一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构。所述封装结构包括顶部DBC、底部DBC、直流端子、输出端子、SiC芯片、垫片及驱动引针。直流端子由正、负端子叠层组成，叠层减小寄生电感。正端子与底部DBC连接，有两个焊接点和两个螺孔，这有利于保持回路对称；负端子与顶部DBC连接，有两个焊接点和一个居中螺孔，有利于保持回路对称。垫片分为缓冲垫片和连接垫片，缓冲垫片焊接在芯片与顶部DBC之间，起缓冲与连接作用，缓冲垫片的材料是金属钼，能缓解芯片热应力，防止芯片开裂。本发明专利技术能有效降低器件开关过程中的电压尖峰，并保证多芯片并联具有良好的均流性。另外，标准化模块设计，使该模块具有极好的拓展性。使该模块具有极好的拓展性。使该模块具有极好的拓展性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构


[0001]本专利技术涉及到一种半导体器件，特别是涉及到一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构。

技术介绍

[0002]功率半导体器件是电力电子变流器的核心部件。近年来，随着电力电子技术在新能源发电和电动汽车等领域的快速发展以及SiC等宽禁带半导体的开发，对功率半导体器件也提出了新的需求。
[0003]虽然SiC等宽禁带半导体比Si基半导体具有更高的工作温度、更高的击穿电压强度、更高的热导率以及更高的开关频率。然而，将基于Si功率器件的传统的封装技术用来对宽禁带半导体功率器件进行封装时，会带来两个较大的问题。一是传统封装技术采用引线键合来实现结构中复杂的内部互联，这会带来较大的寄生电感，在功率半导体器件关断时，较大寄生电感中存储的能最会造成电压尖峰和振荡，并可能增加损耗，随着近年来功率半导体器件开关速度越来越快，封装的寄生电感问题更为突出。因此为了保障功率器件和电力电子系统的性能和安全运行，在功率模块封装设计时需注意减小封装寄生电感。二是传统封装技术的散热方式多为单面散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有极低寄生电感的双面散热SiC半桥模块封装结构，其特征在于，所述封装结构包括DBC、直流端子、输出端子、SiC芯片、垫片及驱动引针；所述DBC包括顶部DBC和底部DBC；所述直流端子由正端子和负端子叠层形成；其中正端子与底部DBC连接，且正端子具有两个焊接点和两个螺孔，负端子与顶部DBC连接，且负端子具有两个焊接点和一个居中的螺孔，所述输出端子与底部DBC连接；所述顶部DBC上设置有连接垫片连接区和两组缓冲垫片连接区，每组缓冲垫片连接区均包括多个缓冲垫片连接区；其中一组缓冲垫片连接区到所述负端子的距离相等，另外一组缓冲垫片连接区到所述连接垫片连接区的距离相等；所述底部DBC上设置有两组芯片连接区，每组芯片连接区均包括多个芯片连接区，其中一组芯片连接区到正端子的距离相等，另外一组芯片连接区到输出端子的距离相等；所述芯片设置在所述芯片连接区上，所述底部DBC上还设有每一个芯片的驱动回路；所述垫片包括缓冲垫片、连接垫片和陶瓷垫片，所述缓冲垫片焊接在芯片与顶部DBC的缓冲垫片连接区之间，所述连接垫片焊接在顶部DBC的连接垫片连接区和底部DBC之间，所述陶瓷垫片置于正端子与负端子之间。2.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳宁，於少林，周伟男，刘元剑，
申请(专利权)人：合肥综合性国家科学中心能源研究院安徽省能源实验室，
类型：发明
国别省市：