接至矢量网络分析仪的第二探测通道端口；并将第二低噪声放大器的输入端连接至矢量网络分析仪的第一探测通道端口，第二低噪声放大器的输出端连接至另一个第二元器件的第一端；控制设备的信号控制输出端连接至待测芯片的信号控制输入端；供电并启动工作；获得干扰波形图像，通过控制设备将第一低噪声放大器和第二低噪声放大器同时打开，将S21参数波形在矢量网络分析仪上显示。本发明专利技术实施例还提供一种芯片内干扰测试系统。与相关技术相比，采用本发明专利技术的技术方案的易于操作且测试效率高。测试效率高。测试效率高。
【技术实现步骤摘要】
芯片内干扰测试方法和芯片内干扰测试系统
[0001]本专利技术涉及芯片测试
，尤其涉及一种芯片内干扰测试方法和芯片内干扰测试系统。
技术介绍
[0002]随着低噪声放大器的应用越来越广泛，低噪声放大器的性能指标要求高，集成多个低噪声放大器的芯片之间的干扰影响到低噪声放大器的性能指标，测试芯片内多个低噪声放大器的干扰测试成为重要测试指标。
[0003]相关技术中的测试芯片内多个低噪声放大器的测试系统,请参考图1所示，相关技术中的测试系统包括测试芯片CHIP、信号源设备M1、频谱仪M2、移动产业处理器接口(Mobile Industry Processor Interface简称MIPI)盒子M3、电源设备M4、第一元器件Z1以及第二元器件Z2。测试芯片CHIP包括第一低噪声放大器LNAA和第二低噪声放大器LNAB。相关技术中的测试系统连接关系为：所述第一低噪声放大器LNA的输入端连接至阻抗匹配为50欧姆的第一元器件LNAA的第一端，所述第一低噪声放大器的输出端连接至频谱仪M2的输入端；所述第二低噪声放大器LNAB的输入端连接至所述信号源设备M1的信号输出端，所述第二低噪声放大器LNAB的输出端连接至另一个阻抗匹配为50欧姆的第二元器件的第一端；移动产业处理器接口盒子M3的信号控制输出端连接至所述测试芯片CHIP的信号控制输入端；所述电源设备M4的电源电压输出端连接至所述测试芯片CHIP的电源电压输入端。
[0004]然而，相关技术中的测试系统需要信号源设备M1和频谱仪M2两台设备，测试人员对两台设备的调试和操作较为复杂，测试的时间长，造成测试的效率较低。
[0005]因此，实有必要提供一种新的方法和测试系统解决上述问题。
技术实现思路
[0006]针对以上现有技术的不足，本专利技术提出一种易于操作且测试效率高的芯片内干扰测试方法和芯片内干扰测试系统。
[0007]为了解决上述技术问题，第一方面，本专利技术的实施例提供了一种芯片内干扰测试方法，其用于测试待测芯片内的任意两个低噪声放大器之间的干扰，所述待测芯片包括第一低噪声放大器和第二低噪声放大器，提供控制设备和矢量网络分析仪，所述芯片内干扰测试方法包括如下步骤：
[0008]搭建测试环境，将所述第一低噪声放大器的输入端连接至阻抗匹配为50欧姆的第一元器件的第一端，所述第一低噪声放大器的输出端连接至所述矢量网络分析仪的第二探测通道端口；将所述第二低噪声放大器的输入端连接至所述矢量网络分析仪的第一探测通道端口，所述第二低噪声放大器的输出端连接至另一个阻抗匹配为50欧姆的第二元器件的第一端；所述控制设备的信号控制输出端连接至所述待测芯片的信号控制输入端；
[0009]供电并启动工作，将所述矢量网络分析仪和所述控制设备进行供电并进入工作模式，所述待测芯片上电启动；
[0010]获得干扰波形图像，通过所述控制设备将所述第一低噪声放大器和所述第二低噪声放大器同时打开，将S21参数波形在所述矢量网络分析仪上显示；所述S21参数波形为所述第二低噪声放大器对所述第一低噪声放大器的干扰波形曲线，且所述S21参数波形满足如下的干扰定义公式：
[0011]C＝10log(Pb1)
‑
10log(Pa2)，C为干扰量，Pb1为所述第二探测通道端口的信号输出功率，Pa2为所述第一探测通道端口的信号输入功率。
[0012]优选的，所述控制设备为移动产业处理器接口2.0盒子或者移动产业处理器接口3.0盒子。
[0013]优选的，所述待测芯片包括多组低噪声放大器组，每组所述低噪声放大器组包括一个所述第一低噪声放大器和一个所述第二低噪声放大器，所述矢量网络分析仪包括多组端口组，每组所述端口组包括一个所述第一探测通道端口和一个所述第二探测通道端口，每一组所述低噪声放大器组对应其中一组所述端口组并生成一个所述S21参数波形，多个所述S21参数波形可同时显示在所述矢量网络分析仪上。
[0014]优选的，所述待测芯片上电启动通过所述待测芯片连接至电源设备实现。
[0015]优选的，所述第一探测通道端口输出的信号为
‑
30dBm的信号。
[0016]优选的，所述第一元器件和所述第二元器件均为电阻。
[0017]第二方面，本专利技术的实施例提供了一种芯片内干扰测试系统，所述芯片内干扰测试系统应用如本专利技术的实施例提供的上述芯片内干扰测试方法，所述芯片内干扰测试系统包括：
[0018]待测芯片，所述待测芯片包括第一低噪声放大器和第二低噪声放大器；
