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本文描述了用钨填充特征的方法和相关装置。本文所述的方法涉及在沉积主体层之前沉积钨成核层。所述方法涉及多个原子层沉积(ALD)循环。根据多种实施方案，含硼还原剂和硅还原剂都可以在单个循环期间是脉冲的，以与含钨前体反应并形成钨膜。体反应并形成钨...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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