【技术实现步骤摘要】
存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0122197的优先权，出于所有目的，其全部公开内容通过引用并入本文。
[0003]本公开涉及存储器件。
技术介绍
[0004]存储器件可以提供写入和擦除数据或读取所记录的数据的功能。为了准确地读取被写入存储器件的数据，需要根据被写入每个存储单元的数据来适当地控制阈值电压的分布。如果在擦除所记录的数据的擦除操作之后没有适当地控制存储单元的阈值电压的分布，则编程操作之后的存储单元的分布也可能变差，并且存储器件的性能可能下降。
技术实现思路
[0005]一方面提供了一种存储器件，该存储器件在擦除操作期间将输入到与存储单元连接的字线的电压从第一偏压降低到第二偏压，从而显著降低在擦除操作中字线与沟道层之间的耦合分量(coupling component)的影响，并且减小存储单元的阈值电压分布的变化，从而改善存储器件的性能。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：单元区域，在所述单元区域中设置有多个存储块，每个存储块包括多个存储单元；以及外围电路区域，所述外围电路区域包括外围电路，所述外围电路控制所述多个存储块，并且被配置为以所述多个存储块中的每个存储块为单位执行擦除操作，其中，所述多个存储块中的每个存储块包括：堆叠在衬底上的多条字线，沿垂直于所述衬底的上表面的第一方向延伸并穿透所述多条字线的多个沟道结构，以及设置在所述衬底上并且连接到所述多个沟道结构的源极区，并且所述外围电路被配置为：在向所述多个存储块当中的目标存储块的所述源极区提供擦除电压的所述擦除操作期间，在第一时间点使第一字线的电压从第一偏压减小到第二偏压，并且在不同于所述第一时间点的第二时间点使不同于所述第一字线的第二字线的电压从第三偏压减小到第四偏压。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二字线在所述第一方向上设置在所述第一字线与所述衬底之间，并且所述第二时间点晚于所述第一时间点。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一字线包括多条第一字线，并且所述第二字线包括多条第二字线。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述外围电路包括连接到所述多条字线的多个传输元件，并且还被配置为在所述擦除操作期间向所述多个传输元件中的每个传输元件的栅极端子顺序地输入第一导通电压和小于所述第一导通电压的第二导通电压。5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，在所述源极区的电压增加到所述擦除电压的过渡时段期间，所述第一导通电压被输入到所述多个传输元件中的每个传输元件的栅极端子，并且在所述源极区的电压保持在所述擦除电压的保持时段期间，所述第二导通电压被输入到所述多个传输元件中的每个传输元件的栅极端子。6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一偏压不同于所述第三偏压。7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二偏压不同于所述第四偏压。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，执行所述擦除操作的擦除时间包括过渡时段和保持时段，在所述过渡时段内所述源极区的电压增加到所述擦除电压，在所述保持时段内所述源极区的电压保持在所述擦除电压，并且所述第一时间点和所述第二时间点都在所述保持时段内。9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述多个存储块均包括在所述第一方向上设置在所述多条字线上方的多条串选择线和在所述第一方向上设置在所述多条字线下方的接地选择线，并且所述外围电路还被配置为：关断所述多条串选择线直到所述过渡时段内的第一导通时间点，并在所述第一导通时间点之后向所述多条串选择线输入第一抑制电压，以及关断所述接地选择线直到所述过渡时段内的第二导通时间点，并在所述第二导通时间点之后向所述接地选择线输入第二抑制电压。10.根据权利要求9所述的存储器件，其中，所述第一抑制电压和所述第二抑制电压大于所述第一偏压和所述第三偏压。11.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述外围电路进一步被配置为顺序地执行第一擦除操作、验证操作和第二擦除操作，
其中，所述第一擦除操作为所述擦除操作，并且所述验证操作包括在所述第一擦除操作之后从包括在所述目标存储块中的所述多个存储单元读取数据的操作。12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述外围电路进一步被配置为：在所述第二擦除操作中，在第三时间点使所述第一字线的电压从所述第一偏压减小到所述第二偏压，以及向所述第二字线输入大于所述第一偏压的抑制电压。13.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述外围电路进一步被配置为：在所述第二擦除操作中，在第三时间点使所述第一字线的电压从第五偏...
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