[0019]电源设备，所述电源设备用于给所述待测芯片供电，所述电源设备的电源电压输出端连接至所述待测芯片的电源电压输入端，所述电源设备的接地端口连接至所述待测芯片的第一接地端口；
[0020]矢量网络分析仪，所述矢量网络分析仪包括第一探测通道端口和第二探测通道端口；所述第二低噪声放大器的输入端连接至所述矢量网络分析仪的第一探测通道端口，所述第一低噪声放大器的输出端连接至矢量网络分析仪的第二探测通道端口；
[0021]控制设备，所述控制设备用于控制所述第一低噪声放大器和所述第二低噪声放大器开启和关断，所述控制设备的信号控制输出端连接至所述待测芯片的信号控制输入端，
[0022]第一元器件，所述第一元器件的第一端连接至所述第一低噪声放大器的输入端，所述第一元器件的阻抗匹配为50欧姆；
[0023]第二元器件，所述第二元器件的第一端连接至所述第二低噪声放大器的输出端，所述第二元器件的阻抗匹配为50欧姆。
[0024]优选的，所述控制设备为移动产业处理器接口2.0盒子或者移动产业处理器接口3.0盒子，所述控制设备的接地端口连接至所述待测芯片的第二接地端口；所述控制设备的时钟输出端连接至所述待测芯片的时钟输入端；所述控制设备的数据输出端连接至所述待测芯片的数据输入端；所述控制设备的VIO输出端连接至所述待测芯片的VIO输入端。
[0025]优选的，所述控制设备为移动产业处理器接口2.0盒子。
[0026]优选的，所述第一元器件和所述第二元器件均为50欧姆的电阻。
[0027]与相关技术相比，本专利技术的芯片内干扰测试方法和芯片内干扰测试系统通过将所
述第一低噪声放大器的输入端连接至阻抗匹配为50欧姆的第一元器件的第一端，所述第一低噪声放大器的输出端连接至矢量网络分析仪的第二探测通道端口；并将所述第二低噪声放大器的输入端连接至所述矢量网络分析仪的第一探测通道端口，所述第二低噪声放大器的输出端连接至另一个阻抗匹配为50欧姆的第二元器件的第一端。并通过所述控制设备将所述第一低噪声放大器和所述第二低噪声放大器同时打开，将S21参数波形在所述矢量网络分析仪上显示。从而使得本专利技术的技术方案只需要一台矢量网络分析仪进行测试操作，测试系统简单并易于操作，避免了相关技术的测试系统需要两台设备进行调试和操作，从而使得本申请的技术方案易于操作且测试效率高。
附图说明
[0028]下面结合附图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片内干扰测试方法，其用于测试待测芯片内的任意两个低噪声放大器之间的干扰，所述待测芯片包括第一低噪声放大器和第二低噪声放大器，其特征在于，提供控制设备和矢量网络分析仪，所述芯片内干扰测试方法包括如下步骤：搭建测试环境，将所述第一低噪声放大器的输入端连接至阻抗匹配为50欧姆的第一元器件的第一端，所述第一低噪声放大器的输出端连接至所述矢量网络分析仪的第二探测通道端口；将所述第二低噪声放大器的输入端连接至所述矢量网络分析仪的第一探测通道端口，所述第二低噪声放大器的输出端连接至另一个阻抗匹配为50欧姆的第二元器件的第一端；所述控制设备的信号控制输出端连接至所述待测芯片的信号控制输入端；供电并启动工作，将所述矢量网络分析仪和所述控制设备进行供电并进入工作模式，所述待测芯片上电启动；获得干扰波形图像，通过所述控制设备将所述第一低噪声放大器和所述第二低噪声放大器同时打开，将S21参数波形在所述矢量网络分析仪上显示；所述S21参数波形为所述第二低噪声放大器对所述第一低噪声放大器的干扰波形曲线，且所述S21参数波形满足如下的干扰定义公式：C＝10log(Pb1)
‑
10log(Pa2)，C为干扰量，Pb1为所述第二探测通道端口的信号输出功率，Pa2为所述第一探测通道端口的信号输入功率。2.根据权利要求1所述的芯片内干扰测试方法，其特征在于，所述控制设备为移动产业处理器接口2.0盒子或者移动产业处理器接口3.0盒子。3.根据权利要求1所述的芯片内干扰测试方法，其特征在于，所述待测芯片包括多组低噪声放大器组，每组所述低噪声放大器组包括一个所述第一低噪声放大器和一个所述第二低噪声放大器，所述矢量网络分析仪包括多组端口组，每组所述端口组包括一个所述第一探测通道端口和一个所述第二探测通道端口，每一组所述低噪声放大器组对应其中一组所述端口组并生成一个所述S21参数波形，多个所述S21参数波形可同时显示在所述矢量网络分析仪上。4.根据权利要求1所述的芯片内干扰测试方法，其特征在于，所述待测芯片上电启动...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓刘磊，郭嘉帅，
申请(专利权)人：深圳飞骧科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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