钨沉积制造技术

本文描述了用钨填充特征的方法和相关装置。本文所述的方法涉及在沉积主体层之前沉积钨成核层。所述方法涉及多个原子层沉积(ALD)循环。根据多种实施方案，含硼还原剂和硅还原剂都可以在单个循环期间是脉冲的，以与含钨前体反应并形成钨膜。体反应并形成钨膜。体反应并形成钨膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】钨沉积
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]使用化学气相沉积(CVD)技术的钨(W)膜沉积为半导体制造处理的组成部分。例如，钨膜可用来作为低电阻率的电连接件，其形式包含水平内连线、相邻金属层之间的通孔、第一金属层与硅衬底上的设备之间的接触件。钨膜还可用于各种存储器应用和逻辑应用，存储器应用包含动态随机存取存储器(DRAM)的嵌入式字线(bWL)结构、3D NAND的字线的形成。然而，特征尺寸以及膜厚度的持续减小带来了各种挑战，包含沉积具有良好台阶覆盖率的膜。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

[0004]本公开的一个方面涉及一种方法，其包括：在室中提供包括特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：在室中提供包括特征的衬底；通过执行原子层沉积(ALD)处理的一个或多个循环在所述特征中沉积钨成核层，其中每个循环包括：使一种或多种含硼还原剂配料在所述室中流动，使一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动，其中所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料是连续的反应物配料，以及在使所述一种或多种含硼还原剂配料和所述一种或多种含硅还原剂配料在所述室中流动之后，使一种或多种含钨前体脉冲在所述室中流动。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征是3
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D NAND结构中的字线(WL)特征，所述3
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D NAND结构包括竖直取向的侧壁，所述侧壁中的多个开口通向多个水平取向的WL特征。3.根据权利要求1所述的方法，其还包括在连续的反应物配料之间清扫所述室。4.根据权利要求1所述的方法，其还包括在所述钨成核层上沉积主体钨层。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述主体钨层使用氢气(H2)作为还原剂通过原子层沉积处理来沉积。6.根据权利要求1所述的方法，其中每个循环以含硼还原剂配料开始。7.根据权利要求1所述的方法，其中每个循环以含硅还原剂配料开始。8.一种方法，其包括：提供包括竖直取向的侧壁的3
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D NAND结构，所述侧壁中的多个开口通向所述室中的多个水平取向的字线(WL)特征；通过执行原子层沉积(ALD)处理的一个或多个循环在所述WL特征中沉积钨成核层，其中每个循环包括：使一种或多种含硼还原剂配料在所述室中流...

【专利技术属性】
技术研发人员：普拉尼亚，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：