一种玻璃熔窑制造技术

本发明专利技术涉及一种玻璃熔窑，包括玻璃熔制部，玻璃熔制部包括熔池、大碹以及与大碹四周相连的四面墙体，其中：大碹与四面墙体形成熔制空间，熔池位于熔制空间内，熔池用于放置玻璃液；四面墙体包括相对的吊墙和后山墙，吊墙开设有投料口，后山墙靠近投料口的一侧上设有至少一层沿后山墙周向凸出的第一挡流砖层；上述玻璃熔窑在制造玻璃液的过程中，玻璃熔制部长期处于高温、碱蒸汽、飞料的环境中，一方面使大碹耐材表面受到化学侵蚀形成低共熔物；另一方面大碹、山墙膨胀缝处的泥料、砖材等容易被烧损或侵蚀，本发明专利技术设置第一挡流砖层，低共熔物和膨胀缝处的杂质聚集在第一挡流砖层，避免其沿着后山墙流至玻璃液，提高了玻璃产品的成品率。品率。品率。

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃熔窑


[0001]本专利技术涉及熔窑领域，特别是涉及一种玻璃熔窑。

技术介绍

[0002]玻璃熔窑是熔制玻璃的装置，玻璃熔窑熔化部由玻璃熔池、前后山墙、大碹等组成。在制成玻璃液的过程中，玻璃熔窑熔化部长期处于高温、碱蒸汽、飞料的环境中，大碹耐材表面会受到化学侵蚀形成低共熔物，随着长时间的侵蚀或温度波动，大碹耐材表面侵蚀物(碹滴)会沿着砖材表面往下流，其中一部分会沿着后山墙缓慢流下直到掉落至玻璃熔池内的玻璃液上，造成制造的玻璃中存在结石、节瘤、玻筋的缺陷，从而影响玻璃的质量。
[0003]另外，冷态下砌筑的熔化部需在严格的升温制度下进行烘烤，温度从常温升至1500℃以上，升温过程熔化部各部位耐火材料向四周膨胀。为防止因熔化部各部位耐火材料在升温过程中膨胀相互挤压破碎，需依据各耐火材料的膨胀系数预留适当的膨胀缝。当熔化部在升温烘烤之后，大碹、山墙的膨胀缝并不能完全闭合，在制成玻璃液的过程中随着内部火焰及碱性气体不断的冲刷和侵蚀，大碹、山墙膨胀缝处的泥料、砖材等也容易被烧损或侵蚀，泥料、砖材被烧损或侵蚀后产生的杂质沿着山墙流落至玻璃熔池内的玻璃液上时，会导致制造的玻璃中存在结石、节瘤、玻筋的缺陷，从而影响玻璃的质量。
[0004]目前针对碹滴顺着山墙流淌至玻璃液，山墙、大碹膨胀缝处产生的杂质沿着山墙流淌至玻璃液的问题，并没有有效的防止措施，但由此产生的质量缺陷会影响玻璃产品的成品率。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对玻璃产品成品率低的问题，提供一种玻璃熔窑。
[0006]一种玻璃熔窑，包括玻璃熔制部，所述玻璃熔制部包括熔池、大碹以及与所述大碹四周相连的四面墙体，其中：
[0007]所述大碹与四面所述墙体形成熔制空间，所述熔池位于所述熔制空间内，所述熔池用于放置玻璃液；
[0008]所述四面墙体包括相对的吊墙和后山墙，所述吊墙开设有投料口，所述后山墙靠近所述投料口的一侧上设有至少一层沿所述后山墙周向凸出的第一挡流砖层。
[0009]上述玻璃熔窑在具体制造玻璃液的过程中，玻璃熔制部长期处于高温、碱蒸汽、飞料的环境中，这种环境一方面使大碹耐材表面受到化学侵蚀形成低共熔物，另一方面大碹、山墙依据各耐火材料的膨胀系数预留膨胀缝处的泥料、砖材等也容易被烧损或侵蚀，本专利技术通过在后山墙靠近投料口的一侧上设有至少一层沿后山墙周向凸出的第一挡流砖层，使大碹耐材表面形成的低共熔物和膨胀缝处产生的杂质沿后山墙往地面方向流淌时都聚集在第一挡流砖层，避免低共熔物和杂质沿着后山墙流至玻璃液中而导致制造的玻璃中存在结石、节瘤、玻筋的缺陷，从而提高了玻璃产品的成品率，且在后山墙设置第一挡流砖层的设计施工简单，成本低，能有效解决共熔物和杂质沿山墙流至玻璃液的问题。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一挡流砖层在所述后山墙的正投影为“人”字型，所述第一挡流砖层的尖端朝向所述大碹。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一挡流砖层包括多个第一挡流砖，相邻两个所述第一挡流砖重叠设置。
[0012]在其中一个实施例中，相邻两个所述第一挡流砖重叠的宽度范围为20mm
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30mm。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一挡流砖层的数目为两层，两层所述第一挡流砖层竖直方向上正对设置，上层所述第一挡流砖层凸出所述后山墙的高度小于下层所述第一挡流砖层凸出所述后山墙的高度。
[0014]在其中一个实施例中，上层所述第一挡流砖层凸出所述后山墙的高度范围为60mm
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120mm，下层所述第一挡流砖层凸出所述后山墙的高度范围为100mm
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150mm。
[0015]在其中一个实施例中，上层所述第一挡流砖层与下层所述第一挡流砖层的竖直间距范围为600mm
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1500mm。
[0016]在其中一个实施例中，还包括冷却部及连接部，所述连接部包括小碹、窄通道以及至少一个隔墙，其中：
[0017]所述冷却部与所述玻璃熔制部间隔设置，位于所述后山墙远离所述投料口的一侧，所述冷却部罩设至少部分所述连接部；
[0018]所述后山墙上开设有拱形孔，所述小碹设置在所述后山墙靠近所述拱形孔的边沿；
[0019]所述窄通道的一端连通所述熔池，所述窄通道的另一端穿过所述拱形孔连通所述冷却部；
[0020]至少一个所述隔墙沿着所述吊墙和所述后山墙的排布方向设置于所述小碹内；
[0021]所述隔墙靠近所述玻璃熔制部的一侧上设有至少一层沿所述隔墙周向凸出的第二挡流砖层。
[0022]在其中一个实施例中，所述第二挡流砖层在所述隔墙的正投影为“人”字型，所述第二挡流砖层的尖端朝向所述小碹。
[0023]在其中一个实施例中，所述第二挡流砖层包括多个第二挡流砖，相邻两个所述第二挡流砖重叠设置。
附图说明
[0024]图1为本专利技术提供的一种玻璃熔窑剖面示意图。
[0025]10、玻璃熔窑；
[0026]100、大碹；
[0027]200、后山墙；210、第一层挡流砖层；211、第一挡流砖；220、拱形孔。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0029]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0032]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种玻璃熔窑，其特征在于，包括玻璃熔制部，所述玻璃熔制部包括熔池、大碹以及与所述大碹四周相连的四面墙体，其中：所述大碹与四面所述墙体形成熔制空间，所述熔池位于所述熔制空间内，所述熔池用于放置玻璃液；所述四面墙体包括相对的吊墙和后山墙，所述吊墙开设有投料口，所述后山墙靠近所述投料口的一侧上设有至少一层沿所述后山墙周向凸出的第一挡流砖层。2.根据权利要求1所述的玻璃熔窑，其特征在于，所述第一挡流砖层在所述后山墙的正投影为“人”字型，所述第一挡流砖层的尖端朝向所述大碹。3.根据权利要求1所述的玻璃熔窑，其特征在于，所述第一挡流砖层包括多个第一挡流砖，相邻两个所述第一挡流砖重叠设置。4.根据权利要求3所述的玻璃熔窑，其特征在于，相邻两个所述第一挡流砖重叠的宽度范围为20mm
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30mm。5.根据权利要求1所述的玻璃熔窑，其特征在于，所述第一挡流砖层的数目为两层，两层所述第一挡流砖层竖直方向上正对设置，上层所述第一挡流砖层凸出所述后山墙的高度小于下层所述第一挡流砖层凸出所述后山墙的高度。6.根据权利要求5所述的玻璃熔窑，其特征在于，上层所述第一挡流砖层凸出所述后山墙的高度范围为60mm
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【专利技术属性】
技术研发人员：蒋江，颜创业，范晓贤，平文亮，肖子凡，刘红刚，龚锋杰，
申请(专利权)人：中国南玻集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：